Aeluma订购爱思强G10-AsP MOCVD系统，扩大光子制造

1960年，在江南无线电器材厂 一场跨越世纪的“芯”征程，从此起步 六十五载春秋，风雨兼程 我们加速追赶，实现并跑，奋力领跑 从聚焦一域，到贯通全产业链 从立足一方，到实现两江三地协同 当年那缕微光，已成璀璨星芒 照见来时之路与前行方向 面向“十五五” 华润微电子以六十五年积淀为基 以创新突破为翼 向芯未来全速起航！ 12月26日，华润微电子“六秩五载聚芯力·谋篇‘十五五’向未来”发展报告会在无锡

2026 年 4 月 23-25 日，第四届九峰山论坛暨中国（光谷）国际化合物半导体产业博览会在武汉光谷科技会展中心盛大举行。伊顿关键电源携三大动力解决方案精彩亮相，精准匹配芯片研发、生产及运维等不同环节的差异化需求，赋能新质半导体产业迈向“芯”未来。 直击产业痛点 半导体行业供电系统挑战 化合物半导体作为新质半导体的典型代表，从芯片研发验证到智能制造加速落地，其厂务供电系统面临着多重挑战： 半

AI算力的边界在哪里？过去两年，AI大模型的军备竞赛让全球科技巨头疯狂抢购GPU。然而，英伟达CEO黄仁勋却不止一次指出：“未来十年，算力的天花板将由光传输效率决定。”这句话道出了一个被市场长期忽略的真相——即便你手握百万张GPU，如果数据在它们之间的流转速度跟不上，庞大的算力集群不过是一堆昂贵的电子砖头。AI基础设施的内部革命，正悄然转向一个更底层、更隐秘的战场。在这个战场上，一种名为磷化铟（I

报告预计全球GaN HEMT代工厂市场将从2026年的22.1亿美元增至2032年的43.9亿美元，复合年增长率11.87%。5G、电动车、数据中心和国防需求加速推动市场增长。

EV Group宣布支持量子芯片开发商和制造商应对量子系统扩展的复杂制造需求，将先进封装、异质集成和光子制造经验用于新产品设计与工艺验证，并将在SEMICON Europa展示相关工艺方案。

本文主要介绍了什么是Teflon（特氟龙）。 Teflon是什么？ Teflon是聚四氟乙烯（PTFE，Polytetrafluoroethylene）的商品名，由美国杜邦公司（DuPont）注册，现在已经成为这类材料的通用叫法。 化学结构非常简单： 碳链骨架，所有氢原子被氟原子完全取代，这是它一切特性的根源。 Teflon中文俗名有哪些？ | 叫法 | 使用场景 | | 特氟龙 | 最通用，在

本文介绍了直拉单晶硅的基本制备技术及方法。 单晶硅的制造技术主要存在两种方法，分别为区熔法（FZ 法）和直拉法（CZ法）。 悬浮区熔法（FZ 法）是一种用于生产单晶硅的工艺技术，其核心在于通过熔融区域定向结晶实现晶体生长。在设备构造方面，炉体内上部通过刚性支撑结构固定高纯度多晶硅棒，底部区域配置高频感应线圈作为主要热源。该线圈通过电磁感应原理产生高温，配合特制耐火材料构筑的恒温环境，形成稳定的热力

本文介绍了光刻过程中的PEB工艺。 在半导体光刻工艺中，曝光后烘烤（Post-Exposure Bake，简称PEB）是一个位于曝光之后、显影之前的关键步骤。它通过在精确控温条件下对已曝光的晶圆进行加热，激活并完成光刻胶内的化学反应，从而将曝光阶段形成的“潜影”转化为具有清晰轮廓的物理图形。PEB的精确性和稳定性直接决定了光刻工艺的线宽控制能力、分辨率与良率。 PEB的定义与工艺位置 PEB是光刻

SC-2是RCA清洗中的关键步骤，专用于去除晶圆表面的碱金属与重金属离子。它利用HCl与H₂O₂的强氧化与络合作用，消除SC-1清洗后残留的金属氢氧化物沉淀，并生成保护性氧化层。 SC-2是RCA清洗体系中的第二道清洗液，全称是Standard Clean 2，由美国RCA公司的Werner Kern在1970年发明，至今仍是半导体晶圆清洗的行业标准。 标准配方（体积比）： HCl:H2O2:H

光刻返工是芯片制造中补救涂胶、显影等异常的关键流程，通过去胶、清洗、重新涂胶三步实现。但返工并非无损，每操作一次都会损伤晶圆，先进工艺通常限2次以内，以平衡良率、成本与质量。 在芯片制造的光刻工艺中，谁也无法保证每一次涂胶、曝光、显影都完美无缺。当出现异常时，工程师并不会直接报废整片晶圆——只要条件允许，他们会启动光刻返工流程，把晶圆“洗干净”重新来过。这就像写错字的草稿纸，用橡皮擦掉重写。但这颗

本文介绍了SC-1清洗液。 SC-1 (Standard Clean 1)，全称为标准清洗液一号，通常也叫做 APM (Ammonia Peroxide Mixture)。它是半导体制造中最著名、应用最广泛的清洗配方——RCA 清洗工艺的核心组成部分（由美国无线电公司 RCA 的 Werner Kern 于 1965 年发明）。 SC-1 的配方组成 SC-1 的经典化学配比是： 氨水 (NH3

