本文主要介绍了会聚束电子衍射(CBED)技术。
传统选区电子衍射(SAD)受物镜球差与选区光阑放置位置的双重限制,有效空间分辨率仅达亚微米级别,即便采用球差校正电镜也仅能提升至 100 纳米左右,无法满足纳米颗粒、位错核心等表征需求;同时薄样品、小晶粒会放宽布拉格衍射条件,导致 SAD 仅能提供精度有限的二维晶体投影信息,难以还原晶体真实三维结构。
会聚束电子衍射(CBED)原理由 Kossel 与 Möllenstedt 于 1938 年提出,早于 Le Poole 发明的选区电子衍射技术,但早期受电子束碳污染、电子枪亮度不足、样品台操控精度有限等问题制约,长期未得到广泛应用。随着超高真空电镜、场发射电子枪及高精度双倾冷台技术成熟,CBED 从根本上突破了 SAD 的两大核心局限:既实现了纳米乃至单胞尺度的超高空间分辨率衍射,又可通过高阶劳厄带信号获取完整的三维晶体学信息。
与多数电镜技术适配超薄样品的特性不同,CBED 的核心衬度源自样品内部的动力学电子散射,厚度超过一个消光距离的厚样品反而能产生更丰富的衍射特征,因此其他技术信噪比不足的厚样品区域,往往可通过 CBED 获取有效晶体学信息。
CBED 也存在两大短板:一是细小聚焦束斑易在样品局部累积碳污染,引入额外局部应力;二是高能会聚束易对导热性差的样品造成局部加热与辐照损伤。
针对上述问题,现代超高真空腔体可大幅降低污染速率,样品表面导电镀层(绝缘 / 弱导电样品优先镀碳膜)与液氮冷却样品台能有效抑制热损伤和热漫散射。其中双倾、液氮冷却、低背底样品台是 CBED 研究的标准配置:双倾结构可大范围调控晶体取向,液氮冷却可提升高阶衍射信噪比,低背底设计则支持 CBED 与 X 射线能谱同步联用。
一、TEM与 STEM模式的实验流程
CBED 实验操作分为 TEM 模式与 STEM 模式两类,二者依托不同光路设计,适配不同分析场景。

会聚束电子衍射形成光路示意图:C2 光阑与 C2 透镜共同调控入射电子束的会聚角度,经上物镜聚焦于样品表面,携带衍射信息的电子经下物镜后,于物镜后焦面形成离散的衍射盘,而非 SAD 模式下的锐利斑点。
(一)SAD 与 CBED 的核心差异
二者的核心差异体现在三个层面:入射束特性上,SAD 使用单一波矢的平行电子束,CBED 则是覆盖连续角度范围的锥形会聚束;采样尺度上,SAD 的照明区域通常在 1 到 10 微米级别,CBED 的束斑可以缩小到 1 到 100 纳米;衍射形态上,SAD 呈现离散的锐利斑点,CBED 则是带有精细内部衬度的衍射圆盘。
从信息维度来看,CBED 本质上是把 SAD 单个衍射斑内部的角度信息放大呈现。它的最优分析条件和 SAD 一致,都是对称晶带轴条件和强双束衍射条件;但 CBED 还可以通过束斑欠焦、过焦操作,同时获取实空间的样品形貌和倒易空间的衍射信息,这是平行束 SAD 不具备的能力。
纯硅单晶、大晶粒不锈钢箔是 CBED 入门练习的标准样品,二者均可快速获得特征清晰的衍射花样,其中沿 <111> 取向的硅单晶可直接得到典型的对称晶带轴 CBED 花样,非常适合新手熟悉操作流程与衬度特征。

