AI风口下磷化铟（InP）疯涨，周期与变局将持续演进
前言： AI算力浪潮涌起的第一个关键材料瓶颈，已经出现在磷化铟身上。全球头部供应商订单已排满至2027年，全产业链库存只有3个月，创下历史最低水平。 AI需求爆发：磷化铟为何无可替代？ 2025年初，一片2英寸光通信级磷化铟（InP）衬底还只需要800美元，到2026年4月，价格已飙升至2300至2500美元，涨幅接近2倍；6英寸高端衬底更夸张，从1400美元涨到5000美元，涨幅超250%。磷
半导体
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半导体技术
浙江押注烧钱材料，湖北死磕实验室？6省“芯片路线”全解析
2026年，"十五五"规划（2026-2030年）成为各省工业政策的主战场。宽禁带半导体碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）、氧化镓（Ga₂O₃）等从"十三五"的探索期进入"十五五"的密集落地期。与五年前不同，这一轮政策不再停留于方向引导，而是伴随着真金白银的补贴、清晰的数字目标、以及明确的时间表。 一场围绕宽禁带半导体的省级竞赛，已经实质性启动。 "十五五"为什么是关键窗口 "十五五"对于宽禁带
全球功率半导体涨价潮仍将持续
全球功率半导体市场正经历新一轮供需震荡。 今年年初以来，英飞凌、德州仪器、安森美、意法半导体等龙头企业密集宣布涨价。市场分析认为，由于各地成熟制程产能纷纷满载，产能紧张状况在下半年恐只增不减。 5月7日，研究机构TrendForce集邦咨询发布的报告显示，由于台积电、三星持续削减八英寸成熟制程产能，全球八英寸产能至2027年上半年将维持负增长；而在需求端，AI服务器对电源管理、功率芯片需求正持续走
国产晶圆最大并购案：中芯国际406亿交易的“产线经济学”
当全球半导体产业的目光聚焦于台积电2nm尖端制程军备竞赛时，另一条赛道上的格局也在悄然重塑。 5月11日，上海证券交易所并购重组审核委员会2026年第5次审议会议正式通过中芯国际发行股份购买资产暨关联交易事项，一宗对价高达406.01亿元的巨额并购重组委会议通过。 此次交易的核心标的是中芯国际控股子公司 —— 中芯北方集成电路制造（北京）有限公司剩余49%的股权，交易完成后，中芯国际对中芯北方的
边缘 AI 和人形机器人，正在改变芯片厂商的角色
最近，瑞萨和英飞凌分别发布了两条和边缘 AI、人形机器人有关的消息。5月7日，瑞萨宣布完成对 Irida Labs 的收购。Irida Labs 是一家做 AI 视觉感知系统嵌入式软件的公司，业务涉及视觉 AI、模型部署和摄像头系统开发。5月11日，英飞凌启动 Startup Challenge 2026，今年关注的是人形机器人，方向包括触觉感知、环境感知、传感器融合、电机控制和交互反馈。 边缘
端侧 AI 推理三国杀
2026年的AI圈，有一个消息让全行业震动：英伟达豪掷200亿美金收购Groq，坚定押注HBM+LPU的协同路线，试图垄断从云端到边缘的全场景推理算力。而与此同时，AI行业正面临一个普遍困境——AI快用不起了！智谱、Anthropic等大模型机构密集涨价、调整计费模式，背后的核心症结，正是端侧AI推理的底层架构瓶颈。 如今，全球端侧AI推理赛道已经悄然分成了三条截然不同的路线，分别由英伟达、高通和
1024KB双BANK + M33下一代布局：800G/1.6T光模块MCU选型，N32H493如何从突围到引领？
