赛思电子SLIC芯片:高集成可定制,打破技术瓶颈
赛思电子推出的新一代SLIC芯片具备高集成、可编程和定制化特性,满足通信基建、VOIP网关等应用需求,打破国内技术瓶颈,实现高性能与量产。
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赛思电子推出的新一代SLIC芯片具备高集成、可编程和定制化特性,满足通信基建、VOIP网关等应用需求,打破国内技术瓶颈,实现高性能与量产。
文章介绍了分立器件的静态参数测试及其重要性,包括栅极-发射极阈值电压、漏电流、饱和电压等,并分析了这些参数对器件性能的影响。
本文介绍了如何使用Keithley KickStart软件对高亮度LED进行脉冲特性表征,包括脉冲测试的优势、HBLED的电学特性测试方法以及具体的操作步骤。
深圳慧能泰半导体科技有限公司推出了全集成零外围的2C1A或2A1C充电控制器HUSB385A,支持多种快充协议,适用于高效紧凑设计的充电器。
本文介绍了安森美的SiC JFET和Combo JFET产品组合,重点阐述了其在固态断路器和数据中心中的应用优势,包括高能效、高功率密度以及更低的导通电阻。
圣邦微电子推出SGM3802,一款专为TFT LCD偏置设计的高集成度双输出电源芯片,支持I²C接口步进编程,适用于多种应用场景。
新洁能推出250V SGT MOSFET NCEP025S90T,具有超快反向恢复特性,显著降低反向恢复电荷,适用于高性能、高可靠性的硬开关应用场景。
Diodes公司推出两款28V USB Type-C双重功能电源传输控制器AP53781和AP53782,支持最新的PD3.1 EPR标准,最高输出140W,适用于便携式电池供电设备。
本文详细解析了LLC开关电源中MOS管的失效机制,重点讨论了体二极管反向恢复特性对MOS管的影响,并提出了预防措施。
本文详细介绍了晶体管的转移特性曲线及其核心参数的意义,包括阈值电压、亚阈值摆幅、跨导和导通电流。这些参数对芯片性能和功耗管理至关重要。
杰平方半导体推出两款1400V碳化硅SiC MOSFET新品,填补了1200V与1700V之间的市场空白,适用于电动汽车高压平台及其他高压应用场景。
AMD推出Spartan UltraScale+ FPGA系列的两款新成员SU45P和SU60P,提供高速连接、稳健的安全性和长期可靠性,适用于工业自动化和有线网络系统。
事件数据记录器(EDR)作为工业控制、汽车安全、航空航天等领域的核心设备,承担着实时记录运行参数与异常事件的重任。传统硬件方案如EEPROM写入速度慢、SRAM易失性数据易丢失,而FRAM(铁电随机存储器)凭借非易失性、百万次擦写寿命及纳秒级读写速度,成为EDR硬件升级的理想选择,尤其在高可靠性需求场景中优势显著。在2
近日,广东省高新技术企业协会正式发布《2025年第二批广东省名优高新技术产品名单》,国星半导体自主研发的车规级LED芯片与垂直LED芯片两大系列产品成功入选。该认定严格围绕技术创新性、质量稳定性、市场成熟度及产业化能力四大维度进行评审,是广东省对高新技术产品综合实力的权威背书。此次两项产品同时上榜,不仅印证了国星半
在消费电子持续追求轻薄化与长续航的当下,背光系统能效成为关键瓶颈。传统方案在轻载场景效率低下,散热性能不足,严重制约设备续航并带来可靠性风险。数模龙头艾为电子推出新一代升压型WLED驱动芯片——AW9967FSR,以科学先进的热管理技术,打造卓越的散热能力,具备89%超高效率和110℃/W超低热阻,为提供更高效率更完美
近日,国内领先的车规SoC芯片厂商上海泰矽微(Tinychip Micro)宣布推出TClux 系列车规多通道LED驱动芯片TCPL07/08/17/18,全面覆盖汽车多通道LED照明应用场景。 泰矽微TClux系列集成了MCU内核、Flash、SRAM、LIN收发器、CAN收发器,同步整流Buck控制器,低
圣邦微电子推出SGM37601,一款六通道40V高效率LED驱动芯片。该器件可应用于平板电脑和笔记本电脑等中尺寸LCD显示屏设备。 SGM37601是一款专为显示器应用设计的高效LED驱动器,旨在为LED阵列提供稳定的背光电源。该驱动器能够支持每串最多12颗LED串联,通过峰值电流模式控制,精确调节LED串的最
FM24CL04B:4-Kbit串行F-RAM的卓越性能与应用解析 在电子工程领域,非易失性存储器的选择对于系统的性能和可靠性至关重要。今天,我们将深入探讨FM24CL04B这款4 - Kbit(512 × 8)串行(I²C)F - RAM,它凭借诸多独特的特性,在众多应用场景中展现出了强大的竞争力。 文件
数字经济时代,高速网络通信构成了连接物理世界与数字空间的大动脉。从云端算力的爆发到边缘基站的演进,再到千家万户的万兆接入,这一庞大生态对底层芯片提出了前所未有的挑战。在近日举行的ICCAD-Expo 2025上,兆易创新存储事业部市场经理莫伟鸿发表了题为“兆易创新多元产品赋能高速网络通讯全场景应用”的主题演讲,详细
作者:Laura Peters文章来源:SEMICONDUCTOR ENGINEERING每一代3D NAND闪存的存储容量都比上一代增加约30%,目前的芯片尺寸仅相当于指甲盖大小,却能存储高达2TB的数据。随着新产品发布周期从18个月缩短至12个月,芯片制造商们正不断创新,以实现如此惊人的扩展速度。作为智能手机、固态