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本文主要介绍了引线键合良率相关问题。 封装相关的键合良率问题 相关研究已系统探讨了不同封装类型对键合良率的影响,以及键合良率与引线框架夹持状态的依赖关系。研究发现,硬质陶瓷封装的键合效果最佳,而小尺寸封装的键合良率相对较差,核心原因可能是小尺寸封装难以实现稳定有效的夹持。引线框架与封装夹持状态会影响键合良率,这是行业内长期公认的结论,夹持不良的封装会通过共振(振动)导致超声能量无法集中在键合界面区
本文主要介绍了什么是单晶硅的扭晶现象。 什么是晶体扭曲? 等径生长阶段硅单晶以均匀直径生长,其生长时间占晶体生长全周期的 80% 以上,该阶段所生长的晶体直径近似相等、成分均匀、结构完整、缺陷较少,是晶体生长的主要阶段。 等径精度越高,晶体的质量越好。 然而,在拉晶实验中观察到,当提拉速度较快,等径生长的晶体没有按照圆柱形轴对称的晶格结构生长,出现扭曲生长或者螺旋生长的现象,这种现象称为晶体的“
澜起科技创始人 杨崇和 澜起科技的办公室墙上,挂着一句诗:“止为潭渊深,动作涛澜起。”这是创始人杨崇和从苏辙诗作中摘下的句子,也是公司名字的由来。 2026年春天,这家公司迎来了它的高光时刻。4月30日收盘,澜起科技A股市值锁定在2118亿元。三个月前,公司刚登陆港交所,实现“A+H”上市,首日市值就冲到2121亿港元。 鲜为人知的是,站在2100亿市值背后的掌舵者,是一位69岁的“芯片老兵”。从
进入2026年,全球半导体行业在AI算力、存储芯片国产替代与消费电子温和复苏的多重作用下,呈现出更为复杂的结构性分化。 据集微网统计数据显示,A股236家半导体上市公司在2026年第一季度交出了一份“营收普涨、利润分化”的成绩单:头部存储与AI芯片公司继续高歌猛进,而部分传统设计与封测企业则面临增收不增利的阵痛。在这场由技术迭代与库存周期共同驱动的业绩大考中,谁在真正兑现增长,谁又仍在蓄力? 从营
本文介绍了芯片设计中的版图效应。 为了降低成本和提高性能,芯片尺寸一直在不断缩小。密度的增加是通过推动器件尺寸和缩小图案尺寸来实现的。随着CMOS缩放扩展到28nm技术,晶体管不再以其宽度和长度来充分表征,而是进一步取决于其他版图几何参数和周围的邻域。因此,布局依赖效应 (LDE) 成为一个严重的问题,不容忽视。 LDE, Layout Dependent Effect 就是“版图相关效应”或“布
[ ](https://mp.weixin.qq.com/s?__biz=MzIxMDE0NTM0Nw==&mid=2649358184&idx=3&sn=83907863a30de303c57f3c565305c6bb&scene=21#wechat_redirect) 因为有AI的加成,强调AI能力的工作站出货量今年预计会增长65.2%(数据来源:IDC)。恰好
[ ](https://mp.weixin.qq.com/s?__biz=MzA5MDk2NTEwNQ==&mid=2656510277&idx=1&sn=8b196489488c2621d143b38b6eaa1b09&scene=21#wechat_redirect) 当英伟达CEO黄仁勋在2026年GTC大会上抛出"The Inference Inflecti
CH32X315采用青稞RISC-V处理器,内核支持480MHz零等待运行,高速总线外设时钟高达280MHz。芯片内置4组5Msps共48通道的高速ADC单元、5Gbps超高速USB3.0 PHY、480Mbps高速USB PHY及Type-C/PD PHY,为多通道数据采集与实时控制提供了高集成度、高性能的解决方案。 内核主频默认480MHz,性能模式下可达625MHz 四组ADC并驾齐驱
本文主要介绍了刻蚀形貌由什么决定的。 在芯片制造的纳米雕刻中,刻蚀工艺不仅仅是“挖掉”不需要的材料,更要挖出特定形状的轮廓。这些轮廓——是笔直的矩形,还是上宽下窄的正梯形,或是上窄下宽的倒梯形——直接决定了后续金属填充的质量、晶体管的性能,甚至整个芯片的良率。那么,工程师们是如何在纳米尺度上操控这些形状的呢? 一、刻蚀形貌的三种基本形态 在刻蚀工艺中,形貌通常分为三种典型形态: 矩形(各向异性)
