美光送样256GB DDR5服务器内存模块,重新定义AI性能——采用1-gamma DRAM与先进封装技术,为业界提供更快性能

来源:Micron美光科技 半导体产业 5 次阅读
摘要:2026 年 5 月 14 日,爱达荷州博伊西市——美光科技公司(纳斯达克股票代码:MU)近日宣布,已向核心服务器生态系统合作伙伴送样 256GB DDR5 RDIMM 内存模块。该模块基于美光领先的1-gamma 制程打造,传输速率最高可达 9,200 MT/s,比当前量产的内存模块快 40% 以上。1 此款模块采用先进封装工艺,结合 3D 堆叠(3DS)与硅通孔(TSV)工艺,将多颗内存晶粒

2026 年 5 月 14 日,爱达荷州博伊西市——美光科技公司(纳斯达克股票代码:MU)近日宣布,已向核心服务器生态系统合作伙伴送样 256GB DDR5 RDIMM 内存模块。该模块基于美光领先的1-gamma 制程打造,传输速率最高可达 9,200 MT/s,比当前量产的内存模块快 40% 以上。1

此款模块采用先进封装工艺,结合 3D 堆叠(3DS)与硅通孔(TSV)工艺,将多颗内存晶粒整合于单一模块中。搭配美光 1-gamma DRAM 技术,这些创新成果提供了扩展下一代 AI 系统所需的容量、速率和能效。与两个 128GB 模块相比,单个 256GB 模块可降低 40% 以上的运行功耗,为现代 AI 数据中心带来更高能效。2

生态系统合作伙伴验证

美光正与核心生态系统合作伙伴协作,在其当前及新一代服务器平台上对 256GB 1-gamma DDR5 RDIMM 进行验证。通过联合兼容性测试,可确保该产品具备广泛的平台兼容性,并帮助大规模构建人工智能(AI)和高性能计算(HPC)基础设施的数据中心客户加速量产部署。

美光高级副总裁暨云端存储事业部总经理 Raj Narasimhan 表示:“容量、带宽和功耗是决定 AI 效率的核心因素。美光 256GB DDR5 RDIMM 将能够显著提升服务器性能。该解决方案基于我们的 1-gamma DRAM 技术,采用先进的 3DS 和 TSV封装技术,提供业界领先的速率和能效,帮助数据中心架构师更高效地扩展 AI 基础设施。”

满足 AI 时代的内存需求

大语言模型(LLM)、智能体 AI (agentic AI)、实时推理及高核数 CPU 负载场景快速普及,正推动企业对更大容量、更高带宽和更优能效的服务器内存需求迅速增长。美光 256GB DDR5 RDIMM 精准匹配行业增长诉求,助力服务器架构师、超大规模云厂商及硬件平台合作伙伴,在现代数据中心散热与功耗约束下,最大化单插槽内存配置容量。

送样与供货情况

目前,美光 1-gamma 制程 256GB DDR5 RDIMM 已向核心服务器生态伙伴送样,开展平台验证。

1性能优势基于 9,200 MT/s 与 6,400 MT/s 产品的对比计算得出。

2运行功耗以瓦特(W)为单位测量。通过对比两个运行功率为 9.7W 的 128GB 模块(总功率 19.4W)与单个运行功率为 11.1W 的 256GB 模块计算得出。

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