本文介绍了芯片测试相关常见术语。
你可以把芯片测试理解成：芯片出厂前的“体检 + 考试 + 分班”——先看它能不能正常工作，再看它能跑多快、耐不耐热、耗不耗电，最后决定它是高端版、普通版，还是不合格品
中国科学院半导体研究所 订阅号
物穷其理 宏微交替
全部文章
-
-
内存价格持续走高，现代 DRAM 内存条早已普及。追溯存储发展史，华裔科学家王安奠基的磁芯存储器，曾是早期计算机核心内存，手工编织制造，支撑阿波罗登月任务，最终被半导体 DRAM 替代。 存储芯片涨价 -
晶体管与金属互连之间的接触界面深刻影响芯片功耗与性能。镍硅化物与接触孔原位干法清洁两项关键工艺，构筑低阻连接通道，是先进制程不可或缺的微观制造环节。 在芯片制造的前端，晶体管被制造出来；在后端，它们通 -
钨具备高熔点、高模量等优异物性，却并非 MEMS 主流金属材料，受制于刻蚀、沉积带来的工艺集成难题；依托独有优势，它在诸多细分场景拥有不可替代价值。 在微机电系统（MEMS）的制造版图中，金属钨（W） -
32nm 以下制程遭遇多晶硅栅与 SiO₂介质物理瓶颈，HKMG 高 k 金属栅成为核心方案。Gate-First 与 Gate-Last 两条路线各有取舍，多层金属栅堆叠设计持续迭代，贯穿 FinF -
很多时候器件建模工程师不仅仅只关注模型参数如何提取，也需要关心模型如何被设计者使用。这样我们在参数提取时，能够更好地权衡模型哪些效应对于设计者更加有用。本次以AMP设计为例，来看看如何设计一个放大器，
-
本文将介绍平面MOSFET缩放遇到的限制以及解决思路。 半导体工艺的性能提升长期依赖特征尺寸的等比例缩小。对于平面MOSFET，驱动电流与栅氧化层厚度成反比，与沟道宽长比成正比。在早期工艺阶段，缩小沟 -
本文主要讲述三维原子探针成像分析界面和晶界的思考。 界面是决定金属材料力学性能的核心微结构单元，原子尺度下的界面成分与结构解析，是建立 “结构-性能” 关联、指导合金成分与工艺设计的核心基础。 三维原 -
本文主要讲述版图设计。 在芯片设计中，版图是连接电路原理图与物理制造的桥梁。它像一张精密的建筑图纸，用二维图形定义了每一层材料的形状和位置。但制造出来的芯片是一个三维立体结构，版图上的每一块图形，最终 -
本文主要讲述光计算。 最近这几年，为了搞AI，全球都在疯狂夯算力。在夯算力的同时，大家逐渐发现一个问题——随着芯片制程逐渐逼近物理极限，摩尔定律正在走向失效。芯片的功耗越来越高、散热越来越大，成本也变 -
本文主要讲述无线电报。 1859年3月16日，在俄国乌拉尔矿区小镇的一个普通家庭里，诞生了一个男婴。 男婴的父亲叫史蒂芬·彼特罗维奇，是一名当地牧师。男婴的母亲安娜·史蒂潘诺夫娜，则是一名乡村教师。
-
本文主要讲述DRAM存取晶体管的演进。 与电容并行发展的另一条技术主线是存取晶体管的结构变化。从平面晶体管到凹槽栅晶体管（recessed gate transistor，RG transistor） -
本文主要讲述MEMS设计中有Design Rule。 做IC设计的人都熟悉DRC（设计规则检查），一套设计规则核心围绕平面图形展开，同工艺节点下不同代工厂的差异往往有限。但换到MEMS领域，很多刚入门 -
本文将介绍 G1 到 G5的湿电子化学品纯度等级。 湿电子化学品的纯度等级，是国际半导体设备与材料协会 SEMI 制定的标准（SEMI C1 等标准），用 Grade（等级）来划分，从 G1 到 G5 -
本文将介绍硅片到金属互连的标准流程。 在现代芯片制造中，无论逻辑、存储还是功率器件，其核心工艺流程都遵循一个基本框架。图片展示的就是这样一个标准流程，它覆盖了从晶体管制造到金属互连的全部步骤。 前 -
本文将介绍扫描透射电镜（STEM）中的像素化探测器。 扫描透射电镜（STEM）的常规成像长期依赖环形暗场（ADF）探测器，它通过收集特定角度的散射电子，以积分强度反映样品的原子序数衬度，读速快、操作简 -
本文将介绍电子束直写光刻技术与其他光刻技术协同的混合光刻。 电子束直写（EBDW：Electron Beam Direct Write）光刻技术是全球范围内实验室、大学及中试线研发领域采用的标杆技术。 -
本文将介绍DRAM存储电容的结构演进。 存储节点电容孔的刻蚀是集成电路制造中最具挑战性的刻蚀工艺之一。由于图案密度高、特征尺寸小、孔深极大，其深宽比可达五十比一甚至接近一百比一。这一工艺中存在多种可能 -
本文介绍了光刻工艺中的Exposure Dose (ED)是什么。 在半导体光刻工艺中，曝光剂量（Exposure Dose, ED）是决定光刻胶图形转移质量的核心参数之一。它直接关系到最终电路图案的 -
本文介绍了7nm芯片Mask成本为什么这么贵。 公开资料显示，7nm full mask set 常见估算大约在 1000万—1500万美元以上，折合人民币大约就是7000万—1亿多元；如果是非常复杂