合科泰HKTD100N03：适用于12V系统的高性能N沟道MOS管
应用背景 如BMS、电机控制、电力开关的12V系统对低内阻MOS管的需求正增速增长，工程师们迫切需要兼顾大电流承载与小型化设计的解决方案。而HKTD100N03这款采用TO-252封装的N沟道MOS管，以30V耐压、100A连续电流和3.5mΩ的低导通电阻，成为12V功率控制的核心选择，正在重塑12V系统的功率
芯片新品
0人已关注纳米网芯片新品频道 — 提供芯片新品领域最新资讯、技术文章和行业动态。
芯片新品技术
DAC7564：低功耗四通道12位数字转模拟转换器
该DAC7564是一种低功耗、电压输出、四通道、12位数字转模拟转换器（DAC）。该器件内置2.5V、2ppm/°C的参考电压（默认启用），输出电压范围为2.5V。内部参考的初始精度为0.02%，可在V处提供最高20mA的电源裁判H/V裁判出销。该器件为单调，线性表现良好，并最大限度地减少码间的瞬态电压（故障）。该DA
ADS62P2X系列双通道12位ADC：高性能与低功耗的完美结合
ADS62P2X 是一款双通道 12 位 A/D 转换器系列，最大采样率可达 125 MSPS。它将高性能和低功耗结合在紧凑的64 QFN封装中。ADC采用内部采样保持和低抖动时钟缓冲器，支持高信噪比和高SFDR在高输入频率下。它具有粗增益和细增益选项，可用于提升SFDR在较低全刻度输入范围的性能。ADS62P2X包含
英飞凌EconoDUAL™ 3 CoolSiC™ MOSFET 1200V模块荣获2025年全球电子成就奖
11月25日，英飞凌科技EconoDUAL 3 CoolSiC MOSFET 1200V模块荣获2025年全球电子成就奖（World Electronics Achievement Awards）年度功率半导体/驱动器奖项， 再次彰显英飞凌在功率半导体领域的卓越实力和领先地位。英飞凌科技工业与基础设施业务市场经理刘倩出
普诚PT5606/PT5607：600V高压栅极驱动IC的高性能选择
电机驱动与逆变器的高可靠选择 在 PMSM/BLDC 电机驱动、电动工具、开关电源等高压应用场景中，栅极驱动 IC 的性能直接决定了功率器件（MOSFET/IGBT）的工作稳定性与系统效率。 钧敏科技主推之一的PT5606/PT5607 600V 高压栅极驱动 IC，凭借高耐压、强驱动、全保护的核心优势，成
新品发布：MOT20N50A 500V N沟道功率MOSFET晶体管
仁懋电子（MOT）推出的MOT20N50A是一款面向 500V 高压场景的 N 沟道增强型功率 MOSFET，凭借高开关速度、优异的 dv/dt 能力及 500V 耐压，适用于高效开关电源、半桥式电子镇流器、LED 电源等领域。一、产品基本信息