SAD 与 CBED 花样对比:A 为硅 <111> 取向的 SAD 花样,可见清晰的菊池带与锐利斑点;B 为同一取向的 CBED 花样,衍射斑变为圆盘,000 中心盘内可见精细的 HOLZ 缺陷线,整体包含远多于 SAD 的衬度信息。
(二)TEM 模式下的标准操作流程
TEM 模式是 CBED 最常用的操作方式,先在平行束下定位目标区域,再逐步收束电子束形成会聚衍射,整体遵循从成像到衍射、从宽束到细束的操作顺序:
1.将样品调整至共心高度,弱激发第二聚光镜 C2 形成宽平行束,把待分析的目标微区移到屏幕中心。操作过程中尽量撤出物镜光阑,避免遮挡高角度衍射束;如果成像阶段必须使用光阑,切换衍射模式前要完全撤出。
2.选用直径 100~200 微米的大尺寸 C2 光阑,并完成精准对中。光阑偏心会导致会聚束的锥轴偏离光轴,造成衍射盘不对称、衬度偏移,直接影响后续的对称性分析和定量测量结果。
3.调节 C2 透镜电流,将电子束会聚成细小光斑,精准落在目标区域。初始阶段建议弱激发第一聚光镜 C1,获得约 100 纳米的束斑,此时束流更高、衍射花样亮度充足,便于观察和倾转取向;需要更高空间分辨率时,可以逐步增强 C1 来缩小束斑,但总束流和花样亮度会随之下降。
4.初始阶段选用小于 500 毫米的短相机长度,获取全景衍射花样,快速判断晶体取向;确认取向之后,可以根据分析需求灵活调整参数,在空间分辨率、花样亮度和观测范围之间取得最优平衡。
完成上述准备后,切换至衍射模式,确认物镜光阑和选区光阑都完全撤出,就可以观测基础的 CBED 花样。
(三)STEM 模式下的操作与优势
STEM 模式下,电子束始终保持会聚聚焦状态,不需要频繁调整光路,还可以通过扫描成像实时观察样品形貌,精准定位微小的分析区域,定位精度远高于 TEM 模式。
在 STEM 模式下获取 CBED 花样的操作更简便:先得到清晰的 STEM 形貌像,把目标区域移到视野中心,随后停止电子束扫描,通过扫描偏转系统将束斑精准定位到待分析的微区。部分电镜在 STEM 模式下会自动关闭 C2 透镜,此时会聚角完全由 C2 光阑的尺寸决定,花样聚焦只能通过物镜电流调节;观测时移开 STEM 探测器或者降下荧光屏,就可以直接观测 CBED 花样。
现在双扫描 STEM 设备还可以同步显示形貌像和衍射花样;如果接入电子能量损失谱系统,还可以直接实现能量过滤 CBED 采集,完成结构与成分的一体化表征。
二、CBED的实验变量
CBED 实验中有五大可调控变量:会聚半角、相机长度、束斑尺寸、样品厚度与花样离焦量。不同的参数组合可以得到特征各异的衍射花样,适配不同的分析目标。
(一)会聚半角
会聚半角直接决定 CBED 衍射盘的大小,主要通过更换不同尺寸的 C2 光阑进行粗调,C2 透镜电流可以实现微调。

会聚半角对 CBED 花样的影响:A-C 为光路示意图,展示从小 α 到大 α 的变化过程;D-F 为纯铝的实验花样,对应从离散盘到重叠 Kossel 花样的过渡。
根据会聚半角与布拉格角的相对大小,CBED 花样可以分为两类经典模式:
1.K-M 模式:选用 10~50 微米的小尺寸 C2 光阑,会聚半角小于布拉格角,各个衍射盘互不重叠、边界清晰,每个盘内的衬度都可以独立观测,是开展精细动力学衬度分析、HOLZ 线测量的标准模式。
2.Kossel 模式:选用大尺寸 C2 光阑,会聚半角足够大,所有衍射盘完全重叠,花样覆盖大范围的倒易空间,菊池带清晰完整,最适合用于晶体取向倾转,同时也是大角度 CBED 技术的基础模式。
实验建议配备 10 微米到 200 微米的多档 C2 光阑,以适配不同的分析需求;如果需要精准获知会聚半角的数值,可以通过标准单晶样品进行标定。
(二)相机长度
相机长度决定衍射花样的放大倍率,对应倒易空间的观测视野范围。衍射图上任意衍射点到中心的径向距离和散射角成正比,因此相机长度越小,可观测的散射角范围越大、视野越宽;相机长度越大,局部放大倍率越高、视野越窄。

