发布会倒计时3天|智舱进化,AI 触手可及
关于芯驰 芯驰科技是全场景智能车芯引领者,专注于提供高性能、高可靠的车规芯片,覆盖智能座舱和智能车控领域,涵盖了未来汽车电子电气架构最核心的芯片类别。 芯驰全系列芯片均已量产,出货量超*11**00*万片。芯驰目前拥有超200个定点项目,服务超过260家客户,覆盖国内90%以上主机厂及部分国际主流车企,包括上汽、奇瑞、长安、东风、一汽、日产、本田、大众、理想等。 五大认证 放芯驰骋 ·德国莱茵TÜ
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关于芯驰 芯驰科技是全场景智能车芯引领者,专注于提供高性能、高可靠的车规芯片,覆盖智能座舱和智能车控领域,涵盖了未来汽车电子电气架构最核心的芯片类别。 芯驰全系列芯片均已量产,出货量超*11**00*万片。芯驰目前拥有超200个定点项目,服务超过260家客户,覆盖国内90%以上主机厂及部分国际主流车企,包括上汽、奇瑞、长安、东风、一汽、日产、本田、大众、理想等。 五大认证 放芯驰骋 ·德国莱茵TÜ
4月15日-16日,2026第七届中国国际汽车以太网峰会(AES2026)于上海举办。在“车载网络架构创新与Serdes技术路径”分会场,瑞萨电子高性能运算产品市场应用技术部经理李高伟,发表了《赋能下一代E/E架构:瑞萨以太网TSN交换机IP解决方案》的主题演讲,系统介绍了瑞萨面向集中式E/E架构的R-Car X5H SoC与RH850 U2B24-E MCU,以及集成其中的R-Switch 3.
T2PAK封装为SiC 功率芯片带来的优势 电动汽车(EV)、可再生能源系统和人工智能数据中心等电气化进程的加速,给电力系统带来了越来越大的压力,要求更高的效率、更小的尺寸和更低的运行温度。这带来了一个始终存在的挑战:功率密度的提高和系统尺寸的缩小往往会造成严重的散热瓶颈。本文将为您分析SiC功率芯片所面临的挑战,以及安森美(onsemi)提供的T2PAK封装将为功率芯片带来哪些优势。 新型封装解
在纳米级光刻工艺中,线边缘粗糙度(Line Edge Roughness, LER)是指光刻图案边缘与理论上完美光滑边缘之间的随机偏差。显影后,光刻胶边缘在电子显微镜下呈现类似锯齿的不规则图形。与之相关的线宽粗糙度(LWR)则强调线宽沿长度方向的波动。随着特征尺寸持续缩小,LER并不会同比缩小,而工艺容差却不断收窄,这使得过去几纳米级的边缘起伏从“图形小瑕疵”转变为直接影响器件性能的关键因素。 L
本次简单介绍芯片(IC)与封装载体(Substrate)与PCB之间最主流的几种互联方式。 正面(TOP面)连接:指芯片(IC)与封装载板(Substrate)之间的连接方式,位于整个载板的上层,是芯片内部信号与封装载体交互关键位置,用于将芯片功能引出。 背面(BOT面)连接:指封装载板(Substrate)与印刷电路板(PCB)之间的连接方式,位于载板的下层,是封装后的载板与外部电路系统对接的位
IC芯片半导体工艺制造技术作为集成电路产业的核心支撑,其发展始终围绕高性能器件研发与工艺精度提升展开,形成涵盖硅片制备、氧化、光刻等关键环节的完整技术体系。 硅片制备 硅片制备作为工艺起点,以硅石与高纯度碳为原料,经高温电炉还原生成冶金级硅后,通过三氯氢硅提纯与Czochralski晶体生长法或悬浮区熔单晶生长法实现单晶硅制备。硅片加工流程包含滚切、定向、腐蚀损伤层、切片、倒角、初抛、精抛等十二道
当英伟达 Blackwell 架构以 NVLink 5 将 GPU-GPU 互联带宽推至1.8Tb/s(14.4Tbps),AI 超算正式迈入 “万亿参数级训练” 的新纪元——单颗GPU的芯片间带宽达到PCIe 5.0的35倍、Hopper NVLink 4的2倍,支撑72颗 GPU 集群每秒处理数 PB 级数据流动。但这一带宽革命并非性能的线性跃升,而是将电子系统设计推向物理极限的临界点:信号完
作为全球经济最重要的增长引擎之一,半导体和AI硬件依然是资本的宠儿,2026年第一季度,人工智能、EDA及制造领域诞生众多巨额融资,仅80家初创企业募资总额达 84亿美元。本次的统计不包括中国半导体厂商以及非半导体产业链的AI模型和基础设施公司,仅反映国外半导体初创企业融资的真实情况。 半导体初创企业的融资前景在2026开年表现强劲,共有18家企业完成超 1 亿美元的大额融资轮次,其中Rapidu
最开始紧缺的是GPU,随后是内存,而如今紧缺的矛头转向了CPU。据半导体行业分析机构Semianalysis Dylan Patel指出,GPU已不再是云厂商的瓶颈,这一角色现已转移至CPU。 受Agentic AI爆发式增长影响 此前,用于AI的GPU仅执行简单推理任务,随着新模型推出,任务形态发生根本性变化 —— Agentic AI如今被大量用于数据库调用,以及物理仿真、模拟运算等高度依赖C
