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在电机控制设计中，工程师们始终面临一个经典难题：如何在有限的空间内，实现更高的效率、更低的温升和更优的动态响应？ 传统硅基MOSFET方案受限于开关速度与损耗，往往不得不在性能与体积之间妥协。如今，英飞凌CoolGaN™低压氮化镓晶体管与全新PSOC™ Control C3微控制器的组合，为低压电机控制带来了系统级的突破——更小、更冷、更静、更快。 从器件到系统：CoolGaN™的价值飞轮 与硅基
面向消费电子充电器和电源适配器、工业照明电源、太阳能微逆变器 意法半导体推出了MasterGaN系列氮化镓功率开关管半桥的第二代产品MasterGaN6，该功率系统级封装（SiP）在一个封装内集成新的BCD栅极驱动器和导通电阻（RDS(on)）仅140mΩ的高性能GaN功率晶体管。 依托意法半导体MasterGaN系列业已建立的高集成度优势，MasterGaN6进一步扩大了产品功能，新增故障指示
氮化镓（GaN）功率器件具有更低的导通电阻与更快的开关速度，可显著降低开关损耗，从而提升系统效率、缩小磁性元件体积，并增强系统可靠性，因此在市场上日益受欢迎。氮化镓器件率先在消费电子快充领域实现规模化应用，随后逐步向高功率密度场景渗透，涵盖数据中心电源、光伏逆变器、新能源汽车OBC（车载充电机）、智能感知、AC-DC及DC-DC转换器等领域，在各应用场景中均展现出显著的系统级性能优势。 随着规模化
近日，华润微电子功率集成事业群旗下润新微电子（大连）有限公司（以下简称“润新微电子”）重磅推出第四代D-mode GaN系列新品。该产品可广泛应用于AI服务器电源、车载充电机（OBC）、激光雷达、人形机器人关节驱动、高端快充等高增长领域，为中高电压、大电流、高频高效以及对空间和重量敏感的应用场景，提供更高效、更紧凑的能源解决方案。 市场风口已至：氮化镓进入高价值场景渗透期 氮化镓功率器件凭借高效率
随着智能手机、笔记本电脑等移动设备功能日益强大，电池容量持续提升，用户对充电器的要求也愈加严苛：更高功率、更小体积、更低成本、更强兼容性，已成为市场不可逆的四大趋势。USB-C 接口的普及，更推动充电器从“专用”走向“通用”，一个充电器，即可为手机、笔记本、甚至工业设备供电，真正实现“一充多用”。 在这一背景下，如何设计出既能满足高效率、高密度要求，又能控制成本、加速上市的充电解决方案，成为系统架
在数据中心设计的新纪元，人工智能（AI）正深刻重塑电力的生成、分配和应用方式，以驱动实时、数据导向的成果。传统的云数据中心围绕相对可预测的CPU工作负载进行优化，而现代AI数据中心则以加速器密集型系统为核心，其运行特性截然不同。这些需求正促使业界对数据中心电源架构进行根本性重构，进而加速氮化镓（GaN）半导体的普及应用。 剖析AI数据中心的电力挑战 相较于早期的云基础设施，AI数据中心呈现出两大显
2026 德州仪器 (TI) 电源设计研讨会已于日前在深圳、北京、西安、上海、杭州五城巡回举办，顺利落幕。 本次研讨会围绕高效、高功率密度及智能控制的核心行业趋势，通过八大深度技术议题系统性地输出了涵盖基础拓扑、先进材料 (GaN)、创新结构（平面变压器）、数字控制及精密检测等在内的核心技术知识，为电源工程师提供了一场从基础理论到前沿实战的全方位知识赋能。 硬核知识，技术干货大放送 从搞定 PCB
氮化镓场效应晶体管(GaN FET)相较于硅FET，开关速度更快，封装更小，功率损耗更低。这些特性使得电源转换器能够在更高频率下运行，从而既能减小整体解决方案尺寸，又能保持高效率。虽然DC/DC转换器的基本设计保持不变，但GaN带来了额外的设计和测试挑战。其中一个较为关键的挑战是对栅极电压和时序进行精准控制。这种控制可能很有难度，原因在于开关时间可能超过了传统控制器和测试设备的处理能力。幸运的是，