为相机长度对 CBED 视野的影响:A 为大 L 模式,仅可见中心 000 透射盘;B 为中等 L,可观察完整的零阶劳厄带衍射盘;C 为小 L 全景模式,外围可见微弱的 HOLZ 衍射环。
相机长度在 1500~6000 毫米时,只能观测中心 000 透射盘的内部精细结构,适合分析 HOLZ 线这类微小衬度,但覆盖的衍射角度范围很小。
•相机长度减小到 500 毫米以下时,可以得到全景衍射花样,完整观测高角度的高阶劳厄带环和大范围菊池带,但中心盘的细节分辨率会下降。
常规 CBED 实验通常需要在多档相机长度下分别采集,才能同时获取全局衍射分布和局部精细衬度。没有后置透镜的专用 STEM 设备相机长度固定,只能通过探测器的位置间接调整观测范围。
(三)束斑尺寸与样品厚度的影响
束斑尺寸主要通过 C1 透镜电流调控:C1 激发越强,束斑越小、空间分辨率越高,但总束流越低、衍射花样越暗。在超薄样品中,CBED 的空间分辨率基本和束斑尺寸一致;在厚样品中,弹性散射会导致电子横向扩散,实际相互作用体积大于束斑尺寸,空间分辨率会有所下降,这个效应和 X 射线能谱的空间分辨率限制原理完全一致。
场发射电镜可以在亚纳米级束斑下仍然保持足够的束流,实现单胞尺度的微区 CBED 分析;但极薄的样品会缺失动力学散射衬度,反而无法发挥 CBED 的信息优势。

为样品厚度对 CBED 衬度的影响:A 为超薄样品的运动学 CBED 花样,衍射盘内强度均匀,无特征衬度;B 为厚样品的动力学 CBED 花样,盘内呈现丰富的明暗条纹衬度。
样品厚度是决定 CBED 衬度丰富度的核心因素:
•样品极薄时,衍射处于运动学条件,所有衍射盘内的强度均匀,只能得到和 SAD 等效的二维衍射信息,价值有限。
•样品厚度超过一个消光距离后,强动力学散射会在衍射盘内产生丰富的明暗条纹、HOLZ 线等特征,这是 CBED 定量晶体学分析的核心信号来源。
厚样品也会带来大量非弹性漫散射背景,掩盖精细衬度,这个问题可以通过能量过滤技术有效解决。
三、聚焦与离焦 CBED
根据电子束交叉点与样品平面的相对位置,CBED 分为聚焦模式与离焦模式两大类:聚焦模式追求最高的空间分辨率和最纯净的衍射衬度,离焦模式兼顾实空间形貌与倒易空间衍射信息,多用于缺陷表征和大角度分析。
(一)聚焦 CBED 的校准方法
聚焦 CBED 是最基础的工作模式,此时电子束的交叉点恰好落在样品的共心平面上,采样区域达到最小,衍射盘内只存在动力学衍射衬度,没有实空间的样品形貌信息。
每台电镜都有对应共心高度的物镜电流标准值,实验中可以先把电流调到这个参考值,再通过样品 z 轴微调聚焦状态,保证样品始终处于共心面,避免倾转过程中目标区域偏移出视野。
CBED 的聚焦校准可以通过 000 透射盘内的形貌像变化来实现:欠焦状态下,000 盘内会出现样品的明场像,衍射盘周边还会出现对应衍射束的暗场像;逐步增强物镜电流,束斑交叉点向样品平面靠近,盘内的像会持续放大,到正焦位置时发生反转,此时形貌像完全消失,盘内只剩下纯衍射的动力学衬度;继续增强到过焦状态,盘内会重新出现倒置的明场像。通过这个过程可以精准判断正焦位置,更换样品高度或者调整倾转角度后,需要重新校准聚焦状态。

