本文将介绍非等离子体干法刻蚀用于清洗。
在芯片制造的微观世界里，晶圆表面的清洗与刻蚀是决定良率的关键。传统的湿法清洗容易导致微观结构倒塌，而常规的等离子体干法刻蚀，虽然精准，但高能离子的物理轰击难免会
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物穷其理 宏微交替
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本文将介绍芯片垂直供电的概念、优势以及存在的问题。 引言：为何垂直供电成为必选项 随着AI训练芯片和HPC处理器功耗突破千瓦级别，传统平面供电的瓶颈愈发突出：IR压降严重、电流密度饱和、供电效率低下。
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本文将介绍光刻胶形貌异常的原因，以及解决手段。 线宽均匀性关注的是图形尺寸的一致性，而光刻胶形貌则关注图形本身的截面形状是否正常。在实际工艺中，光刻胶形貌异常会直接影响后续刻蚀或离子注入的图形转移质量 -
本文将介绍从28nm到A14（约1.4nm）的演进路径。 在半导体行业，每一代工艺节点的跨越都像是一场精密到原子级别的“极限挑战”。最近的一份技术总结，清晰地勾勒出了从28nm到A14（约1.4nm） -
本文介绍了FinFET SRAM的器件结构与制造要点。 本篇聚焦于FinFET SRAM的器件结构与制造要点。SRAM（静态随机存取存储器，static random access memory）在逻 -
本文介绍了太空算力。 说起卫星，你第一反应可能是绕地球转、拍拍照、传传信号吧？今天就带大家了解太空算力的小知识，小板凳坐好，马上开讲！ 什么是太空算力？ 卫星正在经历一场 "进化"—— 它不只是 "眼 -
本文介绍了Charge Trap与Floating Gate。 本期聊聊两种主要的NAND 技术路线，以及国际大厂阵营的分类。 在实现真正的 3D NAND 量产之前，各类技术研讨会上已经对多种 3D -
本文介绍了MEMS制程全流程。 提到芯片，大多数人首先想到的是CPU、存储这类集成电路芯片。但在我们身边，还有一类看不见却无处不在的芯片——MEMS微机电系统芯片。 手机里的陀螺仪、加速度计、麦克风， -
本文主要讲述FinFET的HKMG工艺介绍。 虚设栅极的去除与沟槽形成 源漏外延和退火完成后，沉积层间介质层（inter-layer dielectric，ILD）并进行化学机械抛光（chemical -
本文主要讲述芯片研磨后的清洗。 在芯片制造的CMP（化学机械抛光）之后，晶圆表面看起来光洁如镜，但实际却狼狈不堪——抛光液残留、金属离子污染、有机杂质、微细颗粒，全都牢牢粘在表面。如果不彻底洗干净，后 -
本文介绍了热扩散工艺。 提到芯片制造，大家往往第一时间想到光刻机，而在掺杂环节，现代逻辑芯片早已普及了更为精准的离子注入技术。相比之下，热扩散这个听起来颇具年代感的词，似乎早已被扫进了历史的垃圾堆。但 -
本文介绍了FinFET的器件结构与基本工艺流程。 这篇文章转向逻辑器件领域，介绍鳍式场效应晶体管（fin field-effect transistor，FinFET）——目前先进逻辑芯片中广泛采用的 -
本文介绍了FOCoS怎么把芯片“扇”出去的新型封装。 随着AI芯片对带宽和集成度的要求越来越高，封装技术也在快速迭代。FOCoS就是其中一种很有代表性的方案。它的全称是Fan-Out Chip on -
本文介绍了越先进的制程漏电越严重的原因。 "先进制程"的本质就是把晶体管做得越来越小。缩小的时候，晶体管的各个尺寸都在变： 沟道长度变短（源极到漏极的距离缩短）； 栅氧化层变薄（栅极和沟道之间的绝缘层 -
本文介绍了常见 AI 相关术语。 一、AI 基础概念 1.AI 人工智能 让机器像人一样完成理解、判断、生成、决策等任务。 2.机器学习 Machine Learning 让机器从数据中“总结规律
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本文介绍了天线的辐射、接收与辐射电阻。 天线说白了就是一种转换结构。它把传输线里的导行波和自由空间里的空间波互相转换。发射时，电信号变成电磁波打出去；接收时，电磁波又变回电信号收进来。 不管天线长什么 -
本文介绍了标准单元（Standard cell）对整个芯片设计的走向与性能的影响。 "标准单元是什么？常提到的标准单元高度6T, 9T, 12T 又代表什么？有什么区别？" 标准单元standard -
本文介绍了PCB 相关常见术语。 你可以把 PCB 理解成：电子产品里的“城市道路板”——芯片、电阻、电容等元件像城市里的楼房，PCB 上的铜线像道路，负责把电和信号送到正确位置。 一、PCB 基础概
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本文介绍了SRAM 微缩。 过去，SRAM bitcell 的密度提升主要依赖于光刻技术的迭代，即通过持续缩小 contacted poly pitch（CPP）与 metal pitch（MP）来压 -
本文介绍了3D NAND的基本原理与优势。 DRAM属于易失性存储器——断电后数据即丢失。而闪存（flash memory）属于非易失性存储器（non-volatile memory，NVM），断电后