HKMG 金属栅极解析 —— 从 22/14nm TEM 切片看懂工艺
32nm 以下制程遭遇多晶硅栅与 SiO₂介质物理瓶颈，HKMG 高 k 金属栅成为核心方案。Gate-First 与 Gate-Last 两条路线各有取舍，多层金属栅堆叠设计持续迭代，贯穿 FinFET 直至 GAA 工艺。 当制程迈入 32nm 以下，传统多晶硅栅 + 二氧化硅栅介质彻底走到物理极限：超薄 SiO₂带来量子隧穿漏电、多晶硅耗尽效应大幅削弱驱动电流。 HKMG（高 k 介质 +
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从“缩小晶体管”到“压缩时间”？解读华为“τ定律”
在传统摩尔定律逐渐失效的背景下，半导体行业正在寻找新的性能增长路径。在2026年IEEE ISCAS大会上，华为提出“τ(时间)微缩”方法，将性能优化从“几何尺寸”转向“时间压缩”，并以工程实践加以验证(通过近6年设计并量产的381款芯片)。 在ISCAS 2026的keynote演讲中，华为半导体总裁何庭波女士开口的开场白是：“过去6年我经常会被问到：在手机、AI这些高度竞争的行业里，你们是如何
垄断半壁江山！AI 带飞 HBM，行业直接放弃统一标准
随着人工智能(AI)驱动的数据呈指数级增长，高带宽内存(HBM)的应用也随之激增。 然而，HBM仍属高端内存，技术实现难度颇高。由于英伟达(NVIDIA)在GPU开发上步伐迅猛，相关标准难以跟上——这意味着，若HBM想继续搭乘GPU和加速器普及的快车，定制化至关重要。 Dell’Oro集团2025年6月发布的一份报告显示，持续的AI发展推动服务器和存储组件市场在2025年第一季度同比增长62%，