充分释放GaN潜能：纳芯微GaN驱动芯片破解高功率密度应用难题
随着AI算力爆发以及人形机器人产业的快速演进，电源系统向着更高功率、更高效率、更小体积的方向快速迭代。氮化镓 (GaN) 作为宽禁带代表性器件，凭借开关速度快、损耗低、面积小等先天优势，已经成为超高功率密度系统不可或缺的核心拼图。但GaN是一把双刃剑，其优越性能落地到实际硬件设计时会遇到诸多工程挑战，如何通过驱动IC的技术创新，把GaN的理论性能充分释放，已经成为行业关注的焦点。 本文将从GaN应
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# 氮化镓
关于「氮化镓」的技术文章、设计资料与工程师讨论，持续更新。
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从储能、SST到嵌入式和模拟技术：TI 能源基础设施技术研讨会火热报名中！
随着全球能源转型加速，大容量储能系统、固态变压器（SST）及智慧能源管理对系统安全性、高效率与智能化提出了前所未有的挑战。德州仪器（TI）诚挚邀请您参加即将于杭州和深圳两地举办的能源基础设施技术研讨会。本次会议将聚焦行业痛点，通过深度的技术分享，从应用和产品角度为您展示 TI 如何利用领先的半导体技术和创新，助力构建更安全、更高效、更智能的能源基础设施。 9月17日 杭州专场 9月22日 深圳专场
硬科技新风口：AI、机器人与新能源，为何都在“抢”GaN？
如果观察近年来电子系统的发展，会发现一个有趣的现象： 无论是AI数据中心、工业机器人、能源基础设施，还是新能源汽车，它们对电源系统的要求都在同步提升。一方面，系统功率持续增长； 另一方面，设备尺寸、散热空间以及能耗预算却受到越来越严格的限制。 这意味着，未来电源设计的竞争已不再局限于单颗器件性能，而是如何在更小空间内实现更高效率、更高功率密度以及更稳定可靠的系统运行。在这样的背景下，氮化镓（GaN
搞懂这些材料 对设计电源和功率器件很重要！
本文介绍了电源领域硅、碳化硅、氮化镓三类主流功率半导体材料的核心性能参数、技术特性与适配场景，梳理了不同材料的优势与应用边界，同时针对性给出了碳化硅与氮化镓在功率电路设计中的关键注意事项及核心设计要点，指出其演进方向，即为全球能源转型与碳中和目标下的电力电子技术革新筑牢基础。 随着全球对高效能电源转换技术的需求不断提升，半导体材料在电源领域的应用日益重要。从传统的硅（Si）功率元器件，到近年来快速
氮化镓增强型GaN晶体管结构简介
氮化镓晶体管内部构造简介 GaN 氮化镓晶体管（HEMT）的基本结构如下图1所示，以 GaN/AlGaN 异质结为主体，在AlGaN/ GaN的异质结界面处，由于氮化镓材料的自发极化效应与压电极化效应，形成了一层高电子浓度的导电通道——二维电子气（2DEG）；器件的最底层是衬底层(一般为Si材料，也有SiC或者GaN材料)，在其上外延生长出N型GaN缓冲层，外延生长的P型AlGaN势垒层，形成A
尺寸缩小 50%、效率不打折：集成式 GaN 转换器的四大关键进展
引言 对于更高功率密度的推动将继续影响大电流电源的每个主要设计决策。数据中心和计算基础设施的发展速度正在让传统电源架构面临压力。从机器人技术到测试和测量设备，工程师都面临着同样的根本性挑战：在不牺牲效率的情况下，以更小的空间提供更大的功率。 多年来，硅基开关转换器和分立式功率 FET 设计拓展了中电压、高电流应用的可能性。但是，随着开关频率的增加和尺寸的缩小，硅 FET 的基本限制（导通状态电阻更
覆盖 40-1200V！一文拆解安森美 GaNEXUS™的关键优势和应用