本文主要介绍单晶硅湿法刻蚀用什么做掩膜。 在单晶硅的湿法刻蚀中,选择何种材料作为掩膜(Mask),严格取决于所使用的刻蚀液的化学成分以及刻蚀的深度与时间。 产线中最常用的掩膜材料分为硬掩膜(Hard Mask)和金属掩膜,具体分类和应用条件如下: 1. 氮化硅 :适用性最广的深层刻蚀掩膜 适用刻蚀液: 碱性刻蚀液(如 KOH、TMAH)和酸性刻蚀液(如 HNA)。 通过低压化学气相沉积(LPCV
CPU市场正迎来一轮罕见的全面涨价周期。 据ODM厂商透露,自2026年3月起,消费级CPU价格已上涨5%—10%,服务器CPU涨幅更达10%—20%。供应链消息指出,英特尔(Intel)与AMD两大巨头正在筹备第三季度的进一步涨价,而CPU平均交货周期已从此前的1—2周大幅延长至8—12周。 这一轮涨价不仅牵动着下游整机厂商的神经,更在资本市场掀起巨浪。4月24日,英特尔股价收盘暴涨23.6%,
前言: 在近日的Google Cloud Next大会上,谷歌第八代TPU不再是兼顾训练和推理的通用款,直接拆成了两款独立芯片。 这是谷歌自2016年推出第一代TPU以来,首次在硬件路线上做出如此大的调整。 从[一芯两用]到[各司其职] TPU 8t与TPU 8i没有沿用统一的架构基底,针对两类负载的核心矛盾,做了全维度的差异化设计,甚至连芯片互联的底层拓扑都完全不同。 ①TPU 8t:大规模预
4月24日,DeepSeek-V4预览版正式发布。DeepSeek自V3起便以高频迭代著称,V4的到来只是节奏延续。 但真正引发行业震动的是:华为昇腾、寒武纪、海光信息、摩尔线程、沐曦股份、百度昆仑芯、阿里平头哥、天数智芯等八家国产AI芯片厂商,在模型发布的同一天,集体完成了全链路适配与性能优化。 (图源:DeepSeek) Day 0 意味着什么? Day 0适配,是指在大模型正式发布当天,算
在2026 北京国际车展上,智能电动化早已成为新车的绝对主流,而高阶自动驾驶则是行业聚焦的核心赛道。当前整个汽车产业正处于从 L2 级辅助驾驶向 L3 级高阶自动驾驶过渡的关键节点,目前对智驾系统的讨论,大多集中在算力参数、传感器配置、场景覆盖范围等显性指标上,却往往忽略了高阶智驾落地最核心的前提 —— 功能安全。 L2 与 L3 级自动驾驶最本质的区别,是驾驶责任的转移:L2 级是驾驶员主导、系
台积电在其2026年北美技术研讨会上公布了截至2029年的通用制造技术路线图,先进制程仍在继续推进。 值得注意的是,台积电并没有急着把High-NA EUV(高数值孔径极紫外光)光刻技术放进2029年前的量产节点。作为对比,英特尔则更早导入High-NA设备。两家公司真正的差异,不只是设备选择,而是量产节奏、成本和良率风险的取舍。 近年来,台积电AI和HPC(高性能计算)已反超手机业务,在其路线
该股以880港元/股高开,较183.2港元的发行价暴涨380.35%,总市值一度达到809.3亿港元。 前一日(4月27日)的暗盘交易已提前预示了这场资本狂欢:曦智科技暗盘一度涨超360%,最终收报约794港元,涨幅超330%。 豪华股东阵容与募资投向 此次IPO,曦智科技全球发售1379.52万股H股,募资净额约25.27亿港元。其基石投资者阵容堪称横跨产业、主权财富与国际长钱的“顶配”:阿里
中国.北京,2026年4月26日 – 在2026北京国际汽车展览会期间,深圳方正微电子有限公司联合中国汽车芯片产业创新战略联盟,隆重举办“方正微电子车规主驱SiC MOSFET出货量超3000万颗里程碑暨G3平台新产品发布会”。 方正微电子总裁吴伟涛正式宣布:公司车规级主驱SiC MOSFET芯片累计出货量突破3000万颗,在新能源汽车车规主驱SiC MOSFET市场占有率超过10%。这一数字不仅
在刚刚落幕的“2026中国汽车芯片产业创新成果”评选中,圣邦微电子SGM70276xQ凭借卓越的集成能力与创新设计,从众多参评产品中脱颖而出,成功斩获“2026年度创新力汽车芯片”奖! 一颗芯片,三大核心创新 SGM70276xQ是一款高度集成的超紧凑型电源管理芯片(PMIC),集成三个降压转换器与一个高PSRR LDO,专为空间受限、性能严苛的汽车应用而生。 **💡 创新亮点一:LVBuck2输
本文将介绍体微机械、各向异性刻蚀与表面微机械的工艺图谱。 体微机械工艺 体微机械工艺作为MEMS制造中历史最为悠久的微机械工艺类型,其核心在于通过选择性刻蚀去除部分衬底以形成所需微结构,该工艺深度融合了传统微电子工艺与高度专业化的微机械加工能力。在湿法化学体微加工领域,其凭借高刻蚀速率与高选择比的优势长期占据工业应用主导地位,刻蚀过程通过光刻胶图案转印后,将衬底浸入刻蚀溶液实现未保护区域的去除,其