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马斯克Terafab目标2032年后月产100万片晶圆

核心导读 特斯拉与SpaceX合资公司Terafab向设备商表示,目标2032年后实现月产100万片晶圆,其中约70万片用于存储芯片,超30万片用于逻辑芯片,并已向日本设备商提出数月内交付需求。

据海外媒体报道,马斯克旗下特斯拉与SpaceX的合资公司Terafab已非正式告知设备制造商,其目标是在2032年后实现每月100万片晶圆产能。其中约70%即70万片晶圆计划用于存储芯片,另有超过30万片用于逻辑芯片。Terafab采购团队已前往日本,要求部分当地设备厂商在数月内交付。如果这些产能全部用于DRAM,其规模可与三星估计的DRAM产能相当。

去年三星DRAM产能估计为每月65万至70万片晶圆,SK海力士据称约为每月55万片,并计划到2030年实现每月100万片目标。这一对比需要结合具体背景来看,因为Terafab的70万片是其全部预期存储芯片产能,可能包括NAND或DRAM,而三星和SK海力士的数据仅衡量DRAM。

马斯克3月宣布该计划时,业内不少人持怀疑态度,但如今订单正让更多公司看到真实商业机会。时间表相当激进,因为先进制程晶圆厂从规划到量产通常需要三年或更长时间,而Terafab目标是2028年下半年量产。据报道,该公司采购负责人本月初已前往日本会见当地供应商,并推进设备引入细节,部分供应商被要求在数月内交付。

另有报道称,Terafab代表还在SEMICON West期间走访了约10家韩国材料、零部件和设备企业展台,并签署了部分保密协议。

逻辑芯片方面,据报道,Terafab正与英特尔合作,采用其2nm和1.4nm工艺;但存储芯片则是另一回事,目前尚不清楚计划中的存储类型。目前尚未公布合作伙伴,计划中70%的晶圆仍未披露工艺技术。

存储芯片生产通常分为DRAM和NAND闪存,后者用于非易失性存储。8月报道的一份特斯拉Terafab存储工艺整合工程师招聘要求涵盖端到端DRAM工艺整合和DRAM节点开发,并支持MRAM、RRAM和3D DRAM等新兴存储技术。Terafab尚未说明其DRAM将如何在HBM和LPDDR等产品之间分配;这些产品均适用于AI,也都出现在其招聘信息中。该公司也未说明是计划自行制造并堆叠DRAM,还是对外购芯片进行封装。

在美国本土建设一座先进逻辑晶圆厂本身就具有挑战,且特斯拉和SpaceX缺乏芯片制造经验。马斯克上月在SpaceX电话会议上也称,Terafab的时间表“非常激进”,并表示他为该时间表设定了“很大的误差范围”。首颗SRAM测试芯片目标是在2027年5月或6月左右于奥斯汀研究设施完成。

至少支出计划已经明确:得克萨斯州格莱姆斯县一期投资168亿美元,如后续阶段推进,总投资最高可达1190亿美元。中试厂最早可能于2027年7月完成。

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来源: 海外媒体

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