GaNEXUS™系列是安森美（onsemi）最新推出的氮化镓（GaN）功率产品组合，旨在为现代功率架构提供更高的效率、更高的功率密度以及高速开关性能。在GaNEXUS的应用领域中，氮化镓能够最大化地发挥系统级影响，从电源到负载，支持各类紧凑、高效的功率转换。 凭借久经考验的电源设计、卓越的品质以及全生命周期支持，GaNEXUS助力客户构建可靠且可扩展的解决方案，广泛应用于AI数据中心、机器人与自动
太阳能逆变器市场：第三代半导体与IGBT的角力，胜算几何？
图源：Freepik 在太阳能、风能和储能系统中，DC/AC逆变器被称为系统的“心脏”。它负责将太阳能电池板、风力发电机或电池储能系统产生的直流电（DC）高效转换为电网和家用电器可以直接使用的交流电（AC）。 Research and Markets的研究表明，2023年全球太阳能逆变器市场价值为128.1亿美元，2024-2029年期间，市场将以11.34%的复合年增长率增长，预计到2029年
ST携手英伟达推出全新12V/6V架构，扩容800V数据中心电源产品
12V和6V解决方案完善了意法半导体已有的800VDC转50V转换级解决方案未覆盖的电压区间，并在英伟达GTC 2026大会上亮相 现在，意法半导体拥有完整的800VDC配电链路的全链方案组合，能够满足千兆瓦级计算基础设施的电力需求 这些解决方案融合了意法半导体的功率、模拟和混合信号技术，并在芯片和封装级采用定制化设计 近日，意法半导体（ST）宣布扩展其800VDC功率转换解决方案
最后24小时！西安功率半导体论坛明日开讲，6位大咖+到场有礼
明日下午1:30，西安高新美居酒店，功率半导体行业的一场"现场实验"即将启动。 不是线上直播的隔屏观望，不是白皮书的纸上谈兵——是六位技术负责人带着真实数据、量产案例、失效样品，站在你面前，回答那些搜索引擎给不了答案的问题： 氮化镓从消费电子杀向车载，意法半导体如何定义技术边界？ 光储系统的芯片协同控制，上海贝岭的全系列方案到底省了多少BOM成本？ 威兆半导体的器件与系
议程全曝光！6位大咖西安开讲，到场领京东卡/蓝牙耳机，把功率器件硬核干货打包带回家
一颗SiC器件的旅程，从衬底到终端，要经过多少双手？ 功率半导体行业最深刻的变革不在实验室，而在产业链的协作方式。氮化镓从消费电子杀向车载充电，碳化硅从高端车型下探至主流市场，光储系统从单一发电走向智能调度——每一轮技术跃迁，都在倒逼产业链从"各自为战"转向"链式协同"。 但协同的代价是复杂的，每一家企业都是链条上的关键节点，但节点之间的接口标准、数据共享、风险共担
浙江押注烧钱材料，湖北死磕实验室？6省“芯片路线”全解析
2026年，"十五五"规划（2026-2030年）成为各省工业政策的主战场。宽禁带半导体碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）、氧化镓（Ga₂O₃）等从"十三五"的探索期进入"十五五"的密集落地期。与五年前不同，这一轮政策不再停留于方向引导，而是伴随着真金白银的补贴、清晰的数字目标、以及明确的时间表。 一场围绕宽禁带半导体的省级竞赛，已经实质性启动。 "十五五"为什么是关键窗口 "十五五"对于宽禁带
英飞凌：我赢了！英诺赛科：我也赢了！
2026年5月8日，英飞凌发布声明称，美国国际贸易委员会（ITC）全体委员会近日的最终裁决维持了其于2025年12月作出的初步裁定，确认英诺赛科（Innoscience）侵犯了英飞凌的一项氮化镓（GaN）技术专利，并下令对英诺赛科实施进口和销售禁令。ITC委员会的最终裁决及其颁布的相关禁令仍需经过为期60天的美国总统审查期后生效。 英飞凌表示，该裁决是又一项积极的结果，进一步彰显了英飞凌在氮化镓技