为聚焦调节过程的 000 盘特征:A 为欠焦状态,000 盘内可见明场样品像;B 为正焦状态,形貌像消失,盘内仅存衍射衬度;C 为过焦状态,形貌像重新出现,且与欠焦状态呈倒置关系。
(二)离焦 CBED
刻意让电子束偏离正焦状态,可以在 CBED 花样中同时引入实空间和倒易空间的信息,衍生出多种特色分析技术,其中应用最广、价值最高的是大角度 CBED(LACBED)技术。
1.LACBED 技术:由日本学者 Tanaka 等人于 1980 年首创,核心是通过离焦大幅提升衍射衬度,适用于位错、晶界、相界面等晶体缺陷的定量表征,还可以直接测定晶体点群的对称性。

正焦 Kossel 花样与离焦 LACBED 花样的衬度差异,离焦后菊池线对比度显著提升。
它的光路原理是:将样品抬离共心平面一段距离,入射会聚束在样品上形成圆形的照明盘,入射锥中不同角度的电子照射在样品的不同位置,满足布拉格条件的电子发生衍射,最终形成带有布拉格缺陷线的 LACBED 花样。实验中插入选区光阑,只允许直射电子通过,可以滤除杂散电子的干扰,得到衬度大幅增强的明场 LACBED;
如果把选区光阑对准某一束衍射束,可以得到对应的暗场 LACBED。拼接多个暗场花样和中心明场花样,可以得到完整的对称晶带轴 LACBED 蒙太奇图,直观呈现晶体的三维对称特征。

为 Si<111> 取向的 LACBED 蒙太奇图:中心为明场 LACBED,外围环绕六个 {220} 暗场 LACBED 花样。
2.会聚束成像技术:由 Humphreys 等人提出,更侧重实空间形貌的呈现,可以观测微小区域的晶格畸变,但应用范围相对有限。
3.平行暗场像记录技术:可以通过单次曝光记录多列衍射盘中多个暗场像的强度变化,结合厚度摆动曲线可以定量测定晶体结构因子和价电子分布。
完成取向倾转后,如果花样的对称度不佳,可以优先通过电子束偏转器进行微调,尽量避免移动 C2 光阑破坏照明系统的对中;实验建议采用不同的曝光时长采集多组花样,同时捕捉强衍射信号和微弱的高角度衬度。
四、能量过滤技术
厚样品虽然能提供丰富的动力学衬度,但也会产生大量非弹性散射电子,形成均匀的漫散射背景,掩盖精细的衍射线条和衬度结构。能量过滤 CBED 是解决这个问题的最优手段,通过柱内或者柱后的电子能量损失谱过滤器,筛选出只发生弹性散射的零损失电子参与成像,彻底移除非弹性散射带来的背景干扰。

