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# 硅中介层

关于「硅中介层」的技术文章、设计资料与工程师讨论,持续更新。

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FOCoS:把芯片“扇”出去的新型封装方案

FOCoS:把芯片“扇”出去的新型封装方案

本文介绍了FOCoS怎么把芯片“扇”出去的新型封装。 随着AI芯片对带宽和集成度的要求越来越高,封装技术也在快速迭代。FOCoS就是其中一种很有代表性的方案。它的全称是Fan-Out Chip on Substrate,中文可以理解为“扇出型芯片贴装于基板”。 FOCoS的核心特点是用RDL(重布线层)来替代硅中介层。在传统的CoWoS方案中,芯片通过一块带有TSV的硅中介层实现互连;而FOCo

先进封装如何支撑AI芯片的性能跃升

先进封装如何支撑AI芯片的性能跃升

本文将介绍先进封装如何支撑AI芯片的性能跃升。 传统的“大芯片"的局限 在AI芯片的设计中,算力和带宽的竞赛正在把封装技术推向极限。传统的“一颗大芯片搞定一切”的做法已经难以为继,取而代之的是把大芯片拆成多个小芯片(芯粒),再用先进封装拼在一起。这个转变,正在重塑芯片的设计和制造方式。 过去,芯片设计的主流是单片式方案——逻辑、内存控制器、IO接口全部集成在同一颗芯片上,用同一种工艺制造。优点是

AI对内存永无止境的需求

AI对内存永无止境的需求

“内存墙”一词最早出现于20世纪90年代中期,当时弗吉尼亚大学的研究人员William Wulf和Sally McKee合著了“Hitting the  Memory Wall: Implications of the  Obvious”(撞上内存墙:显而易见的影响)一文。该研究揭示了由于处理器速度与动态随机存取存储器(DRAM)性能之间的差距而导致的内存带宽瓶颈问题。 这些发现指出了工程师们在过