美国国际贸易委员会（ITC）裁定英飞凌胜诉，并对英诺赛科实施进口及销售禁令
美国国际贸易委员会（ITC）全体委员会维持了其于2025年12月作出的初步裁定，确认英诺赛科（Innoscience）侵犯了英飞凌的一项氮化镓（GaN）技术专利，并下令对英诺赛科实施进口和销售禁令。ITC委员会的最终裁决及其颁布的相关禁令仍需经过为期60天的美国总统审查期后生效。 英飞凌300mm GaN技术 Johannes Schoiswohl 英飞凌科技高级副总裁、 氮化镓系统业务线负责人
跟随安森美CEO逛北京车展，看见中国创新的“全球引力”
在2026年北京车展上，超高压架构、舱驾融合及车载 AI Agent的技术浪潮正在重塑行业边界。 安森美 (onsemi) 总裁兼首席执行官 Hassane El-Khoury亲临现场，在密集的行程中捕捉中国汽车创新最真实的脉动。从一个个展台的交流中，他看到的不仅是琳琅满目的新车，更是中国汽车产业从“追随者”向“定义者”的华丽转身。 与安森美CEO同行，逛车展👇 中国创新速度领跑全球 凭借惊人的中
CLLLC vs DAB：电动车车载充电器方案该如何取舍？
引言 为了优化电动汽车 (EV) 的电源，车载充电器 (OBC) 必须高效、轻便、小巧。电动汽车重量减轻后，也需要更低的功率来驱动，从而提高整体效率。 OBC 需要支持适当的电网到车辆 (G2V) 电压和当前的电池充电算法；因此，它可以作为电网和电动汽车之间的功率调节接口（图 1）。此外，它必须能够通过车辆到电网 (V2G) 供电，为电动汽车补充峰值容量可能波动的可再生能源。 图 1 OBC 需
人形机器人迎来实战落地，ST如何破解攻坚灵巧手与关节核心瓶颈
2026年，人形机器人产业正站在从“炫技”走向“实战”的关键路口。意法半导体（ST）敏锐地捕捉到了这一结构性变革，预测2026年将成为机器人市场区域差异与技术融合的分水岭——中国聚焦服务与工厂试点，欧美日深耕高附加值工业与医疗场景。 然而，从原型机到产业化落地，人形机器人仍面临着成本高昂、可靠性不足等严峻挑战，ST指出三大点：一是整体拥有成本（硬件、软件、运维支持）居高不下；二是
横向扩散金属氧化物半导体：射频功率的架构
在这个万物互联的时代，你的手机信号能够稳定覆盖数公里，背后的功臣是一个你可能从未听过的核心器件——横向扩散金属氧化物半导体，简称LDMOS。 一、横向的秘密：LDMOS的工作原理 要理解LDMOS，不妨先回忆一下普通MOSFET的结构。在普通MOSFET中，电流从源极流向漏极的方向与硅片表面平行，但控制电流的沟道长度受限于光刻精度。而LDMOS的创新在于“横向扩散”四个字。 想象一下，你需要在一
可靠才是硬道理：英飞凌CoolGaN™质量保障体系揭秘
氮化镓（GaN）性能优异，但客户最常问的是：它能像硅器件一样稳定工作十年以上吗？ 作为全球功率半导体领导者，英飞凌的回答不仅是数据，更是一套贯穿设计、制造、认证与应用的全生命周期质量体系。在近日专题研讨中，英飞凌专家首次系统披露了CoolGaN™背后的可靠性工程。 质量之道：言出必行，零缺陷 英飞凌的质量理念是“言出必行”，承诺零缺陷。这背后是三大支柱： 设计可靠性：基于对氮化镓物理特性的深刻
技术干货丨借助GaN双向开关革新电源设计
随着全球电源需求正出现前所未有的激增，设计人员不断面临挑战，需要在个人设备、AI基础设施、太阳能、电池系统、电机及车辆等多种领域中实现更小的系统尺寸，并以更高的效率提供更高的功率水平。 氮化镓（GaN）以其优越的半导体特性，正在推动一场变革，引领着电力电子领域的真正复兴。这一变革得益于前所未有的快速、小巧电力开关的问世。 高电压GaN双向开关（BDS）通过在单个器件内实现双向电流导通和阻断，从而助