英飞凌展示业界首个在300毫米碳化硅晶圆上加工而成的功能性功率器件。该技术突破凸显了英飞凌在功率半导体和宽禁带技术领域的创新实力与领先地位。300毫米碳化硅工艺的可行性，为面向汽车、可再生能源、工业和AI数据中心应用客户提供了可靠、面向未来的碳化硅供应基础。英飞凌将在2026年11月10日于慕尼黑开幕的electronica展会上，首次向公众展示已加工完成的首片300毫米碳化硅晶圆。
德国慕尼黑——2026年11月9日——英飞凌科技股份公司（FSE: IFX / OTCQX: IFNNY）已成功在其位于奥地利菲拉赫的工厂，将300毫米碳化硅晶圆加工成功能性功率器件。英飞凌是首家在完整半导体工厂环境中开创这一创新里程碑的公司。该成果通过利用现有硅制造设备实现。这一功能性功率器件的早期实现，反映了英飞凌致力于为客户提供全面的高性能碳化硅功率半导体产品组合，并确保长期供应。基于300毫米晶圆的芯片制造在技术上比200毫米晶圆更先进，效率也显著提升，因为更大的晶圆直径使每片晶圆可多产出2.3倍芯片。
“这一技术里程碑进一步巩固了我们在功率系统领域的领先地位。祝贺并感谢我们充满热情的团队取得重大进展，将300毫米碳化硅从实验室带入制造环境。”英飞凌科技首席执行官Jochen Hanebeck表示，“功率半导体的领先地位意味着不断将技术推向新的高度。凭借硅、氮化镓以及如今的300毫米碳化硅晶圆，我们处于扩大半导体制造规模并推动盈利性增长的领先地位。”
这一里程碑展示了未来在300毫米晶圆上全面工业化碳化硅的潜力。英飞凌将与客户和合作伙伴密切合作，规划300毫米碳化硅技术和量产时间，同时继续推进其200毫米碳化硅制造路线图。先进的碳化硅功率技术为英飞凌客户提供了面向汽车、可再生能源、工业和AI数据中心应用的高性价比且可靠的供应基础。
碳化硅是实现高效功率转换的关键半导体材料。其材料特性能够降低功率损耗、提高功率密度，并在高电压和高温度下实现高效运行，例如应用于牵引逆变器、车载充电器、电动汽车充电桩、大规模储能和工业驱动，以及不间断电源。随着碳化硅在固态变压器、断路器和电源单元等新角色中的应用，AI数据中心的需求也在上升。英飞凌以广泛的CoolSiC™产品组合服务于这些应用。
与此同时，英飞凌还在其德国德累斯顿工厂成功验证了Cold Split技术在300毫米碳化硅上的可行性。与传统线锯切割相比，Cold Split以更少的材料损失和显著缩短的处理时间将晶圆从碳化硅晶锭中分离，因此可从同一晶体中获得更多晶圆，同时资本支出更低。这两项进展使英飞凌能够根据市场需求扩展碳化硅技术，并满足客户不断变化的需求。
英飞凌基于所有三种相关材料制造半导体：硅、碳化硅和氮化镓。2026年10月27日，公司宣布将在菲拉赫投资约11亿欧元，建设一座采用300毫米晶圆生产氮化镓功率半导体的量产工厂。这一碳化硅成果将该方法扩展到第二种宽禁带材料，并巩固了英飞凌作为半导体制造创新领导者的地位。
英飞凌亮相2026年electronica展会
英飞凌将在慕尼黑electronica展会上向公众展示全球首片已加工的300毫米碳化硅晶圆。11月10日至13日，英飞凌将在C3展馆502展位展示面向日益智能化和互联化世界的创新且高能效的解决方案。更多信息请访问 www.infineon.com/electronica。
来源: 海外媒体
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