碳化硅赋能浪潮教程：CJFET缓冲电路的设计逻辑
碳化硅（SiC）凭借其优异的材料特性，在服务器、工业电源等关键领域掀起技术变革浪潮。本教程聚焦 SiC 尤其是 SiC JFET 系列器件，从碳化硅如何重构电源设计逻辑出发，剖析其在工业与服务器电源场景的应用价值。 本文将介绍CJFET通常需要配置缓冲电路的原因。 什么是缓冲电路？ 缓冲电路可为采用安森美（onsemi） SiC cascode JFET（CJFET）的功率电路提供开关速度控制和振
搜索 "电源设计" 共找到 18 篇文章
报名开启｜英飞凌AI服务器电源优化线上研讨会：Si/GaN/SiC组合方案，解锁下一代数据中心能效新高度
AI算力爆发，数据中心机架功率持续攀升，高功率密度、高能效、高可靠性已成为AI服务器电源设计的核心挑战。如何通过先进半导体技术与拓扑方案，让电源系统适配下一代AI算力需求？ 英飞凌特邀行业专家，带来中文专场线上研讨会，聚焦AI服务器电源全链路技术，分享硅、氮化镓、碳化硅融合方案与实战参考设计，助力工程师优化电源架构、提升系统性能。 会议亮点抢先看 1. 直击AI服务器电源核心痛点 深度解析下一代A
新品发布 | 1颗顶9颗！MPS新品PMIC破解汽车SoC供电难题，ASIL-D功能安全+16A输出太能打！
随着智能汽车向域控化、中央计算架构演进，新一代智能座舱、自动驾驶SoC的性能边界被不断刷新。但性能飞跃的背后，是一道棘手的电源设计难题： 大电流需求激增、多路独立电源轨并行、上下电时序复杂、瞬态响应和纹波噪声要求严苛……再叠加汽车行业“性命攸关”的高等级功能安全要求，传统分立电源IC方案正面临着布板占空间、BOM成本高、可靠性隐患多……等一系列的技术瓶颈。 别急，**MPS重磅推出新一代高集成多路
技术干货丨借助GaN双向开关革新电源设计
随着全球电源需求正出现前所未有的激增，设计人员不断面临挑战，需要在个人设备、AI基础设施、太阳能、电池系统、电机及车辆等多种领域中实现更小的系统尺寸，并以更高的效率提供更高的功率水平。 氮化镓（GaN）以其优越的半导体特性，正在推动一场变革，引领着电力电子领域的真正复兴。这一变革得益于前所未有的快速、小巧电力开关的问世。 高电压GaN双向开关（BDS）通过在单个器件内实现双向电流导通和阻断，从而助
限时报名中丨东芝3kW服务器电源的参考设计介绍
还在为器件选型、模块自研、研发周期短等问题而头疼？ 东芝半导体线上研讨会重磅来袭，直击服务器电源设计核心痛点，解锁参考设计应用全流程，帮您轻松搞定设计难题。 东芝3kW服务器电源的参考设计介绍 本次研讨会聚焦工程师高频设计困扰，从电路设计、技术特点、使用方法到应用领域全面解析，全面为您介绍东芝参考设计库，并带来服务器3kW电源参考设计分享，结合SiC MOSFET技术亮点，助力提升电源功率密度。
东芝线上研讨会报名开启丨东芝3kW服务器电源的参考设计介绍
还在为器件选型、模块自研、研发周期短等问题而头疼？ 东芝半导体线上研讨会重磅来袭，直击服务器电源设计核心痛点，解锁参考设计应用全流程，帮您轻松搞定设计难题。 本次研讨会聚焦工程师高频设计困扰，从电路设计、技术特点、使用方法到应用领域全面解析，同时为您介绍东芝参考设计库，并带来服务器3kW电源参考设计分享，结合SiC MOSFET技术亮点，助力提升电源功率密度。 研讨会主题 东芝3kW服务器电源的参
解决半导体测试与 ATE 电源设计中的四大关键挑战
简介 由于人工智能 (AI)、5G、物联网 (IoT) 和电动汽车 (EV) 的快速发展，近年来对半导体测试仪和自动测试设备(ATE) 的需求持续增长。这些行业的芯片越来越复杂，因此需要更强大、更精确的 ATE 来进行测试。在设计半导体测试设备的电源时，随着这些测试仪的复杂性不断增加，通常会导致电流要求不断提高，并需要考虑许多其他特殊注意事项。 选择直流/直流转换器时，通常对噪声和频率有严格的要求
