算力之外：机器人开发者为何需要“感知-控制-计算”一体化
众多机器人团队最终都会面临同一个困惑：明明芯片性能表现出色、基准测试结果亮眼、技术演示也稳定流畅，可为什么从实验室原型到真正可部署的机器人产品，中间仍然需要长达18个月的时间？问题的关键往往不在处理器本身，而在处理器之外的一切。 如今自主机器人开发者面临的真正问题，并非哪款计算模块能提供最高的峰值吞吐能力，而是如何更快速地将一堆具有潜力的芯片，变成一台能工作、能验证、能量产的机器人。 从微控制器
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SGP.32破局物联网规模化连接：ST以全栈eSIM能力重构蜂窝生态
当物联网从试点走向千万级规模部署，连接的“最后一公里”瓶颈正愈发凸显：海量无人值守设备如何批量完成网络配置？跨区域部署的资产如何灵活切换运营商？2G/3G退网潮下，存量设备如何平滑过渡？这些现实痛点，正在倒逼物联网eSIM从封闭私有方案走向全球统一标准。 在2026慕尼黑上海电子展期间，意法半导体（ST）展出了基于GSMA SGP.32标准的ST4SIM物联网eSIM系列方案，并邀请半导体行业观察
从“看见”到“理解”：ST新一代影像传感器如何重构边缘AI感知范式？
如果你的设备还在把“图像”当作最终输出，那它已经落后于这一代传感器的设计逻辑了。 在意法半导体最新一代影像产品中，像素不再是核心指标——真正被优化的，是“信息密度”：一帧数据里包含多少可用于决策的语义、空间与行为信号。从可同时输出深度与红外的ToF模块，到能在MCU上直接跑30FPS人体识别的轻量化AI，再到融合全局/卷帘快门与RGB+近红外的单芯片方案，ST正在推动一个关键转变：视觉系统的终点，
【全开源】MPQ6547A+MA900让桌面机器人丝滑转圈圈！零基础也能复刻！
我没有写一行代码 就做出了可玩性非常高的桌面机器人 先看效果： 它可以跟随人脸转动，转得非常丝滑，而且响应非常快。眼球还一直盯着你。 还能听懂我们的命令：向左转3圈，向右转10圈。 而且在你触摸它的时候还知道生气。 整个项目里，真正有难度的，其实是无刷电机控制。 为此，我专门设计了一块主控板，它是用Kicad绘制的。主要负责接收屏幕和摄像头的信息，同时控制无刷电机。 主控直接用的是 Ar
ANSA 电子元器件建模提效：处理思路与使用技巧
前言 在 ANSA 电子元器件建模中，影响效率和结果稳定性的关键，更多在于处理流程是否清晰合理，而非单个功能命令的掌握程度。对于 SMC、QFP、圆柱电容等常见元器件，其建模难点通常集中在以下几个方面：几何细节对网格流的干扰、PIN（引脚）与本体连接关系的复杂性、以及重复结构带来的大量低效操作。 图 1：三种常见元器件（SMC，QFP，圆柱电容） 因此，更高效的电子元器件建模，通常遵循这样一条主
从连接走向智能：AI 驱动的 Wi-Fi 系统
MediaTek 近期发布了白皮书 《从连接走向智能：人工智能驱动的 Wi-Fi 系统》 探讨了 AI 如何使 Wi-Fi 接入点从连接方式 演变为能理解网络状况、 预测需求并自主行动的智能网络平台 从连接到智能 当 Wi-Fi 学会思考 Wi-Fi 已成为全球互连的重要数字基础设施。随着 AI 技术与通信技术的共同升级，Wi-Fi 的角色还将在智能时代发生深刻转变。 MediaTek 近期发布
中电港加速布局具身智能，NVIDIA Jetson机器人开发专场圆满落幕
当前，具身智能正由技术探索迈向产业化验证，机器人产业的竞争也从单一器件性能，延伸至算力、感知、控制、模型和供应链服务等系统能力。面对这一变化，中电港将人形机器人作为重点布局方向，以元器件分销为基础，协同设计链服务、产业数据和智慧仓储等业务板块，持续完善面向机器人产业的综合服务能力。 作为中电港在线下推进机器人布局的重要实践，**7月17日，“算力驭动，虚实一体：NVIDIA Jetson赋能机器人
氧化镓是什么？
