区域控制器手册 | 电源、栅极驱动器、控制和保护方案全解
区域控制器手册详细介绍了一款面向低压配电场景（单区典型功率 10W–3kW）、适配 12V 与 48V 车载电网的汽车区域控制器系统。 内容围绕低压电池或高压转低压 DC/DC→保护→稳压→区域配电→负载的核心配电链路展开，既涵盖降压型 DC/DC、LDO、跟踪型 LDO 及 48V 电网直供型 LDO 等多种电源调节方案，也包含栅极驱动器、集成式多通道驱动器、基于 SmartFET 的开关电路等
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如何为图像传感器选择合适的电源方案
图源：Freepik 自动驾驶汽车 自动驾驶汽车是如何识别停车标志的？这主要依赖于图像传感器对现场画面的精准捕捉，以及软件算法对停车标志形状和文字特征的智能识别。这种基础能力也广泛应用于多种场景，从视频会议和移动设备，到用于工厂生产线产品检测的机器视觉系统。 如今，图像传感器已设计用于各种专门应用。尽管这些应用千差万别，但在硬件方面，图像传感器始终面临着一个共同挑战：它们对供电条件的要求极为苛刻
3kW PSU设计总卡壳？安富利模拟电源供应器方案解决痛点！
伴随AI服务器算力持续跃升、超大规模数据中心加速落地、新能源产业技术深度迭代，全球市场对高效率、高功率密度电源产品的需求，正迎来前所未有的爆发式增长。国际能源署（IEA）报告预测，到2030年，全球数据中心电力需求将实现翻倍以上增长，总量将达约945太瓦时（TWh），规模已略超日本当前全年用电总量。电源系统作为电子设备的核心动力单元，其功率上限与集成密度的综合性能，已成为决定终端产品核心竞争力的关
安森美SiC Combo JFET赋能SSCB固态断路器革新
作为全球领先的技术分销商和解决方案提供商，安富利始终紧跟前沿技术趋势，深度聚焦客户实际应用痛点，本文将结合安富利的合作伙伴安森美在宽禁带半导体领域的创新技术与解决方案，分析固态断路器（SSCB）设计的关键技术路径，助力行业应对电力系统升级背后的安全与效能双重考验。 随着新能源、数据中心、工业配电向高压、高密度、高可靠演进，传统机械断路器的速度、寿命与智能化瓶颈日益凸显。固态断路器凭借全电子开关实
碳化硅赋能浪潮教程：利用 SiC CJFET替代超结 MOSFET
碳化硅（SiC）凭借其优异的材料特性，在服务器、工业电源等关键领域掀起技术变革浪潮。本教程聚焦 SiC 尤其是 SiC JFET 系列器件，从碳化硅如何重构电源设计逻辑出发，剖析其在工业与服务器电源场景的应用价值。 本文将介绍利用 SiC CJFET替代超结 MOSFET以及开关电源应用。 1 利用 SiC CJFET替代超结 MOSFET 安森美与竞品对比 本表对比了安森美（onsemi） El
碳化硅赋能浪潮教程：替代Si 和SiC MOSFET的方案
碳化硅（SiC）凭借其优异的材料特性，在服务器、工业电源等关键领域掀起技术变革浪潮。本教程聚焦 SiC 尤其是 SiC JFET 系列器件，从碳化硅如何重构电源设计逻辑出发，剖析其在工业与服务器电源场景的应用价值。 本文为第二篇，将介绍三种替代 Si 和 SiC MOSFET的方案 SiC JFET、SiC Combo JFET、SiC Cascode JFET、SiC MOSFET的核心要点 S
碳化硅赋能浪潮教程：SiC Cascode JFET与SiC Combo JFET深度解析
碳化硅（SiC）凭借其优异的材料特性，在服务器、工业电源等关键领域掀起技术变革浪潮。本教程聚焦 SiC 尤其是 SiC JFET 系列器件，从碳化硅如何重构电源设计逻辑出发，剖析其在工业与服务器电源场景的应用价值。 本文为第三篇，将介绍SiC Cascode JFET的动态特性、SiC Combo JFET的应用灵活性。 SiC CJFET: 性价比优势 对于当前市场上任意给定的半导体封装，CJF