800G/1.6T高速光模块MCU 当前800G/1.6T高速光模块MCU市场呈现“海外主导、国产突破”的竞争格局。据行业数据，2026年全球高端光模块主控芯片市场规模达10-15亿美元，国产化率不足5%。 光模块行业正在经历一场 “双向升级”： 🔸 产品端：从 400G 向 800G / 1.6T 快速演进 🔸 安全端：从“可选认证”走向“强制身份认证” MCU 作为光模块的“大脑”，既要解决当
新品 | 栅极驱动器搭配1200 V碳化硅SiC功率开关的半桥配置评估板
新品 栅极驱动器搭配1200 V碳化硅SiC 功率开关的半桥配置评估板 英飞凌EVAL-1ED3321MC12N-SIC评估板是模块化评估平台的一部分，可简化EiceDRIVER™ 1ED3321MC12N栅极驱动器与功率开关在半桥配置下的测试验证。该评估板可独立工作，也可插入EVAL-DCLINK-DPT主板，帮助设计工程师测量参数或进行双脉冲测试（DPT），并且兼容EiceDRIVER™ 1
CFET cells - FEOL、BEOL 和背面互连的介绍
本文主要讲述CFET cells。 在现代半导体技术中，随着工艺节点的不断缩小和对性能、功耗的严格要求，CFET（Complementary FET） 技术逐渐成为一个研究热点。CFET 是基于互补型场效应晶体管（CMOS）技术的创新，采用了垂直集成的结构，有效提高了集成度和性能。为了实现CFET技术的全面应用，前端工艺（FEOL）、后端工艺（BEOL）以及背面互连（Backside Interc
软基材上的引线键合技术
本文主要讲述软基材上的引线键合技术。 传统的厚膜混合电路使用陶瓷基板，键合焊盘直接在陶瓷基材上涂覆一层Au或者Ag（合金）厚膜层。与陶瓷封装上的键合相比，这不会引入更多特定问题。因此，采用最佳的冶金系统和键合程序，可以获得高良率（≤50ppm缺陷）。然而，其他塑料基材（PCB、BGA和SIP等）可能会引入重大的键合问题，这些基材是由常见的玻璃纤维或其他填料层压形成的环氧类聚合物，在其玻璃化转变温度
一颗芯片，三种“人格”：BCD技术如何融合CMOS、DMOS和BJT
本文主要讲述BCD技术如何融合CMOS、DMOS和BJT。 在电源管理芯片的世界里，有一项技术被誉为“瑞士军刀”——它就是BCD工艺。BCD这个名字，其实是三种半导体器件的缩写：Bipolar（双极型晶体管）、CMOS（互补金属氧化物半导体）和DMOS（双扩散金属氧化物半导体）。为什么要把这三种器件塞进同一颗芯片？它们各自扮演什么角色？工艺上又有什么不同？今天我们就来拆解这颗“三合一”的神奇芯片。
1024KB双BANK + M33下一代布局：800G/1.6T光模块MCU选型，N32H493如何从突围到引领？
800G/1.6T高速光模块MCU 当前800G/1.6T高速光模块MCU市场呈现“海外主导、国产突破”的竞争格局。据行业数据，2026年全球高端光模块主控芯片市场规模达10-15亿美元，国产化率不足5%。 光模块行业正在经历一场 “双向升级”： 🔸 产品端：从 400G 向 800G / 1.6T 快速演进 🔸 安全端：从“可选认证”走向“强制身份认证” MCU 作为光模块的“大脑”，既要解决当
芯片生产中的Pirun是什么？有什么作用？
本文主要讲述芯片生产中的Pirun是什么，有什么用。 Pirun的基本概念与作用 在半导体晶圆厂（Fab）中，Pirun是Pilot Run的简称，指试生产或小批量生产。具体而言，它是在正式大规模量产之前，使用少量晶圆进行的一批小规模测试生产。这一环节的核心目的，是在可控的小范围内验证工艺的稳定性，确认新的工艺流程是否能满足要求，从而在正式大批量投产前及时发现并调整问题，降低经济损失。与常规的Mo
