龙腾半导体LSGT15R032：150V G3 SGT MOSFET新品性能提升
随着新能源汽车电驱系统与电池管理（BMS）对高效率、高可靠性功率器件需求的不断攀升，功率半导体技术正面临新一轮革新。为应对市场对更低损耗、更高功率密度解决方案的迫切需求，龙腾半导体正式推出新一代150V G3平台屏蔽栅沟槽（SGT）MOSFET产品— LSGT15R032。该产品凭借3.25mΩ的超低导通电阻与279A的强大电流能力，成为高端BMS、电驱及DC-DC转换应用领域的性能新标杆。
产品核心参数
| 关键参数 | 规格指标 | 备注/条件 |
| 型号 | LSGT15R032 | / |
| 技术平台 |
G3 SGT (屏蔽栅沟槽) |
新一代平台 |
|
击穿电压 (VDSS) |
150V | / |
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导通电阻 (RDS(on)) |
典型值2.7mΩ 最大值3.25mΩ |
@VGS=10V ID=50A TJ=25°C |
|
连续漏极电流 (ID) |
279 A 硅能力极限 TC=25°C |
封装极限电流 300A |
| 封装形式 | TOLL |
优异的散热与 功率密度 |
产品核心特点
1极致低阻设计，能效全面跃升
采用先进的G3代屏蔽栅沟槽技术，在150V电压等级下实现了3.25mΩ的业界领先导通电阻，较上一代G2平台产品（4.0mΩ）显著降低。这意味着在相同电流下的导通损耗大幅减少，直接提升系统整体效率，并降低温升。
2超强电流承载，功率输出澎湃
在25°C壳温下，连续漏极电流高达279A，脉冲电流能力更达到1116A。强大的电流处理能力使其能够从容应对电驱启动、BMS主回路开关等场景中的瞬时大电流冲击，系统可靠性与鲁棒性倍增。
3卓越坚固性能，稳定可靠运行
产品保证100%雪崩能量（EAS）测试，额定雪崩能量高达1600mJ，具备优异的抗反向恢复和短路能力。TOLL封装提供了极低的0.26°C/W结到壳热阻，确保芯片热量能够快速导出，满足高可靠性应用要求。
4精准聚焦应用，性能量身定制
此产品专为对静态损耗和通态能力要求严苛的BMS（电池管理系统）与电机驱动领域优化。相较于前一代(G2)产品，在静态性能上优势明显。
注：数据来源于龙腾实验室实测
产品典型应用
BMS
电机驱动
DC-DC转换器
同步整流SR
不间断电源UPS
原文标题：突破功率密度极限：龙腾半导体发布150V G3平台SGT新品
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