DRAM 技术正从 10nm 级向更先进节点迈进。为满足 AI 等高算力需求，电容器、晶体管与位单元架构迎来创新，同时外围电路面临热稳定性、多样化性能与成本控制的多重挑战。 几十年来，计算架构一直依赖动态随机存取存储器（DRAM）作为其主内存，提供处理单元检索数据和程序代码所需的临时存储空间。高速运行、高集成密度、高性价比以及卓越的可靠性，促成 DRAM 技术在众多电子设备中的广泛应用。 DRA

水对人类、生态系统以及半导体生产都至关重要。每年，恩智浦的制造工厂大约使用120亿升水。2022年，我们启动了一项雄心勃勃的计划，旨在回收更多水资源并减轻对当地供水的压力。去年，我们提前两年实现了原定于2027年达成的目标——回收制造过程中60%的废水。 水在芯片制造中的关键作用 芯片是现代世界的基石。从智能手机、汽车到医疗设备和可再生能源系统，一切的核心都离不开它。然而，芯片制造是一个耗水量巨大

本文将介绍芯片制造的刻蚀工艺中的原子层蚀刻（Atomic Layer Etching, ALE）。 ALE工艺概述 随着半导体技术的发展，先进芯片的关键尺寸不断缩小，甚至要求具有复杂的三维结构，如FinFET和3D NAND闪存。这些技术的发展对刻蚀工艺提出了极高的要求，特别是在选择比和精度方面。纳米级器件结构对工艺尺寸误差的要求非常严格，一般约为其自身尺寸的10%。例如，宽度为5纳米(nm)的晶

本文主要介绍了湿法刻蚀中的介质层与金属层加工。 湿法刻蚀 在半导体制造工艺中，湿法刻蚀不仅广泛应用于硅材料本身的加工，更重要的价值体现在介质层与金属薄膜的选择性图形化过程中。无论是栅介质、隔离层、钝化层，还是后续互连结构中的金属布线，其表面加工质量都直接决定器件的电学性能与长期可靠性。因此，针对不同材料体系建立具有高选择性、高均匀性以及低损伤特征的湿法刻蚀体系，始终是微电子工艺开发中的重要内容。

本文介绍了键合及其应用。 在半导体行业追求更高性能、更低功耗的道路上，单纯缩小晶体管尺寸已经越来越难。于是，工程师们换了一个思路：既然横向不能无限缩小，那就纵向堆叠——把不同的芯片像盖楼一样一层层叠起来。这项让芯片“长高”的核心技术，就是键合技术。 键合是什么？芯片界的“强力胶”键合，简单来说就是把两片或多片晶圆（或芯片）永久性地粘合在一起，同时实现它们之间的电气互连。这可不是普通胶水能办到的。

本文介绍了黑瓷封装工艺及失效模式。 黑瓷封装工艺 黑瓷封装工艺流程如图1所示，使用能耐受420°C以上的以玻璃粉为主要成分的胶黏剂烧结粘片，然后完成引线键合，再将黑瓷基座倒扣在黑瓷盖板上，经烘烤除去水分，最后烧结、降温冷却完成玻璃熔封。 管壳清洗 黑瓷外壳在组装之前，应先用丙酮超声清洗3~5min，再用乙醇超声清洗3~5min，用去离子水漂洗并用乙醇脱水，最后烘干，以清除包装、运输过程中粘染的污

3D NAND垂直堆叠层数攀升，高深宽比刻蚀面临速率与轮廓双重挑战。低温刻蚀技术通过在-100°C左右精准控温，提升刻蚀速率并降低碳足迹，结合人工智能辅助参数优化，成为400层以上存储芯片制造的关键工艺。 随着3D NAND闪存垂直堆叠层数不断增加，制造过程中需要在极小的开口内钻出深度达数十微米、纵横比超过50:1的深沟槽孔。传统刻蚀工艺在应对如此高深宽比结构时面临刻蚀速率下降、轮廓控制困难等挑战

本文介绍了高可靠封装发展。 概述 封装的发展经历着几个不同的阶段。最初，是封装形式的演变(见图1)。随着集成电路规模的增大，封装的引脚数量激增，在追求高密度、多引脚的过程中，衍生出了很多新的封装形式和更小的引脚间距。在这个阶段，封装外壳仍然保持着芯片机械支撑、环境保护、引出信号线和作为芯片散热通路的基本功能。在一个外壳内一般只封装一颗集成电路芯片。在产品迭代过程中，新的封装形式和更小的引脚间距使得

本文介绍了等离子体刻蚀的刻蚀原理。 在现代半导体制造中，干法刻蚀之所以能够实现高深宽比结构加工与纳米尺度图形转移，其核心并不只是“利用等离子体进行刻蚀”这么简单，更关键的是对等离子体内部不同刻蚀机制的精确调控。等离子体环境本身极其复杂，其中既存在高能离子轰击，也包含大量具有高化学活性的自由基与中性粒子，因此刻蚀过程往往并非单一作用主导，而是物理效应与化学反应共同耦合的结果。不同工艺体系中，两者所占