Eulitha加速交付先进光刻系统，助力AI数据中心DFB激光器生产

本文介绍了算力互联迈入光时代，磷化铟的价值与发展。 随着全球AI基础设施持续扩容，算力集群内部的数据交互规模随之持续攀升，传统铜缆互联在带宽上限、传输功耗与信号衰减层面的物理约束不断凸显。传统铜缆电互连在应对800G及更高数据传输速率时已逼近其物理极限，英伟达创始人黄仁勋在今年3月的GPU技术大会上明确指出，当芯片间通信速率提升至1.8TB/s，铜线传输距离急剧缩短，已触及性能边界。 数据中心由铜

AI与高性能计算推动数据移动需求，硅光子、近封装光学和共封装光学成为下一代数据中心关键技术。从器件创新转向量产，测试成为制造战略核心。文章探讨了精密光学对准、电气与光学测试并行以及生态系统协作等规模化测试新要求。

面向AI数据中心光互连，东京科学大学等展示内置电光均衡器的慢光硅调制器，320µm器件实现140Gb/s OOK、26fJ/bit；PAM4无DSP达180Gb/s，低复杂度11抽头均衡器下达200Gb/s。

AI算力的边界在哪里？过去两年，AI大模型的军备竞赛让全球科技巨头疯狂抢购GPU。然而，英伟达CEO黄仁勋却不止一次指出：“未来十年，算力的天花板将由光传输效率决定。”这句话道出了一个被市场长期忽略的真相——即便你手握百万张GPU，如果数据在它们之间的流转速度跟不上，庞大的算力集群不过是一堆昂贵的电子砖头。AI基础设施的内部革命，正悄然转向一个更底层、更隐秘的战场。在这个战场上，一种名为磷化铟（I

天眼查一则不太起眼的工商变更信息引起笔者的关注。 弥尔光半导体（北京）有限公司成立仅5年，近期完成了关键工商变更——新增华为旗下深圳哈勃科技投资合伙企业、苏州未来科技企业服务合伙企业等股东，注册资本由约515.5万元增至约551.4万元。从投资阵容来看，产业与财务属性兼备：华为哈勃的入局，是其围绕光通信与AI算力产业链的一次精准卡位，旨在强化上游核心器件的自主可控能力；而信科资本、元禾控股等机构则

弥尔光半导体（北京）完成工商变更。华为哈勃等机构正式入股成为股东。公司注册资本完成上调，顺利拿下天使轮融资。 企业2021年成立，主攻磷化铟高速光芯片。 主营单载流子光探测器，适配多款高端通信设备。 产品多用于高速光模块、6G基站与AI数据中心。 企业立志打破海外光芯片领域技术垄断。 本轮投资方涵盖产业资本与专业投资机构。 华为入股补齐光通信上游核心器件布局。 助力相关产业实现自主可控发展。 其余

近日，天眼查App显示，弥尔光半导体（北京）有限公司完成关键工商变更，新增华为旗下深圳哈勃科技投资合伙企业（有限合伙）、苏州未来科技企业服务合伙企业（有限合伙）等为股东，注册资本由约515.5万元增至约551.4万元。这标志着弥尔光半导体顺利完成天使轮融资，产业资本与头部科技企业同步入局。 本轮融资的投资方阵容兼具产业与财务属性。除华为哈勃外，还包括信科资本、元禾控股及其他业界领先产业方。 从资

2026 年 7 月 2 日，北京通美晶体技术股份有限公司终止 IPO 注册流程。自 2022 年 8 月递交注册材料起，公司在证监会注册队列停留近四年，被市场冠以 “注册钉子户” 的标签。 四年，恰好是磷化铟从边缘小众材料升级为光通信核心战略原材料的一个完整产业周期。北京通美的主营业务就是Ⅲ-Ⅴ族衬底，它全程置身于资本市场门外，却踩中了行业需求爆发的上行窗口。剥离IPO的资本视角，这段产业变

AI 算力集群从万卡迈向十万卡，光模块单通道速率从 200G 冲刺 400G，2026 年 8 月铌奥光电完成数亿元 B 轮融资，放在产业大背景下并不算意外。 资本市场已经疯狂押注薄膜铌酸锂（TFLN），但热闹的融资新闻之下，一个现实问题被掩盖：TFLN 走出实验室、真正落地晶圆大规模制造，产业到底走到哪一步？资本追捧的泡沫之下，还有多少未被摊开的工程难题？ | TFLN被推到台前 TFLN突然

4月12日，“四川——清华校地合作创新发展大会”在成都举行。会议期间，基本半导体成功签约“SST直流供电技术全产业链研究平台”和“AIDC直流配电系统产业链”两大合作项目。 大会由清华大学、四川省委组织部、四川省教育厅、四川省科学技术厅共同主办，旨在持续深化省校战略合作，推动教育科技人才一体发展。大会现场，一批清华大学教授团队、校友企业重点项目，以及清华四川能源互联网研究院重点引进企业及平台项目完