能量过滤前后的 CBED 花样对比:A 为未过滤的厚样品硅 CBED 花样,背景漫散射强,细节模糊;B 为能量过滤后的花样,衬度锐利,精细特征清晰可见。
能量过滤对 CBED 花样质量的提升效果非常显著,核心增益体现在两个方面:
1.消除色差效应:非弹性散射电子损失部分能量后,波长会发生变化,在物镜后焦面的聚焦位置略有差异,会导致衍射盘边缘模糊、线条展宽;过滤之后所有电子都是弹性散射,能量和波长一致,聚焦清晰,所有衍射线条都会更加锐利。
2.移除漫散射背景:非弹性电子形成的灰色背景会大幅压低衬度对比度,移除背景之后信噪比显著提升,原本淹没在背景中的微弱 HOLZ 线、精细动力学条纹都可以清晰显现。
学界普遍认为,配备能量过滤系统的设备,所有 CBED 实验都应该开启过滤模式,以获得最优的花样质量。需要注意的是,声子热振动引起的热漫散射能量损失极小(通常小于 1eV),超出了常规能量过滤器的分辨范围,无法通过过滤去除,仍然需要通过液氮冷却样品台、抑制晶格热振动来解决。
五、劳厄带衍射的三维晶体信息
CBED 区别于 SAD 的核心价值,在于可以观测高阶劳厄带衍射信号,进而获取三维晶体学信息。根据衍射斑点对应的倒易平面层级,劳厄带分为零阶与高阶两大类,二者的信息维度和分析价值差异显著。
(一)零阶劳厄带
零阶劳厄带是最基础的衍射信号,所有衍射斑点都满足魏斯晶带定律(德国学者魏斯于1805–1809年间,Weiss zone law,hu + kv + lw = 0),对应倒易空间中包含原点的零层倒易平面。常规的 SAD 花样基本都属于零阶劳厄带衍射,因为平行入射的电子束对应的埃瓦尔德球只和零层倒易面相切,很难截获更高层的倒易点。
零阶劳厄带只能提供二维投影的晶体学信息,在 K-M 模式下,可以通过测量衍射盘的间距计算晶面间距,结合夹角关系标定晶带轴指数,方法和 SAD 基本一致。由于衍射盘有一定的尺寸,测量时需要选取每个盘内的等效参考点(通常是盘中心或者同侧边缘),以保证测量精度。进入 Kossel 模式后,衍射盘完全重叠,无法进行零阶劳厄带的标定和测量。
(二)高阶劳厄带
由于电子的波矢较短,埃瓦尔德球具有一定的曲率,除了零层倒易平面之外,还会和更高层的倒易平面相交,产生高阶劳厄带衍射,在零阶劳厄带的外围形成环形衍射信号。其中满足晶带定律一阶条件的第一层是一阶劳厄带,更高层依次为二阶、三阶等,统称为高阶劳厄带。
束会聚角的存在,让埃瓦尔德球等效具有两倍会聚角的厚度,可以采样更长范围的倒易杆,进一步增强了高阶劳厄带的信号强度,这也是 CBED 比 SAD 更容易观测到高阶劳厄带的重要原因。


HOLZ 衍射的埃瓦尔德球构造:A 为埃瓦尔德球与多层倒易平面相交的示意图,会聚角使埃瓦尔德球等效具有厚度;B-D 分别展示倒易杆的角度展宽、衍射盘内的位置对应关系,以及实验中的 HOLZ 环花样。
高阶劳厄带的核心价值,在于携带了完整的三维晶体信息:
1.三维对称性判定:零阶劳厄带只反映晶体沿入射方向的二维投影对称性,高阶劳厄带可以体现晶体的真实三维对称性,这个差异是CBED 测定晶体点群的核心依据。
2.高精度应变测量:高阶劳厄带衍射对应的晶面间距更小、衍射矢量更大,对点阵常数的微小变化极其敏感,可以实现纳米尺度的高精度晶格应变测量,精度远高于零阶劳厄带衍射。
3.点阵类型与晶系判定:高阶劳厄带的斑点分布受晶体结构因子调控,满足消光条件的衍射不会出现,因此环形图案由离散的斑点组成。通过分析斑点分布和消光规律,可以确定晶体点阵类型、判定晶系,这是二维零阶劳厄带无法实现的功能。
(三)高阶劳厄带信号的观测优化
高阶劳厄带衍射位于高角度区域,信号强度较弱,实验中可以通过多种方式提升它的可观测性:
1.采用短相机长度的全景模式,将高角度衍射纳入观测视野,这是最基础的调整手段。
2.搭配液氮冷却样品台,抑制晶格热振动带来的热漫散射背景,同时降低样品的热漂移,提升信号的稳定性和信噪比;低温还能减缓碳污染速率,支持更长时间的曝光采集。
3.适当降低加速电压:低电压下电子波长更长,埃瓦尔德球的曲率更大,高阶劳厄带环的半径更小,更容易落入观测视野;同时低电压下弹性散射截面更大,衍射的整体强度更高。但低电压会降低电子的穿透能力,而且束展宽效应更显著,空间分辨率会有所下降,需要根据样品的情况权衡选择。
4.倾转至低对称的高指数晶带轴:高对称的低指数晶带轴,倒易面间距大,高阶劳厄带环的半径过大,容易超出观测范围;低对称的高指数晶带轴,倒易面间距更小,环的半径适中,更容易被观测到。

