EMC案例解析：显示屏线束串扰导致CE电流法超标问题详解

HRTEM 利用电子波动性实现原子级成像，是材料科学核心表征工具。基于相位衬度与衬度传递函数，通过球差与散焦平衡、包络阻尼及样品制备，在界面、准晶、单原子成像等领域揭示材料微观结构。 高分辨透射电子显微镜，简称 HRTEM，是材料科学和凝聚态物理研究里最核心的表征工具之一。它的成像原理基于电子的波动特性，和我们日常用的光学显微镜完全不同，能拍到原子级别的细节，让我们直接看清材料里原子的排列方式。

X射线照相是非破坏性检测封装缺陷的关键手段，可精准识别密封工艺中的空洞、引线异常及多余物等内部问题。基于密度与厚度差异成像，结合标准中密封宽度≥75%设计要求等判据，保障高可靠性器件的封装质量。 X射线在封装中的应用 X射线照相是采用非破坏性方法检测封装内缺陷的有效手段，尤其适用于检测密封工艺引发的缺陷及内部缺陷，如多余物、内引线连接错误、芯片附着材料中的空洞，以及玻璃密封时玻璃内部的空洞等。通过

本文将介绍电子衍射束的动力学理论，主要介绍衍射本质、消光距离等物理概念以及衍射束强度公式。 透射电镜（TEM）能让我们看到晶体里原子级别的细节，而图像里的明暗变化，本质上都来自高能电子束和晶体原子的相互作用。 当电子束穿过晶体时，只要原子面的角度刚好满足布拉格条件，就会产生一束衍射束。这束衍射束不会直接跑出晶体，它在传播过程中还会被其他原子面再次散射，和原本没被散射的直接束来回交换能量，这个反复散

本文将继续介绍电子衍射束的动力学理论，主要介绍柱近似与图像计算与近似范围。 柱近似与图像计算 有了衍射强度的计算公式，我们就可以计算实际的 TEM 图像了。但这里还有一个问题：严格来说，晶体下表面某一个点 P 的衍射强度，并不是只来自它正上方的那一条直线上的原子，而是来自它上方一个锥形区域里所有原子的散射。这个锥形的半角大约是两倍的布拉格角2θB，这是菲涅尔衍射的基本规律。如果我们要严格计算这个锥

直接电子探测器的微型化催生了EBSD、RKD、同轴TKD与离轴TKD四种菊池衍射几何。它们分别适用于块体、原位、纳米等不同场景。研究通过衍射球重建统一比较，发现TKD在高阶特征分辨率上显著优于反射模式，而能量过滤与畸变控制是提升精度的关键。 近年来，紧凑型直接电子探测器的出现，为菊池衍射技术带来了革命性的发展机遇。探测器体积的大幅缩小，让研究人员可以在扫描电镜的腔室内灵活布置探测器位置，由此发展出

流场测量是流体力学研究的核心基础，本文将介绍断层X射线粒子追踪测速技术。 流场测量是流体力学研究的核心基础。传统的粒子图像测速和粒子追踪测速依靠可见光成像，一旦遇到不透明容器、多孔材料或者存在大量折射界面的多相流系统，就会完全失效。长期以来，研究者只能通过宏观参数间接推断内部流动规律，或申请昂贵的同步辐射机时开展 X 射线成像实验。 技术原理与实验实现 断层 X 射线成像的核心优势是强大的穿透能力

位错密度决定金属强度与寿命，但不同表征方法测同一材料可差两倍以上——因各自捕捉的位错种群不同。Gallet团队以双相不锈钢为基准，同步对比TEM、ECCI、HR-EBSD与XRD，量化方法偏差，为选型与建模提供参照。 从日常的不锈钢餐具到高压容器、桥梁钢板，金属材料的强度、韧性、抗疲劳寿命，本质上都和内部位错的运动与堆积密切相关。作为晶体中的线缺陷，位错的密度高低直接决定了金属的屈服强度、加工硬

SoC高度集成CPU、AI加速、射频等功能，性能提升同时使测试验证难度骤增。从功能测试到DFT，再到IEEE 1500标准化与AI辅助优化，测试体系正成为保障良率、控制成本的关键环节，未来还将延伸至Chiplet与三维封装领域。 SoC集成化发展带来的测试挑战 随着移动互联网、人工智能、物联网以及汽车电子产业的快速发展，芯片设计正在从单一功能模块向高度集成化方向演进。片上系统（System on

本文主要介绍了芯片ATE测试。 在半导体芯片的生产制造流程中，ATE（Automatic Test Equipment）即自动测试设备扮演着不可或缺的关键角色。随着现代芯片集成度的不断提高与功能的日益复杂化，ATE凭借其高效的自动化测试能力，已成为确保产品质量、降低生产成本以及缩短研发周期的核心设备之一。 ATE测试是什么 ATE是由高性能计算机控制的测试仪器集合体，其最基本的要求是快速且可靠地重

01  性能指标（已实测） 小电流档相对精度(5.1Ω)：±(0.55%+0.5μA) 大电流档相对精度(10 mΩ)：±(0.1%+0.5 mA) 测量分辨率：0.1μA/0.1 mA/1mA 电流量程：1μA∼8 A (Max) 电压量程：3.3 V∼36 V 物理采样率：≥7 kHz 项目的功能，主要围绕2大接口、本地功能、上位机功能展开描述： 02  功率接口

