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新品发布 | 1颗顶9颗!MPS新品PMIC破解汽车SoC供电难题,ASIL-D功能安全+16A输出太能打!
新品发布 | 1颗顶9颗!MPS新品PMIC破解汽车SoC供电难题,ASIL-D功能安全+16A输出太能打!

随着智能汽车向域控化、中央计算架构演进,新一代智能座舱、自动驾驶SoC的性能边界被不断刷新。但性能飞跃的背后,是一道棘手的电源设计难题: 大电流需求激增、多路独立电源轨并行、上下电时序复杂、瞬态响应和纹波噪声要求严苛……再叠加汽车行业“性命攸关”的高等级功能安全要求,传统分立电源IC方案正面临着布板占空间、BOM成本高、可靠性隐患多……等一系列的技术瓶颈。 别急,**MPS重磅推出新一代高集成多路

技术干货丨借助GaN双向开关革新电源设计
技术干货丨借助GaN双向开关革新电源设计

随着全球电源需求正出现前所未有的激增,设计人员不断面临挑战,需要在个人设备、AI基础设施、太阳能、电池系统、电机及车辆等多种领域中实现更小的系统尺寸,并以更高的效率提供更高的功率水平。 氮化镓(GaN)以其优越的半导体特性,正在推动一场变革,引领着电力电子领域的真正复兴。这一变革得益于前所未有的快速、小巧电力开关的问世。 高电压GaN双向开关(BDS)通过在单个器件内实现双向电流导通和阻断,从而助

限时报名中丨东芝3kW服务器电源的参考设计介绍

还在为器件选型、模块自研、研发周期短等问题而头疼? 东芝半导体线上研讨会重磅来袭,直击服务器电源设计核心痛点,解锁参考设计应用全流程,帮您轻松搞定设计难题。 东芝3kW服务器电源的参考设计介绍 本次研讨会聚焦工程师高频设计困扰,从电路设计、技术特点、使用方法到应用领域全面解析,全面为您介绍东芝参考设计库,并带来服务器3kW电源参考设计分享,结合SiC MOSFET技术亮点,助力提升电源功率密度。

东芝线上研讨会报名开启丨东芝3kW服务器电源的参考设计介绍

还在为器件选型、模块自研、研发周期短等问题而头疼? 东芝半导体线上研讨会重磅来袭,直击服务器电源设计核心痛点,解锁参考设计应用全流程,帮您轻松搞定设计难题。 本次研讨会聚焦工程师高频设计困扰,从电路设计、技术特点、使用方法到应用领域全面解析,同时为您介绍东芝参考设计库,并带来服务器3kW电源参考设计分享,结合SiC MOSFET技术亮点,助力提升电源功率密度。 研讨会主题 东芝3kW服务器电源的参

解决半导体测试与 ATE 电源设计中的四大关键挑战
解决半导体测试与 ATE 电源设计中的四大关键挑战

简介 由于人工智能 (AI)、5G、物联网 (IoT) 和电动汽车 (EV) 的快速发展,近年来对半导体测试仪和自动测试设备(ATE) 的需求持续增长。这些行业的芯片越来越复杂,因此需要更强大、更精确的 ATE 来进行测试。在设计半导体测试设备的电源时,随着这些测试仪的复杂性不断增加,通常会导致电流要求不断提高,并需要考虑许多其他特殊注意事项。 选择直流/直流转换器时,通常对噪声和频率有严格的要求

碳化硅赋能浪潮教程:利用 SiC CJFET替代超结 MOSFET
碳化硅赋能浪潮教程:利用 SiC CJFET替代超结 MOSFET

碳化硅(SiC)凭借其优异的材料特性,在服务器、工业电源等关键领域掀起技术变革浪潮。本教程聚焦 SiC 尤其是 SiC JFET 系列器件,从碳化硅如何重构电源设计逻辑出发,剖析其在工业与服务器电源场景的应用价值。 本文将介绍利用 SiC CJFET替代超结 MOSFET以及开关电源应用。 1 利用 SiC CJFET替代超结 MOSFET 安森美与竞品对比 本表对比了安森美(onsemi) El

TI 2026 电源研讨会,赋能下一代电源设计!