为晶带轴对称性对 HOLZ 间距的影响:A 为高对称晶带轴,倒易面间距 H 大,HOLZ 环半径大;B 为低对称晶带轴,间距 H 小,HOLZ 更易观测。
此外,采用宽动态范围 CCD 相机、多曝光图像叠加技术,可以同时记录强零阶劳厄带信号和微弱的高阶劳厄带信号,避免过曝或者欠曝丢失信息。如果仍然无法观测到清晰的高阶劳厄带,需要考虑更换更薄或者取向更合适的样品区域。
六、菊池线与高阶劳厄带线的衬度机理
CBED 花样中存在两类特征线状衬度:菊池线与高阶劳厄带线。二者的形成机理、分布位置和信息价值差异显著,是 CBED 定量分析的两类核心特征。

为 SAD 与 CBED 的菊池线质量对比:A 为变形铜的 SAD 花样,菊池线宽泛模糊;B 为同一材料微小区域的 CBED 花样,菊池线锐利清晰。
(一)CBED 中的菊池线与布拉格线
和 SAD 相比,CBED 中的菊池线通常更加锐利清晰。核心原因在于 CBED 的采样区域极小,通常不存在 SAD 选区内的晶格弯曲、塑性变形等应变因素,而且微小区域内的厚度更均匀,因此菊池线的展宽更小、清晰度更高。
在变形材料中,SAD 选区内常常包含多个位错和亚晶界,应变分布不均会导致菊池线宽泛模糊,甚至无法辨认;而 CBED 可以选择两个位错之间的无应变区域采集,得到锐利清晰的菊池线。基于这个特性,CBED 菊池线可以用于测定变形材料中微小晶粒的取向差、亚晶转动角度,精度远高于 SAD 菊池线。如果束斑恰好落到位错等强应变缺陷上,CBED 菊池线也会出现模糊、位移甚至分裂,这个效应可以用于表征缺陷的应变场。
形态上,非晶带轴条件下,CBED 菊池线是成对的亮线和暗线,和 SAD 菊池线的形态一致;倾转到对称晶带轴时会形成宽化的菊池带,而且会聚半角越大,菊池带的对比度越高、覆盖范围越广。
形成机理上,传统 SAD 菊池线完全来源于非弹性散射电子的二次布拉格衍射;而在大会聚角的 Kossel 模式 CBED 中,入射会聚束本身就包含各个角度的电子分量,满足布拉格条件的电子直接发生弹性衍射形成线条,因此CBED 菊池线叠加了弹性散射的贡献,和纯非弹性起源的传统菊池线并不完全等同。
为了区分二者的物理本质,Morniroli 提出了 “布拉格线” 的术语,专门指代 CBED 和 LACBED 中由弹性散射形成的缺陷线,目前这个命名已经被广泛采用。
(二)高阶劳厄带线:定量晶体学的核心信号
高阶劳厄带线(简称 HOLZ 线)是高阶劳厄带菊池线的弹性散射分量,本质是入射会聚束中,满足高阶晶面布拉格衍射条件的电子分量,被衍射至高阶劳厄带角度后,在中心 000 透射盘留下的暗缺陷线,以及在对应高阶劳厄带衍射盘中留下的亮过剩线,二者始终成对出现、一一对应。