本文主要介绍了会聚束电子衍射（CBED）技术。 传统选区电子衍射（SAD）受物镜球差与选区光阑放置位置的双重限制，有效空间分辨率仅达亚微米级别，即便采用球差校正电镜也仅能提升至 100 纳米左右，无法满足纳米颗粒、位错核心等表征需求；同时薄样品、小晶粒会放宽布拉格衍射条件，导致 SAD 仅能提供精度有限的二维晶体投影信息，难以还原晶体真实三维结构。 会聚束电子衍射（CBED）原理由 Kossel

1.为什么不能用导线直接把被测信号接到示波器上？ 2.10:1高阻无源探头如何实现精准分压？ 3.探头补偿的判定条件是什么？ 4.使用10:1高阻探头相比直接接线有什么优势？ 探头补偿的硬件原理 标准无源探头内部带有可调补偿电容，示波器输入端自带固定 1MΩ 电容；探头补偿的核心作用是匹配探头 RC 参数与示波器输入电容，抵消示波器输入电容带来的高频失真，让探头在全频段实现精准分压。 直接接线（无

薄膜残余应力是现代制造的核心关注点，其失控会引发器件失效，可控应力则能提升性能。本文以百年经典的晶圆曲率法为核心，解析其原理、技术迭代，结合实验揭示应力演化机制与工业应用价值。 小到手机芯片的金属互连线，大到航空发动机的热障涂层，再到日常眼镜片的减反膜 —— 纳米到微米厚的薄膜，藏着现代制造的核心技术。而决定薄膜耐不耐用、性能够不够的关键因素之一，就是肉眼看不见的残余应力。 应力失控的后果很严重。

EBSD 作为晶粒取向表征核心技术，过往对图案形成物理机制研究不足。Alwyn Eades 团队通过能量过滤技术，系统探究不同能量背散射电子的衍射贡献，验证了该技术对图案衬度、空间分辨率的提升效果，填补了底层机理认知空白。 电子背散射衍射（EBSD）是材料表征晶粒取向的核心技术，过往发展多聚焦于标定速度与后处理算法，对图案形成的底层物理机制认知仍有欠缺。Alwyn Eades 团队通过能量过滤装置

工程名称：USB3.0逻辑分析仪-16通道200MHz-CH32H417版 工程作者：Q2H2 前言 这，是我推荐过 采样率最高的 逻辑分析仪！ 作者只用单芯片 实现了3大亮点 支持16通道200MHz采样率 额外支持2通道20Msps模拟信号采样 配套PC端软件U3LogicAnalyzer，是基于经典的开源软件PulseView 他咋做到的！！？ 下面，咱就先介绍一下它的具体

来料检验是对从供应商处收到的元器件或材料进行验证，以确保其符合规定要求的过程。在电池和电源应用中，这意味着在使用前验证电芯、电容器或光伏组件的质量和一致性。 Otii电池验证与Otii Ace Pro配合使用，常用于来料检验，以验证电池、光伏电池和超级电容器的质量和性能。 Qoitech的 Otii Ace Pro 一体化工具用于电池驱动和能量收集设备的能量优化。它是一个隔离式电源和测量单元，可

还记得电影《F1：狂飙飞车》中，那些让人肾上腺素飙升的镜头吗？男主桑尼驾驶着APX GP，在直道末端以超过300公里的时速呼啸而过。如果你用手机拍摄这一瞬间，得到的可能是一片模糊的光影——你只知道有辆车过去了，但完全看不清细节。但是如果用足够快的连拍速度和抓取瞬间的能力的高速相机，就能定格赛场上的精彩瞬间，可以看清它的姿态、细节，甚至分析他过弯的精准线路。 而在电力电子领域，如果把Si MOSF

本文将介绍扫描电子显微镜（SEM）。 SEM基础 扫描电子显微镜（SEM：Scanning Electron Microscope：）使用聚焦的电子束来创建样品的放大图像。电子束以规则的图案在样品表面进行扫描，从样品中射出的电子（二次电子）被用于创建图像。 本质上，扫描电子显微镜“观察”样品表面的方式，可以比作一个人独自在黑暗的房间里，使用一束精细的手电筒光束来扫描墙壁上的物体。通过系统地左右扫描

本文将介绍扫描电子显微镜（SEM）。 电子显微镜在许多方面与光学显微镜类似。乍一看这令人惊讶，因为光学显微镜的简单技术与电子显微镜复杂的电子器件、真空设备、电压供应和电子光学系统之间形成了鲜明对比。两者都有一个照明源（灯泡与电子源）、一个聚光镜（玻璃与电磁镜）、一个样品和一个探测器（眼睛与电子探测器）。这些特征的比较经常被用作任何有关SEM讨论的起点。 SEM使用由电子枪产生的高能电子束，经磁透

本文介绍了芯片测试相关常见术语。 你可以把芯片测试理解成：芯片出厂前的“体检 + 考试 + 分班”——先看它能不能正常工作，再看它能跑多快、耐不耐热、耗不耗电，最后决定它是高端版、普通版，还是不合格品。 一、芯片测试基础概念 1.芯片测试 Chip Testing 检查芯片是否能正常工作，像给芯片做体检。 2.ATE 自动测试设备 专门测试芯片的大型设备，像芯片行业的“高考考场 + 体检仪”。 3