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半导体技术
多重曝光给良率挖了多少坑?

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本文介绍了多重曝光技术对良率的影响。 良率是决定先进制程芯片能不能卖、赚不赚钱的核心,从来不是制造端一个环节的事,从设计、光刻、架构到封装,全链路都是博弈。 摩尔定律走到下半场,拼的不是谁能做更小的晶体管,而是谁能把良率玩明白。 1. 先搞懂:良率到底是怎么算出来的 先给良率一个人话定义:一片晶圆上能通过测试的合格芯片,除以总芯片数,这个比值就是良率。 良率损失本质上就三个来源:工艺偏差、设计限制

封装载板关键材料介绍及性能特点

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本文介绍了五种封装载板的关键材料。 在芯片封装载板的生产过程中,会用到多种关键基础材料。这些材料各自承担着不同作用,共同决定了载板的硬度、耐热性、绝缘性、导电能力以及线路加工精度等关键性能。为了让大家更清晰地理解载板的结构与制造逻辑,本节将对封装载板生产中最常用的几类核心材料进行逐一讲解,帮助大家快速建立材料认知。  01 CCL板材  由日本三菱瓦斯开发,主要由树脂、玻璃纤维、铜箔组成,具有许多

芯片设计中的Standard Cell是什么?

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本文介绍了芯片设计中的标准单元。 在数字芯片设计领域,标准单元(Standard Cell)是构成复杂芯片功能的基础构件。它是指经过预先设计、优化与验证,具备特定逻辑功能且可重复使用的标准化电路模块。从基本逻辑门如与门、或门、非门,到触发器、加法器等运算单元,标准单元覆盖了数字电路的核心需求。其本质在于“标准化与可复用性”:一旦某个单元完成设计验证,便可在整个芯片设计中无限次复用,从而极大降低设计

晶体管的动力之源:IdSAT究竟由谁决定

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本文介绍了影响晶体管饱和电流的各项因素。 在芯片性能的比拼中,有一个参数几乎成了晶体管速度的代名词——饱和电流(IdSAT)。它衡量的是晶体管完全导通时,从漏极流向源极的最大电流。IdSAT越大,逻辑门的翻转就越快,芯片的主频就越高。那么,这个决定芯片“马力”的关键参数,究竟被哪些制造工艺所左右?我们从最基本的物理公式出发,一层层拆解。 一、IdSAT的“第一性原理”公式对于先进工艺中的短沟道晶

封装载板制造特殊工艺——Coreless 无芯工艺与 ETS 埋线路工艺

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本文主要讲述封装载板制造特殊工艺。 在行业通用的载板制造领域中,除了减成法(Tenting)、改良型半加成法(mSAP)、半加成法(SAP)这三种主流核心技术路线外,还包含无芯工艺(Coreless)、嵌入式线路工艺(ETS,即 Embedded Trace Substrate/Embedded Pattern Process)、无芯铜柱法工艺(Via Post Coreless)等特殊工艺。 这

薄膜应力与晶圆曲率法

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本文主要讲述薄膜应力与晶圆曲率法。 薄膜是现代微电子、光子学与微机电系统(MEMS)器件最基础的构成单元,小到芯片里的导电层、绝缘层,大到光学镜头的镀膜、MEMS传感器的微结构,都离不开薄膜材料,而这些薄膜的性能稳定性、器件使用寿命,核心都由内部的残余应力所决定。 这种应力并非微电子时代才出现的新问题,早在传统电沉积加工、光学涂层制备的年代,科研人员就已经发现薄膜应力会直接影响产品质量,经过数十

国产ARM + FPGA SoC突围,性能强悍

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对于FPGA工程师来说,ARM + FPGA芯片再熟悉不过了,是日常工作中经常使用的SoC器件,兼顾软件和逻辑开发,广泛应用于各领域。 大家之前都是用进口的ARM + FPGA SoC,而这回,终于有一款“国产”、“便宜”、“好用”的ARM + FPGA SoC了。 国产FPGA引领型企业安路科技,强势推出ARM + FPGA SoC产品DR1M90,对嵌入式工业领域来说,是一个标志性的大事件。

科技创新与产业创新深度融合 | 紫光同芯亮相2026中关村常设展

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3月25日,2026中关村论坛年会盛大启幕。紫光同芯携智能卡与安全识别领域的创新成果——全球首颗开放式架构安全芯片E450R系列、下一代eSIM安全芯片THC9E系列,精彩亮相中关村常设展-集成电路展区。 全球首颗开放式架构安全芯片E450R系列,基于RISC-V开放架构、灵活可裁剪和高度可扩展的设计理念,搭载新一代安全芯片操作系统麟铠®,实现了安全与性能的协同跃升,典型金融交易效率提升50%,已

性能进阶丨紫光同芯THM36 2.0刷新支付终端芯实力

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面向多元支付场景的融合创新趋势,紫光同芯推出全新一代安全MCU——THM36 2.0。该产品是紫光同芯基于二十多年实践经验与产业趋势深度融合的创新成果:在继承上一代产品稳定、可靠优势的基础上,对芯片关键性能进行了升级,以更高集成度、更灵活设计、更优性价比和更强安全性,为全球数字支付注入新动能。 核心亮点:更大、更多、更简、更优 相比上一代产品,THM36 2.0在关键参数与底层设计上实现了多项跨

强芯护航,安全先行:矽力杰SA32B系列MCU+SA63654 AFE

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为12V锂电BMS注入“芯”动力 矽力杰SA32B系列MCU+SA63654 AFE 高度集成  |  高安全性  |  超低功率 随着新能源汽车的快速发展,车载12V低压锂电池正逐步取代传统铅酸电池,成为整车关键系统(如助力刹车、车门控制、紧急灯光系统等)的供电核心。然而,锂电池的管理对安全性、可靠性和功耗提出了更高要求。针对这一市场痛点,矽力杰半导体推出了专为车载12V锂电池BMS量身定制的

矽力杰车规芯片“三剑客”:SA32D MCU、SA47321 PMIC、SA63122C AFE

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