碳化硅赋能浪潮教程：利用 SiC CJFET替代超结 MOSFET
碳化硅（SiC）凭借其优异的材料特性，在服务器、工业电源等关键领域掀起技术变革浪潮。本教程聚焦 SiC 尤其是 SiC JFET 系列器件，从碳化硅如何重构电源设计逻辑出发，剖析其在工业与服务器电源场景的应用价值。 本文将介绍利用 SiC CJFET替代超结 MOSFET以及开关电源应用。 1 利用 SiC CJFET替代超结 MOSFET 安森美与竞品对比 本表对比了安森美（onsemi） El
TI 2026 电源研讨会，赋能下一代电源设计！
2026 德州仪器 (TI) 电源设计研讨会已于日前在深圳、北京、西安、上海、杭州五城巡回举办，顺利落幕。 本次研讨会围绕高效、高功率密度及智能控制的核心行业趋势，通过八大深度技术议题系统性地输出了涵盖基础拓扑、先进材料 (GaN)、创新结构（平面变压器）、数字控制及精密检测等在内的核心技术知识，为电源工程师提供了一场从基础理论到前沿实战的全方位知识赋能。 硬核知识，技术干货大放送 从搞定 PCB
碳化硅赋能浪潮教程：替代Si 和SiC MOSFET的方案
碳化硅（SiC）凭借其优异的材料特性，在服务器、工业电源等关键领域掀起技术变革浪潮。本教程聚焦 SiC 尤其是 SiC JFET 系列器件，从碳化硅如何重构电源设计逻辑出发，剖析其在工业与服务器电源场景的应用价值。 本文为第二篇，将介绍三种替代 Si 和 SiC MOSFET的方案 SiC JFET、SiC Combo JFET、SiC Cascode JFET、SiC MOSFET的核心要点 S
碳化硅赋能浪潮教程：SiC Cascode JFET与SiC Combo JFET深度解析
碳化硅（SiC）凭借其优异的材料特性，在服务器、工业电源等关键领域掀起技术变革浪潮。本教程聚焦 SiC 尤其是 SiC JFET 系列器件，从碳化硅如何重构电源设计逻辑出发，剖析其在工业与服务器电源场景的应用价值。 本文为第三篇，将介绍SiC Cascode JFET的动态特性、SiC Combo JFET的应用灵活性。 SiC CJFET: 性价比优势 对于当前市场上任意给定的半导体封装，CJF
ST微型驱动器助力小型家电设计：封装更小巧，布局更灵活
驱动器级创新产生重大突破，简化交流电源控制设计 意法半导体（ST）发布了一款体积非常紧凑的晶闸管栅极驱动器。新产品专为吹风机等交流电小家电开发设计，内置创新的隔离型变压器，可实现更简洁、更纤薄的电源设计。 新微型驱动器STSID140-12采用5.35mm×3.45mm无引线DFN封装，高度仅1.2mm。嵌入式变压器安装在封装基板上，虽然变压器尺寸很小，但是绝缘电压可达到1250V(RMS)，确保
【工程师笔记】都可以升压，Boost、Buck-Boost、Sepic拓扑怎么选？
工程师们在做电源设计时经常会有升压的需求，而常用的Boost、Buck-Boost、Sepic拓扑均可实现升压。这些拓扑有什么区别，该选哪个呢？ 先来简单了解一下 这三种拓扑的基本原理 Boost 在一个周期内，当MOS管Q1导通时，二极管D1截止，输入给电感L1储能，输出需要的能量靠输出电容维持；当MOS管Q1关断时，二极管D1导通，输入源和电感L1共同给输出提供能量。 通过理论推导可以得到，
T2PAK封装详解：顶部散热与无引线设计提升功率密度
本文详细介绍了安森美的T2PAK封装结构及其关键规格参数，包括顶部散热、无引线设计等优势，以及其在高效率、高密度电源设计中的应用。
UC3844控制器多路输出双管正激开关电源设计详解
本文介绍了一种采用UC3844控制器的多路输出双管正激开关电源的设计，包括其工作原理、电路结构及实验结果。该设计适用于宽范围电压输入场合，并通过LM350稳压器提高输出精度。