飞腾腾云S5000C服务器CPU：高性能、高安全入选央企创新成果
飞腾公司的“飞腾腾云S5000C”服务器CPU入选《中央企业科技创新成果推荐目录(2024年版)》，该CPU具有高性能、高安全、高可靠等特点，适用于多种服务器场景。
半导体
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半导体技术
天玑8500/9500s发布：4nm/3nm制程带来次旗舰体验
MTK发布了两款新芯片：天玑8500和天玑9500s，分别采用4nm和3nm制程。天玑8500面向轻旗舰市场，天玑9500s则提供次旗舰体验，支持光线追踪技术和强大的AI性能。
恩智浦S32N7处理器：软件定义汽车的5纳米技术革新
恩智浦发布全新S32N7处理器系列，基于5纳米技术，旨在实现汽车核心功能的全面数字化和集中化，降低系统复杂性，并支持AI驱动的创新。
RS1432：16位2通道AD转换芯片详解
润石科技推出16位2通道AD转换芯片RS1432，支持差分输入和最高1MSPS的转换速率，适用于工业现场数据采集和仪器仪表测量设备。
三菱电机全新沟槽栅型SiC-MOSFET：降低50%功耗，助力电动汽车和可再生能源
三菱电机推出四款全新沟槽栅型SiC-MOSFET裸芯片，专为电动汽车主驱逆变器、车载充电器和可再生能源系统设计，显著降低功耗并提高性能。
BLG05T65FDL7 IGBT：助力变频冰箱高效运行的最新技术
上海贝岭推出的新一代低损耗场截止技术IGBT BLG05T65FDL7在变频冰箱中的应用，显著提升系统能效和可靠性。
SiC JFET在固态断路器中的四大优势详解
本文详细介绍了SiC JFET在固态断路器中的应用，重点讨论了其低导通电阻、小封装尺寸、高可靠性和易于使用等优势。通过对比和实际测试结果，展示了SiC JFET在电路保护系统中的重要性。
TVS二极管选型与布局：2023年最新实战指南
本文详细介绍了TVS二极管的实战选型指南和布局技巧，包括选择合适的反向击穿电压、动态电阻和钳位电压等关键参数，以及如何在电路中合理布局以最大化保护效果。
SiC JFET在固态断路器中的热插拔控制详解
本文详细介绍了SiC JFET在固态断路器中的应用，包括评估结果、热插拔控制及浪涌电流限制。通过实验数据和图表展示了SiC JFET的性能优势。
意法半导体TSZ901运放：高精度零漂移，适用于宽温环境
意法半导体推出的TSZ901运算放大器具有高精度、零漂移和10MHz增益带宽积，适用于多种高精度应用。该产品在-40°C至125°C的工作温度范围内表现出色，符合AEC-Q100标准。
功率MOSFET单脉冲雪崩能量EAS详解：测试与保护
本文详细解析了功率MOSFET器件的单脉冲雪崩能量（EAS）参数，包括其定义、重要性、测试方法及影响因素，并探讨了EAS失效模式和电路保护措施。
Wolfspeed TOLT封装650V MOSFET：AI数据中心高效散热解决方案
Wolfspeed最新推出TOLT封装650V第四代MOSFET，为AI数据中心等高要求应用提供先进的碳化硅解决方案，具备更优异的散热管理和更高的可靠性。
GCT玻璃芯技术详解：Samtec高性能互连解决方案
本文介绍了Samtec的玻璃芯技术（GCT），该技术在5G和先进数字计算领域具有广泛应用。文章详细解析了GCT的优势、应用案例及关键技术要点。
xPU-CPO光电共封芯片：2025年数据中心光互连新技术解析
燧原科技和曦智科技在2025世界人工智能大会上推出国内首款xPU-CPO光电共封芯片，采用CPO技术，实现了40%的通信密度增加，为数据中心光互连树立新标杆。
中微公司发布六大半导体设备：2025年新技术解析
中微公司在CSEAC 2025上发布了六款新的半导体设备，包括等离子体刻蚀、原子层沉积和外延设备，展示了其在高端半导体设备市场的领先地位。
全球首款2nm芯片Exynos 2600：三星最新移动SoC详解
三星宣布Exynos 2600将成为全球首款采用2nm工艺的移动SoC，该芯片已完成开发并准备量产。Exynos 2600采用1+3+6核心设计，并配备新型散热部件。
28纳米SuperFlash车规1级平台：提升汽车控制器性能与可靠性
冠捷半导体（SST）与联华电子（UMC）宣布28纳米SuperFlash®第四代车规1级平台正式投产，提供高性能和可靠性，支持汽车控制器。
班通科技推出国产PCB检测设备：铜厚测试仪和TDR阻抗测试仪详解
班通科技推出一系列国产PCB检测设备，包括铜厚测试仪、TDR阻抗测试仪和离子污染测试仪等，旨在实现对进口设备的有效替代，确保我国电子产业链的自主可控。
赛思电子SLIC芯片：高集成可定制，打破技术瓶颈
赛思电子推出的新一代SLIC芯片具备高集成、可编程和定制化特性，满足通信基建、VOIP网关等应用需求，打破国内技术瓶颈，实现高性能与量产。
分立器件静态参数详解：影响及测试方法
文章介绍了分立器件的静态参数测试及其重要性，包括栅极-发射极阈值电压、漏电流、饱和电压等，并分析了这些参数对器件性能的影响。