两家公司周三在一份联合新闻稿中表示，这些工厂将创造至少 3000 个就业岗位，并将康宁在美国的光学制造能力提高10 倍。 财务条款未予披露。消息公布后，康宁股价飙升17%，英伟达股价上涨约2%。 根据协议，英伟达有权向康宁公司投资至多27亿美元。英伟达将获得认股权证，可以每股180美元的价格购买至多1500万股康宁普通股，该价格高于周二162.10美元的收盘价，但低于股价上涨后的价格。 此外，

本文主要介绍了什么是Teflon（特氟龙）。 Teflon是什么？ Teflon是聚四氟乙烯（PTFE，Polytetrafluoroethylene）的商品名，由美国杜邦公司（DuPont）注册，现在已经成为这类材料的通用叫法。 化学结构非常简单： 碳链骨架，所有氢原子被氟原子完全取代，这是它一切特性的根源。 Teflon中文俗名有哪些？ | 叫法 | 使用场景 | | 特氟龙 | 最通用，在

本文介绍了直拉单晶硅的基本制备技术及方法。 单晶硅的制造技术主要存在两种方法，分别为区熔法（FZ 法）和直拉法（CZ法）。 悬浮区熔法（FZ 法）是一种用于生产单晶硅的工艺技术，其核心在于通过熔融区域定向结晶实现晶体生长。在设备构造方面，炉体内上部通过刚性支撑结构固定高纯度多晶硅棒，底部区域配置高频感应线圈作为主要热源。该线圈通过电磁感应原理产生高温，配合特制耐火材料构筑的恒温环境，形成稳定的热力

本文介绍了光刻过程中的PEB工艺。 在半导体光刻工艺中，曝光后烘烤（Post-Exposure Bake，简称PEB）是一个位于曝光之后、显影之前的关键步骤。它通过在精确控温条件下对已曝光的晶圆进行加热，激活并完成光刻胶内的化学反应，从而将曝光阶段形成的“潜影”转化为具有清晰轮廓的物理图形。PEB的精确性和稳定性直接决定了光刻工艺的线宽控制能力、分辨率与良率。 PEB的定义与工艺位置 PEB是光刻

SC-2是RCA清洗中的关键步骤，专用于去除晶圆表面的碱金属与重金属离子。它利用HCl与H₂O₂的强氧化与络合作用，消除SC-1清洗后残留的金属氢氧化物沉淀，并生成保护性氧化层。 SC-2是RCA清洗体系中的第二道清洗液，全称是Standard Clean 2，由美国RCA公司的Werner Kern在1970年发明，至今仍是半导体晶圆清洗的行业标准。 标准配方（体积比）： HCl:H2O2:H

本文介绍了SC-1清洗液。 SC-1 (Standard Clean 1)，全称为标准清洗液一号，通常也叫做 APM (Ammonia Peroxide Mixture)。它是半导体制造中最著名、应用最广泛的清洗配方——RCA 清洗工艺的核心组成部分（由美国无线电公司 RCA 的 Werner Kern 于 1965 年发明）。 SC-1 的配方组成 SC-1 的经典化学配比是： 氨水 (NH3

光刻返工是芯片制造中补救涂胶、显影等异常的关键流程，通过去胶、清洗、重新涂胶三步实现。但返工并非无损，每操作一次都会损伤晶圆，先进工艺通常限2次以内，以平衡良率、成本与质量。 在芯片制造的光刻工艺中，谁也无法保证每一次涂胶、曝光、显影都完美无缺。当出现异常时，工程师并不会直接报废整片晶圆——只要条件允许，他们会启动光刻返工流程，把晶圆“洗干净”重新来过。这就像写错字的草稿纸，用橡皮擦掉重写。但这颗

DRAM 技术正从 10nm 级向更先进节点迈进。为满足 AI 等高算力需求，电容器、晶体管与位单元架构迎来创新，同时外围电路面临热稳定性、多样化性能与成本控制的多重挑战。 几十年来，计算架构一直依赖动态随机存取存储器（DRAM）作为其主内存，提供处理单元检索数据和程序代码所需的临时存储空间。高速运行、高集成密度、高性价比以及卓越的可靠性，促成 DRAM 技术在众多电子设备中的广泛应用。 DRA

水对人类、生态系统以及半导体生产都至关重要。每年，恩智浦的制造工厂大约使用120亿升水。2022年，我们启动了一项雄心勃勃的计划，旨在回收更多水资源并减轻对当地供水的压力。去年，我们提前两年实现了原定于2027年达成的目标——回收制造过程中60%的废水。 水在芯片制造中的关键作用 芯片是现代世界的基石。从智能手机、汽车到医疗设备和可再生能源系统，一切的核心都离不开它。然而，芯片制造是一个耗水量巨大

本文将介绍芯片制造的刻蚀工艺中的原子层蚀刻（Atomic Layer Etching, ALE）。 ALE工艺概述 随着半导体技术的发展，先进芯片的关键尺寸不断缩小，甚至要求具有复杂的三维结构，如FinFET和3D NAND闪存。这些技术的发展对刻蚀工艺提出了极高的要求，特别是在选择比和精度方面。纳米级器件结构对工艺尺寸误差的要求非常严格，一般约为其自身尺寸的10%。例如，宽度为5纳米(nm)的晶