近日,美国智库CSIS发布政策评论,表示美国出口管制正在从国家安全工具滑向贸易谈判筹码,催生中美“出口管制军备竞赛”,继续下去美方安全利益和经济利益都保不住。 2025年10月釜山谈判停火之后出口管制行动实质冻结,CSIS选择在这个冷却期窗口发文,可能是在下一轮升级前推动政策反思。 拜登政府2022年10月对华半导体管控是转折点:BIS对高性能计算芯片、先进半导体及相关制造设备实施单边管控,通过F
自几年前英特尔停用旧世代命名体系及 i3/i5/i7/i9 标识后,酷睿 Ultra笔记本处理器便一直是其旗舰产品线。酷睿 Ultra 第 1 代、第 2 代、第 3 代处理器均采用更新的 CPU、GPU 架构与更先进的制程工艺。 英特尔同期也推出过非Ultra版酷睿 CPU,但这类产品一直没什么亮点 —— 核心原因是第 1 代、第 2 代非 Ultra 芯片均基于英特尔老旧的Raptor Lak
SambaNova 与英特尔联合推出了一套大模型异构推理架构蓝图,标志着现代大语言模型(LLM)部署方式的重大转变。该架构不再依赖单一加速芯片,而是将推理的不同阶段分配给专用硬件: GPU 负责预填充(Prefill) SambaNova 可重构数据流处理器(RDU)负责解码(Decode) 英特尔至强 6 CPU 负责智能体工具调用与整体编排 这一设计专门应对智能体 AI 系统
在美以伊战争开启之初,很多人就开始高度关注半导体制造可能面临的氦气短缺问题。不过,最初氦气短缺问题主要集中在日本、韩国和中国台湾地区,如今随着战争进程变得越来越持久和不确定,氦气短缺问题很可能将影响中国半导体制造产业。考虑到中国大陆在2026年将拥有全球超过25%的半导体产能(SEMI最新预测数据),成为全球第一大制造产能所在地,氦气短缺问题将严重影响中国大陆晶圆制造能力的扩张。 全球半导体行业正
引言:边缘AI涉及的问题不仅是算力芯片,还与存储、设计工具、测试等方方面面有关… AI从数据中心走向边缘、端侧的原因这两年探讨得够多了,包括数据中心资源限制(与海量IoT设备与数据涌入的矛盾)、部分应用的低延迟或实时决策需求、隐私与安全性、AI应用的个性化要求等;与此同时,随着AI全栈技术的发展,边缘或端侧AI也正走向成熟——无论是硬件还是包括AI模型在内的软件。 前不久IIC Shanghai
引言:最近Intel发布了用于游戏本的酷睿Ultra 200HX Plus系列处理器,只不过重点似乎不在芯片本身… 前不久,Intel发布了面向台式机的Arrow Lake-S Refresh处理器,也就是酷睿Ultra 200S Plus系列——电子工程专辑也做了此系列处理器的实机体验。 按照惯例,沿用台式机CPU方案、面向高性能游戏本或移动工作站的Arrow Lake-HX Refresh
当地时间4月15日,特斯拉CEO马斯克在个人社交平台宣布,特斯拉芯片设计团队成功完成了下一代 AI5 自动驾驶芯片的流片,AI6、Dojo 3 和其他芯片正在研发之中。 在评论区中,马斯克同时点名感谢了三星和台积电。三星提供更具弹性的产能支撑和成本空间;台积电则提供先进制程能力,保证性能上限。 值得注意的是,马斯克发布的芯片照片上刻有“KR2613”字样。这个字样说明,这颗芯片于2026年第1
前言: 过去三年,HBM始终是半导体行业的绝对顶流,但进入2026年,SOCAMM2正在以远超行业预期的速度升温,热度甚至盖过了处于产能爬坡期的HBM4。 SOCAMM2成为AI存储的补位者 SOCAMM2的全称是Small Outline Compression Attached Memory Module 2,即第二代小外形压缩附着内存模块,是JEDEC固态技术协会正在推进最终落地的新一代企
近日,特斯拉CEO埃隆·马斯克在社交平台X上宣布,特斯拉芯片设计团队已成功完成下一代AI5自动驾驶芯片的流片。这不仅是特斯拉在自研芯片道路上的关键里程碑,更标志着马斯克构建“AI芯片帝国”的野心已从蓝图走向现实。 流片(Tape-out)是芯片设计完成的最终标志,意味着设计方案已完全定型,正式交付代工厂进行样片制造。马斯克坦言:“解决AI5芯片问题对特斯拉来说至关重要”,为此他甚至连续几个月在周六
IDC最新报告,揭示中国AI芯片市场新变局。 即将发布的国产大模型之光DeepSeek V4被曝首次预先适配华为等国产芯片厂商,未提前与海外GPU进行测试优化。 国产算力与英伟达正面交锋已是必然趋势,根据我们看到的最新IDC报告:2025年中国市场,国产AI芯片出货量达165万块,占比高达41%,国产AI芯片首次突破40%大关,正以强劲势头逐步打破英伟达的长期垄断。 ▲2025年中国市场AI芯片
在硅管一统天下的今天,锗点接触二极管早就成了电子圈的“老古董”。 最近看到一组照片,是关于苏联新西伯利亚半导体厂的锗点接触二极管,型号为Д2Ж(D2ZH)。 以下照片来自德国Richi实验室。 这枚冷战时期的老管子,内部结构比想象中更有讲究。 先简单认认这枚管子。Д2Ж,转写过来就是D2ZH或者D2Ž,是前苏联新西伯利亚半导体厂量产的锗点接触检波二极管,属于经典的D2系列。 这个系列一共分7个