基于互连层的2.3DIC集成
本文主要讲述基于互连层的2.3DIC集成。 基本结构 图1为高密度有机混合基板上芯粒异质集成的俯视图和截面图。它由4个主要部分组成:①含微凸点的芯片;②精细金属L/S RDL基板或有机转接板(约37um厚);③互连层(约60um厚);④HDI印制电路板(PCB)(约1mm厚)，如图2所示。 测试芯片 使用的测试芯片如图3所示。可以看到，大芯片(芯片1)的尺寸为10mm×10mm×150um，其
穿工装去相亲：SK海力士员工成婚恋圈“顶流”
韩国有个段子正在流传：2026年最抢手的相亲对象，不是医生、不是律师，而是SK海力士的员工。 社交媒体上，印着“SK Hynix”字样的工装夹克被捧为“终极相亲战袍”，韩国搞笑节目《SNL Korea》直接拍了个讽刺短片——奢侈品店员冷落衣着普通的顾客，一看对方衣服里露出海力士标志，脸色瞬间从“你是谁”切换成俯首帖耳的“海力士大人（Lord Hynix）”。 海力士员工内部还流传着另一条“社交密码
AI对内存永无止境的需求
“内存墙”一词最早出现于20世纪90年代中期，当时弗吉尼亚大学的研究人员William Wulf和Sally McKee合著了“Hitting the Memory Wall: Implications of the Obvious”(撞上内存墙：显而易见的影响)一文。该研究揭示了由于处理器速度与动态随机存取存储器(DRAM)性能之间的差距而导致的内存带宽瓶颈问题。 这些发现指出了工程师们在过
四年憋大招！AMD MI350P 杀疯，144GB 显存硬刚英伟达 H200
5月8日消息，AMD正式发布Instinct MI350P PCIe GPU加速卡，这是AMD四年来首款PCIe接口的Instinct产品，基于CDNA 4架构和台积电3nm工艺，面向企业AI推理场景，主打"即插即用"的部署体验。 MI350P本质上是MI350X的砍半版本，采用4颗XCD（MI350X为8颗），搭配1颗基于台积电6nm的IO芯片。 核心规格包括128个计算单元（8192个流处理
时光温柔，母爱无疆，航顺芯片祝天下母亲平安喜乐，福寿安康。
航顺芯片的主要产品阵列包括基于 ARM Cortex-M0、M3、M4以及 RISC-V 等内核的二十九大家族 300 余款工业 / 商业 / 车规级、通用 / 专用 / 定制化 32 位 MCU，以下是部分具体产品家族： 超低价版 HK32F001家族（极致成本杀手，性价比**之巅，堪称32位**MCU终结者） 内核及主频：基于ARM Cortex-M0内核，主频最高24MHz。 存储容量：最大
扫描电镜中二次电子掺杂衬度的物理机制
本文介绍了扫描电镜中的二次电子掺杂衬度的物理机制。 二次电子（SE）发射强度是扫描电子显微镜（SEM）进行样品形貌表征时最常使用的信号，借助现代场发射电子源与高灵敏度探测器，高端SEM已可稳定实现亚纳米级的空间分辨率。 然而，SE信号在形貌表征中的压倒性应用，长期掩盖了其对材料本征物理属性的敏感响应能力，包括功函数、电子阻止本领以及电子平均自由程等。尤其值得关注的是，相邻区域之间的功函数差异可以被
聚合物基板的材料性能对引线键合的影响
本文介绍了IC芯片中聚合物基板的键合效果优化。 研究发现，在IC芯片上的有源区内进行热超声键合的最佳聚酰亚胺具有最高的弹性模量E，弹性模量即应力除以应变且需低于弹性极限。这一材料性能与聚合物的刚性相关，因此键合过程中材料形成的凹杯或压痕也与弹性模量有关。对于各向异性材料，压缩模量能更好地反映柔软性，但拉伸模量通常是唯一可测量的模量特性。键合过程中，无支撑的焊盘和聚合物的总形变见图1，这种形变会吸收
