联想入局光芯片,不是硅光、磷化铟,而是TFLN

来源:是说芯语 产业分析 2 次阅读
摘要:AI 算力集群从万卡迈向十万卡,光模块单通道速率从 200G 冲刺 400G,2026 年 8 月铌奥光电完成数亿元 B 轮融资,放在产业大背景下并不算意外。 资本市场已经疯狂押注薄膜铌酸锂(TFLN),但热闹的融资新闻之下,一个现实问题被掩盖:TFLN 走出实验室、真正落地晶圆大规模制造,产业到底走到哪一步?资本追捧的泡沫之下,还有多少未被摊开的工程难题? | TFLN被推到台前 TFLN突然

AI 算力集群从万卡迈向十万卡,光模块单通道速率从 200G 冲刺 400G,2026 年 8 月铌奥光电完成数亿元 B 轮融资,放在产业大背景下并不算意外。

资本市场已经疯狂押注薄膜铌酸锂(TFLN),但热闹的融资新闻之下,一个现实问题被掩盖:TFLN 走出实验室、真正落地晶圆大规模制造,产业到底走到哪一步?资本追捧的泡沫之下,还有多少未被摊开的工程难题?

| TFLN被推到台前

TFLN突然成为产业链“暴风眼”,根源在于AI算力爆发对光模块需求的刚性拉动。大模型训练集群从万卡走向十万卡,GPU与光模块配比从1:3.5升至1:5。2026年全球1.6T光模块需求预计达2500万只,而3.2T光模块的单通道调制速率需达到400G——硅光带宽上限约60GHz、磷化铟方案功耗高且线性度差,传统路线纷纷触顶。

TFLN的物理参数确实碾压式领先:商用带宽≥110GHz,实验室突破170GHz,是硅光的约3倍;驱动电压<2V,功耗较磷化铟降低约50%、较硅光降低约30%。材料体系将取代封装工艺,成为下一轮竞争的胜负手。

但参数领先不等于商业落地。2026年被业界定义为TFLN规模化商用元年,而产业界必须回答的问题是:从“性能突破”到“工程跨越”,这条路有多长?

| 泼冷水

在第八届硅光产业大会上,飞思灵微电子首席专家曹权直言不讳地列出了TFLN的七重工程挑战:

尺寸问题。为获得低驱动电压和低功耗,TFLN调制器在相干应用场景下典型长度在10毫米以上,远超硅光3-5毫米的尺寸。

驱动方式不匹配。学术界普遍采用单端驱动,但工程上更倾向于差分驱动以抑制串扰并适配DSP,目前差分方案尚不成熟。

功能偏科。TFLN仅擅长发射端,在相干应用中的混频器、平衡PD,以及在CPO中的收发集成等方面仍有短板。

封装与集成不成熟。大模场耦合、Flip Chip倒装焊、TSV硅通孔等工艺远不如硅光成熟。

可靠性风险。热稳定性问题、长期工作可靠性及水汽环境下的耐受性均未充分验证。

量产能力未经考验。目前以6英寸晶圆为主,良率、可预测的产能和稳定供应链远未达硅光8英寸大规模量产的水平。

成本预期不清晰。根据烽火通信产业模型推演,曹权算了一笔账:当前若TFLN调制器尺寸为硅光2倍、良率仅20%,芯片成本约为硅光的7倍;即便理想状态下尺寸做到与硅光相同、良率达80%,裸芯片价格可降至硅光的七成——但硅光正向12寸产线演进,成本预计再降45%以上,而TFLN从6寸到8寸成本仅降约14%。

曹权的结论很直白:“对薄膜铌酸锂来说,在七重工程难题之中,最核心、决定商业化成败的两大瓶颈是减小尺寸、提高良率;驱动适配、封装集成、可靠性等难题也需要同步攻克。”

| 谁量产,谁讲故事?

TFLN赛道的全球竞争格局正在加速成型。

海外方面,美国 HyperLight 是跑得最快的选手。2026 年 3 月,HyperLight 与联电正式宣布打通 8 英寸 TFLN 晶圆代工工艺,晶圆材料良率超过 95%,器件芯片良率尚未公开披露。公司已完成 8000 万美元 C 轮融资,由联发科领投,深度绑定英伟达。HyperLight 还推出了每通道 400G 的 TFLN 光子集成电路。欧洲方面,CCRAFT 运营 150 毫米专用代工线,LIGENTEC 与 X‑FAB 推进 200 毫米异质集成。

国内方面,产业链各环节的进度参差不齐。上游材料端,济南晶正在 2023 年占据全球约 78% 的薄膜铌酸锂薄片晶圆供应,天通股份 8 英寸铌酸锂晶圆已量产。中游器件端,光库科技是进度最靠前的 ——2025 年营收 14.74 亿元,同比增长 47.56%,铌酸锂高速调制器项目已转固,部分体材料调制器实现大规模出货,薄膜调制器实现小批量验证出货。光模块端,中际旭创 1.6T 光模块已进入量产,3.2T 正在研发测试中。

但行业人士也指出,当前 TFLN 晶圆级芯片良率仅 40%‑50%,导致单颗成本高于硅光。从 “小片科研工艺” 转向 “CMOS 式规模制造”,国内企业还有不小的距离要赶。整体行业当前仍处于技术验证、小批量送样阶段,大规模商业订单尚未爆发。

| 红利吃到了?

TFLN产业链的利润分配并不均匀。

上游材料环节,天通股份是国内少数能批量供应高端铌酸锂晶圆的企业。但铌酸锂晶体的源头材料——五氧化二铌——全球90%以上的产量和储量集中在巴西,国内能少量生产的仅东方钽业一家。设备端的高能离子注入机、光刻机也全部依赖进口。

中游器件环节,光库科技的模式很有代表性:2020年收购海外铌酸锂调制器资产解决技术入口,随后成立光子集成团队延伸至薄膜芯片,2025年再收购武汉捷普补足封装与交付能力。薄膜铌酸锂的竞争覆盖设计、制程、封装、测试和客户验证,任何一环掉队都会影响商业化。

下游需求端高度集中——旭创是最大的客户,占到50%以上;新易盛和博通合计约40%。这意味着TFLN厂商的客户导入能力,与芯片性能同等重要。

| B轮,意味着啥?

回到铌奥光电的 B 轮融资。在 TFLN 赛道从 “性能突破” 走向 “工程跨越” 的关键窗口期,这笔钱投向的是大规模量产和下一代 AI 光互联技术开发 —— 这正是行业最需要的、也最难啃的硬骨头。

但行业需要清醒地认识到:TFLN 与硅光、磷化铟并非简单的替代关系。硅光主打中短距离大规模跑量;磷化铟承担激光器发光,同时也可实现高速调制;TFLN 主打超高带宽长距离场景冲高。在 3.2T 长距离场景,TFLN 是优选;在短距离场景,硅光仍具性价比优势。考虑到纯TFLN单片芯片短期内降本困难,产业界正在寻求折中方案:将TFLN裸芯片以Die Level键合到成熟的12寸硅光晶圆上。这种异质集成路线,被认为是兼顾性能提升与成本控制的现实路径。

产业拐点已到,但利润只认量产。TFLN 厂商接下来要回答的问题不是 “带宽能做到多少”,而是 “良率能到多少、成本能降到多少、客户什么时候批量下单”。铌奥光电的 B 轮融资,为这条赛道注入了新的弹药;而真正的考验,才刚刚开始。

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