2026 德州仪器 (TI) 电源设计研讨会已于日前在深圳、北京、西安、上海、杭州五城巡回举办,顺利落幕。 本次研讨会围绕高效、高功率密度及智能控制的核心行业趋势,通过八大深度技术议题系统性地输出了涵盖基础拓扑、先进材料 (GaN)、创新结构(平面变压器)、数字控制及精密检测等在内的核心技术知识,为电源工程师提供了一场从基础理论到前沿实战的全方位知识赋能。 硬核知识,技术干货大放送 从搞定 PCB

碳化硅赋能浪潮教程:替代Si 和SiC MOSFET的方案
碳化硅赋能浪潮教程:替代Si 和SiC MOSFET的方案

碳化硅(SiC)凭借其优异的材料特性,在服务器、工业电源等关键领域掀起技术变革浪潮。本教程聚焦 SiC 尤其是 SiC JFET 系列器件,从碳化硅如何重构电源设计逻辑出发,剖析其在工业与服务器电源场景的应用价值。 本文为第二篇,将介绍三种替代 Si 和 SiC MOSFET的方案 SiC JFET、SiC Combo JFET、SiC Cascode JFET、SiC MOSFET的核心要点 S

碳化硅赋能浪潮教程:SiC Cascode JFET与SiC Combo JFET深度解析
碳化硅赋能浪潮教程:SiC Cascode JFET与SiC Combo JFET深度解析

碳化硅(SiC)凭借其优异的材料特性,在服务器、工业电源等关键领域掀起技术变革浪潮。本教程聚焦 SiC 尤其是 SiC JFET 系列器件,从碳化硅如何重构电源设计逻辑出发,剖析其在工业与服务器电源场景的应用价值。 本文为第三篇,将介绍SiC Cascode JFET的动态特性、SiC Combo JFET的应用灵活性。 SiC CJFET: 性价比优势 对于当前市场上任意给定的半导体封装,CJF

ST微型驱动器助力小型家电设计:封装更小巧,布局更灵活
ST微型驱动器助力小型家电设计:封装更小巧,布局更灵活

驱动器级创新产生重大突破,简化交流电源控制设计 意法半导体(ST)发布了一款体积非常紧凑的晶闸管栅极驱动器。新产品专为吹风机等交流电小家电开发设计,内置创新的隔离型变压器,可实现更简洁、更纤薄的电源设计。 新微型驱动器STSID140-12采用5.35mm×3.45mm无引线DFN封装,高度仅1.2mm。嵌入式变压器安装在封装基板上,虽然变压器尺寸很小,但是绝缘电压可达到1250V(RMS),确保

【工程师笔记】都可以升压,Boost、Buck-Boost、Sepic拓扑怎么选?
【工程师笔记】都可以升压,Boost、Buck-Boost、Sepic拓扑怎么选?

工程师们在做电源设计时经常会有升压的需求,而常用的Boost、Buck-Boost、Sepic拓扑均可实现升压。这些拓扑有什么区别,该选哪个呢? 先来简单了解一下 这三种拓扑的基本原理 Boost 在一个周期内,当MOS管Q1导通时,二极管D1截止,输入给电感L1储能,输出需要的能量靠输出电容维持;当MOS管Q1关断时,二极管D1导通,输入源和电感L1共同给输出提供能量。 通过理论推导可以得到,

T2PAK封装详解:顶部散热与无引线设计提升功率密度
T2PAK封装详解:顶部散热与无引线设计提升功率密度

本文详细介绍了安森美的T2PAK封装结构及其关键规格参数,包括顶部散热、无引线设计等优势,以及其在高效率、高密度电源设计中的应用。

UC3844控制器多路输出双管正激开关电源设计详解
UC3844控制器多路输出双管正激开关电源设计详解

本文介绍了一种采用UC3844控制器的多路输出双管正激开关电源的设计,包括其工作原理、电路结构及实验结果。该设计适用于宽范围电压输入场合,并通过LM350稳压器提高输出精度。

COT控制模式电源稳定性:Bode图不再是唯一标准
COT控制模式电源稳定性:Bode图不再是唯一标准

本文详细解析了COT控制模式在电源设计中的应用,特别是其与传统电压和电流控制模式的区别。通过时域波形分析,探讨了COT架构下的稳定性测试方法,并提供了实际测试数据。

铁道机车辅助电源系统详解:三相交流与直流电源设计方案
铁道机车辅助电源系统详解:三相交流与直流电源设计方案

引言 为保证列车牵引 、制动等系统的正常运行 , 车上设有各种必需的辅助装置 , 包括各冷却用风机 、 变压器冷却用油泵、变流器冷却用水泵 , 为制动 、受电弓等各种气动机械装置提供风源的空气压缩机等。 此外 ,为保证良好 、舒适的