本文介绍了氧化镓是什么。 氧化镓是镓（Ga）和氧（O）组成的化合物，化学式 Ga₂O₃。它本质上是一种氧化物半导体，但因为带隙特别宽（4.8~4.9 eV），被归类为超宽禁带半导体（UWBG，Ultra-Wide Bandgap Semiconductor），是近几年被称为"第四代半导体"的代表材料之一。 它主要瞄准两个方向：功率电子器件（和 SiC、GaN 抢市场）和紫外探测。 氧化镓在半导体
混合集成电路中的厚膜与薄膜工艺
本文介绍了混合集成电路中的厚膜与薄膜工艺。 混合集成电路 混合技术是把两种或多种集成电路芯片放在一起，有时还会加入电阻、电容等分立元件，最后封装在同一个管壳中，这样做成的电路叫混合集成电路。 和单片集成电路相比，混合集成电路通常体积更大，成本也更高，不过，它可以同时使用不同工艺的优点，电路性能往往更好，在高精度A/D、D/A转换器、精密有源滤波器等模拟电路中，这种优势很重要。 标准MOS和双极工艺
芯片中的EPI Layer是什么？有什么作用？
外延层的基本概念 外延（Epitaxy）是指在经过切、磨、抛等加工的单晶衬底上生长一层新单晶的过程。这层新生单晶层按衬底晶相延伸生长，故称为外延层（Epitaxial Layer），厚度通常为几微米。外延层与衬底可以是同一材料，也可以是不同材料，分别称为同质外延和异质外延。长了外延层的衬底称为外延片。外延生长的方法包括分子束外延（MBE）、金属有机CVD（MOCVD）和气相外延（VPE）等。
GPU 相关常见术语
本文介绍了GPU 相关常见术语。 CPU像总经理，GPU像几万个熟练工人；CUDA 像管理这些工人的操作手册，HBM 像高速仓库，NVLink 像工厂之间的专用高铁。AI 模型越大、Token 调用越多，对 GPU、显存、互联、电力和散热的要求就越高。 你可以把 GPU 理解成：一座有成千上万个“小工人”的计算工厂，特别擅长同时处理大量重复计算，所以非常适合 AI、图形渲染、科学计算和大模型训练。
双极集成电路工艺与主要器件制造
双极集成电路工艺与主要器件制造 双极工艺中最基本的有源器件是npn和pnp晶体管，它们都由三层半导体材料组成，中间一层的导电类型与两边不同，这三层材料可以上下排列，也可以横向排列，所以会形成垂直晶体管和横向晶体管。 双极工艺不只能制造晶体管，还能制造电阻器、电容器、二极管、齐纳二极管，有些工艺也能制造结型场效应晶体管。 设计双极集成电路时，不能像使用分立器件那样自由选择参数，器件的尺寸、掺杂浓度
堆叠芯片的“垂直通道”：TSV如何把DRAM叠成高楼
在高性能计算领域，AI芯片需要海量数据带宽，而HBM（高带宽内存）正是为此而生。HBM的核心技术之一，就是TSV（硅通孔）——一种垂直贯穿芯片的导电通道，让数据不再绕行，而是直接穿墙而过。 图片展示的是TSV在3D堆叠中的典型应用。多个DRAM芯片垂直堆叠在一起，芯片之间通过微凸点（micro bump）和TSV实现电气连接，最下方通过封装基板与逻辑芯片通信。TSV的尺寸通常在直径5微米、深度
隔离偏置电源如何从源头抑制共模 EMI？
引言 小型隔离式电源可在电动汽车牵引逆变器、工厂控制模块等各种应用中跨越隔离屏障提供电力。本《电源设计小贴士》将剖析不同的隔离式偏置电源拓扑及其电磁干扰 (EMI) 性能。如您所见，隔离式变压器两端的寄生电容是导致共模噪声传播的主要因素**。** 隔离栅极驱动为何需要偏置电源 在牵引逆变器中，栅极驱动器会驱动大功率开关（通常为绝缘栅双极晶体管 (IGBT) 或碳化硅 (SiC) MOSFET），实
面向48V区域架构的智能eFuse：让汽车配电更智能、更安全、更高效
面向软件定义汽车和48V区域架构，恩智浦新一代智能eFuse致力于帮助客户从传统配电保护升级到具备自主感知、自主保护和低功耗管理能力的智能电源分配架构。 随着区域架构、集中式计算和软件定义汽车的发展，车载电源分配系统正在承担更多关键任务。越来越多负载需要长期在线，系统既要保持可靠供电，又要降低静态功耗、抑制浪涌电流，并满足更高等级的诊断与保护需求。 常电负载增多，整车待机功耗控制难度提升；