氮化镓之撸起袖子驱动GaN
上篇文章(参考阅读:氮化镓增强型GaN晶体管结构简介)已经就GIT电流型和SG电压型氮化镓晶体管的内部构造和工作原理进行了介绍,在此基础上,本篇将继续介绍其对应驱动电路的设计。 GIT电流型 GaN 晶体管的驱动电路 GIT型和SG型两种增强型的GaN器件的栅极电荷都远低于Si基的器件,一般用来驱动标准MOS管的门极驱动芯片都足够用来驱动GaN晶体管。但值得注意的是,增强型氮化镓的VGS(TH)阈
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上篇文章(参考阅读:氮化镓增强型GaN晶体管结构简介)已经就GIT电流型和SG电压型氮化镓晶体管的内部构造和工作原理进行了介绍,在此基础上,本篇将继续介绍其对应驱动电路的设计。 GIT电流型 GaN 晶体管的驱动电路 GIT型和SG型两种增强型的GaN器件的栅极电荷都远低于Si基的器件,一般用来驱动标准MOS管的门极驱动芯片都足够用来驱动GaN晶体管。但值得注意的是,增强型氮化镓的VGS(TH)阈
随着数据中心AI负载所需功率的快速增加,服务器的供电架构也随之发展。当前每个机架包含供电单元PSU、备用电源BBU及AI负载等,单相PSU的功率也逐步从3.3kW提升至12kW。然而当机架功率水平超过250kW时,供电电源正转向采用专用机架(即sidecar)进行供电和备电配置,并逐步过渡到三相交流供电模式。最后,随着机架功率水平的持续提升,数据中心预将采用基于固态变压器(SST)的完全集中式高压
本文介绍了电源领域硅、碳化硅、氮化镓三类主流功率半导体材料的核心性能参数、技术特性与适配场景,梳理了不同材料的优势与应用边界,同时针对性给出了碳化硅与氮化镓在功率电路设计中的关键注意事项及核心设计要点,指出其演进方向,即为全球能源转型与碳中和目标下的电力电子技术革新筑牢基础。 随着全球对高效能电源转换技术的需求不断提升,半导体材料在电源领域的应用日益重要。从传统的硅(Si)功率元器件,到近年来快速
Infineon TRENCHSTOP™ IGBT7 单管产品目前已形成完善的产品矩阵,涵盖650V、750V、1200V三种主流电压等级。基于不同应用场景的需求,产品系列分为T7、S7、H7三大系列,封装形式包含DTO在内共计6种,全系列累计推出56款产品,可实现对前代多数单管产品的兼容替换。 为保障产品稳定性与产品一致性,IGBT7系列单管所采用的IGBT芯片,均依托奥地利菲拉赫和德国德累斯
图源:Freepik 在太阳能、风能和储能系统中,DC/AC逆变器被称为系统的“心脏”。它负责将太阳能电池板、风力发电机或电池储能系统产生的直流电(DC)高效转换为电网和家用电器可以直接使用的交流电(AC)。 Research and Markets的研究表明,2023年全球太阳能逆变器市场价值为128.1亿美元,2024-2029年期间,市场将以11.34%的复合年增长率增长,预计到2029年
今天来拆解一个来自零差云控的eRob70型机器人关机电机模块,主要看看上面的无刷电机驱动电路。 先简单说一下,这个关节支持EtherCAT、支持CANOpen、Modbus通信,开放位置环、速度环、电流环数据以及PID实时调节,电机功率可以做到100W,整个电机的尺寸只有直径70mm,长度67mm,重量为0.93kg。 端盖上放置了所有的供电、通信接口,两个XT30供电口,旁边还带了一个锁扣。供
近70年来,单向功率开关(UDS)一直是所有功率电子应用(包括双向功率变换系统)的主流器件。几十年来,UDS技术不断革新,基于UDS开关的设计已能够轻松实现超过95%的效率。然而,高效化与高功率密度为行业的持续追求。减少板卡上的器件数量,是提升效率的一种较为直接的方式,这可以缩小PCB尺寸,进而提高功率密度。在需要实现双向电压阻断的应用中,UDS便体现出其局限性,导致需要采用背靠背(B2B)开关
工程名称:铁电U盘 · USB FRAM DISK 前言 据说,这个U盘能做到——永久**存储、无限擦写、零延迟写入、还抗辐射?** 这4个特点,代表了这个U盘能: ——“永远”不坏 ——且每次打开,储存的资料都在 而且做一个这样的U盘只花10元?! 所以……它咋做到的?真能做到? 先瞅瞅它的电路设计和硬件参数! *0***1 设计图 ” 电路部分,作者只用了一颗主控+一颗FRAM。 原理图
文章**概述** 本文概述了PD系统的核心要求。然后介绍onsemi的FUSB5101MNTWGPD控制器,并展示如何使用评估板、开发软件、编程/调试适配器和 PD协议分析仪对预编程控制器固件开启快速配置。 随着通用串行总线 Type-C (USB-C) 端口越来越普遍,许多用户都依赖这种端口为各种连接设备提供更高水平的电源。不过,USB-C规范将“仅限 Type-C”设备的基本电源限制为最大 1