两类菊池线的形成机理对比:A 为 SAD 的非弹性散射菊池线,来源于样品内的散射电子源;B 为 CBED 的弹性散射布拉格线,来源于入射会聚束的角度分量。
两类菊池线的形成机理差异可通过光路直观对比。
HOLZ 线对应大衍射矢量的高阶晶面,对晶格常数变化、局部应变的敏感度远高于零阶劳厄带菊池线。根据倒易矢量与晶面间距的关系,晶面间距越小,同等点阵变化带来的倒易矢量偏移越显著,反映在衍射花样上就是线条的移动量越大、测量精度越高。
HOLZ 线的应变测量精度可以达到万分之一甚至更高,是 CBED 定量测定点阵参数、晶格应变的核心信号;同时 HOLZ 线的对称性直接反映晶体的三维对称性,是点群测定的关键依据。
<111> 面心立方 CBED 花样的线特征示意图:ZOLZ 菊池带呈现六重二维对称,HOLZ 缺陷线呈现三重三维对称。HOLZ 线通常非常精细,线宽可以小于 1 毫弧度,肉眼难以直接观测,需要通过 CCD 相机增益调节或者胶片长时间曝光才能显现。样品应变、厚度不均、热振动、晶体无序都会导致线条展宽模糊,实验中需要选用最小的束斑缩小采样区域,搭配液氮冷却提升衬度,还可以通过小幅调节加速电压来微调线条位置,区分重叠的多条 HOLZ 线。
开展严谨定量研究的电镜,需要配备连续可调的高压控制,高压微调步长可以达到 1 伏甚至更小,能够精准调控线条位置,配合模拟计算实现点阵参数的精确测定。
常规 HOLZ 线观测遵循从全局到局部的流程:先选用大 C2 光阑、小相机长度,在 Kossel 模式下通过菊池带倾转至目标晶带轴,确认外围高阶劳厄带环存在;随后逐步增大相机长度,缩小 C2 光阑切换到 K-M 模式,聚焦中心 000 盘观察记录精细的 HOLZ 缺陷线。实验通常需要在 300~1500 毫米范围内调整多档相机长度,同时获取全局取向信息和局部线条细节。
七、进阶 CBED 技术:空心锥与旋进模式
在常规 CBED 的基础上,通过对入射束进行扫描调控,可以衍生出空心锥 CBED 与旋进 CBED 两类进阶技术,进一步优化衍射信号的分析能力,拓展 CBED 的应用场景。
(一)空心锥 CBED
空心锥 CBED 又称锥形束 CBED,原理是让入射会聚束绕光轴做圆锥扫描旋转,持续改变入射方向。旋转过程中,零阶劳厄带的衍射盘随入射角度变化不断移动,强度被平均化,原本明亮的零阶劳厄带信号被大幅削弱;而只在特定布拉格角度出现的高阶劳厄带线,衍射角度不随入射锥旋转而变化,因此保持稳定的亮线特征。最终采集到的花样中,零阶劳厄带的背景被完全抹平,只剩下清晰的高阶劳厄带过剩亮线。
石墨 0001 取向的空心锥 CBED 花样:ZOLZ 衍射盘被平均消失,仅剩余清晰的 HOLZ 亮线。
这项技术特别适合单独分析高阶劳厄带的衍射特征,可以排除强零阶劳厄带信号的干扰,更清晰地呈现高阶劳厄带的线条分布和对称特征。通过精确测量空心锥 CBED 中 HOLZ 线的位置,可以高精度计算晶体点阵参数,测量精度优于常规的 CBED 模式。这项技术还可以用于快速判断晶带轴的对称类型,辅助点群测定。
(二)旋进 CBED
旋进 CBED 的原理和旋进 SAD 一致:入射束绕光轴做小角度圆锥扫描的同时,通过后置透镜系统进行反向扫描补偿,让衍射花样保持静止,只对动力学散射效应进行角度平均。

旋进前后的 CBED 花样对比:A 为未旋进的厚样品 Mg₃V₂O₈花样,衬度混杂,斑点边界模糊;B 为小角度旋进后的花样,ZOLZ 衍射斑点更清晰,背景更均匀。
旋进处理可以显著提升衍射花样的质量,尤其适合厚样品和复杂结构晶体的定量分析,核心增益包括:
1.平均化复杂的多重动力学散射效应,让衍射强度更接近运动学理论的结构因子,大幅降低动力学效应带来的定量误差。
2.拓宽高阶劳厄带环,使其形成均匀的环形带,更便于测量环的半径和强度分布。
3.弱化非系统消光效应,让衍射斑点的边界更清晰、背景更均匀,大幅简化背景扣除的难度,显著提升衍射强度定量测量的准确性。
对于结构复杂的氧化物、矿物等材料,旋进 CBED 的定量分析优势尤为明显。
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