光刻胶：从光学成像到化学放大的图形转化过程
本文将介绍芯片制造的光刻胶。 光刻胶 很多人将光刻简单理解为“用光把图案印到硅片上”，但从材料角度来看，曝光仅仅只是第一步。曝光后的光场进入光刻胶内部后，会在胶层中发生吸收、散射与能量衰减，并诱导光敏组分发生化学变化，形成所谓的“潜像”。这种潜像并不是肉眼可见的结构，而是一种曝光区与未曝光区之间的化学差异。只有经过后续曝光后烘烤（PEB）与显影处理后，这种化学潜像才会真正转变为具有实际形貌的微纳图
标签专题 · 共 8 篇文章
# 光刻胶
关于「光刻胶」的技术文章、设计资料与工程师讨论，持续更新。
8
篇文章
25
人关注
415
次浏览
光刻中的rework：什么情况下需要返工，能返几次？
光刻返工是芯片制造中补救涂胶、显影等异常的关键流程，通过去胶、清洗、重新涂胶三步实现。但返工并非无损，每操作一次都会损伤晶圆，先进工艺通常限2次以内，以平衡良率、成本与质量。 在芯片制造的光刻工艺中，谁也无法保证每一次涂胶、曝光、显影都完美无缺。当出现异常时，工程师并不会直接报废整片晶圆——只要条件允许，他们会启动光刻返工流程，把晶圆“洗干净”重新来过。这就像写错字的草稿纸，用橡皮擦掉重写。但这颗
光刻胶新军冲 IPO！瞄准卡脖子材料，对标日美巨头
2026年4月，证监会官网显示，阜阳欣奕华新材料正式启动科创板上市辅导。 当前全球光刻胶市场被海外企业技术垄断，技术代差、配方壁垒、制程管控成为国产最大拦路虎，本文从核心技术差异、海外竞品技术软肋、欣奕华技术破局路径三大硬核维度，拆解国产光刻胶如何靠技术实现逆势突围。 | 光刻胶硬核量产级突破 欣奕华材2013年入局光刻胶赛道，始终聚焦材料核心底层技术，放弃低端光刻胶同质化内卷，形成显示光刻胶成
激光直写光刻技术介绍
本文将详细介绍激光直写光刻技术。 激光直写光刻技术是一种利用曝光强度可控的激光束对光刻胶进行曝光，经显影后获得期望形貌三维微结构的无掩模光刻技术。该技术通过计算机对激光的曝光位置与强度进行数字化控制，实现对光刻胶的变剂量曝光，因此具有很高的制造灵活性。 与传统的投影光刻机相比，激光直写无需掩模板，甚至可直接用于生产掩模板。以激光为能量源的直写设备称为laser writer。从性价比看，激光直写适
日本光刻胶供应链因关键溶剂短缺告急！
伊朗战争的余波，正通过复杂的化工产业链条，演变为半导体材料领域的新爆发点。 4月24日消息，据多位业内人士透露，日本主要的光刻材料供应商已开始向其韩国客户，包括三星电子和SK海力士，通报关键原材料的采购中断情况。这场危机的核心，是两种看似不起眼却至关重要的溶剂——丙二醇甲醚（PGME）和丙二醇甲醚乙酸酯（PGMEA）的严重短缺。 PGME和PGMEA是电子材料领域应用极为广泛的溶剂，其作用类似于
光刻工艺中的LER是什么？
在纳米级光刻工艺中，线边缘粗糙度（Line Edge Roughness, LER）是指光刻图案边缘与理论上完美光滑边缘之间的随机偏差。显影后，光刻胶边缘在电子显微镜下呈现类似锯齿的不规则图形。与之相关的线宽粗糙度（LWR）则强调线宽沿长度方向的波动。随着特征尺寸持续缩小，LER并不会同比缩小，而工艺容差却不断收窄，这使得过去几纳米级的边缘起伏从“图形小瑕疵”转变为直接影响器件性能的关键因素。 L
突发！日本地震，半导体告急
当地时间4月20日16时53分许，日本三陆近海发生7.5级地震，震级后续已上调。 距离震中700公里的东京，有明显震感。 图1 本次地震位置示意图（震级随后上调到7.5） 因震中附近有多个核电站及核燃料处理工厂，日本气象厅紧急发布海啸警报和注意警报，要求相关地区民众立即避难。 海啸警报区域预计浪高3米，涉及岩手县、青森县沿岸等；海啸注意警报区域预计浪高1米，涉及宫城县、福岛县等。 此次地震对半导体
日本突发强震 半导体供应链告急预警
当地时间20日16时53分许，日本三陆近海发生7.5级地震，距离震中700公里的东京有明显震感。震中附近有多个核电站及核燃料处理工厂，日本气象厅当地时间20日发布了海啸警报和海啸注意警报，要求相关地区民众立即避难逃生。发布海啸警报的沿岸地区如下，预计浪高3米：岩手县、青森县沿岸、北海道太平洋沿岸中部。发布海啸注意警报的沿岸地区如下，预计浪高1米：宫城县、北海道太平洋沿岸东部、北海道太平洋沿岸西部、