【技术干货】无源器件与磁性器件在ADAS应用中扮演的角色
简介 高级辅助驾驶系统（ADAS）与自动驾驶技术的飞速发展，正在重塑汽车电子架构的每一个层面。从多传感器融合、高算力决策单元，到稳定可靠的执行机构，现代智能汽车对电子元器件的性能、可靠性与集成度提出了前所未有的严苛要求。尤其在电源管理、信号传输、电磁兼容与高频滤波等关键环节，任何一颗微小元器件的失效，都可能导致整个系统功能的崩溃，甚至危及行车安全。本文将为您介绍YAGEO（国巨）凭借其旗下KEME
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夏季热失控事故频发，48V架构能否成为电动汽车的“救命稻草”？
今年入夏以来，全国多地连续发布高温预警，电动汽车的“续航焦虑”再次被推上风口浪尖——但这一次，焦点不再是电池容量，而是热管理。 随着汽车电气化与智能化进程的加速，电驱系统功率密度大幅跃升，传统的12V低压架构在驱动电子水泵、冷却风扇、油泵等高功率附件时早已捉襟见肘——“热”不再只是舒适性问题，而是关乎整车安全与续航效率的核心命门。正是在这一背景下，48V架构凭借在传输效率与功率密度上的显著优势，成
MLCC深度分析：AI服务器背后的“小电容”，为什么正在被重新定价？
在半导体产业链中，MLCC长期被称为“电子工业大米”。它不像GPU、CPU、HBM那样站在聚光灯下，也不像先进制程、光刻机、先进封装那样自带技术叙事，但几乎所有电子设备都离不开它。 手机主板上有它，汽车电控系统里有它，服务器电源模块里有它，GPU加速卡周边也有它。MLCC看起来只是一个极小的片式电容，但它承担的是去耦、滤波、稳压、储能、抑制噪声和改善电源完整性的基础功能。电子系统越复杂，芯片功耗
芯片PPA设计是什么？
本文介绍了硅芯片的兼顾功耗、性能和面积的设计理念和思路。 在硅芯片设计中，PPA作为功耗（Power）、性能（Performance）和面积（Area）的统称，是评估芯片设计质量与效率的三大核心指标。这三个指标共同决定了芯片的物理实现成本、工作能耗以及任务处理能力，也是芯片能否在特定应用场景中具备市场竞争力的关键所在。任何一个维度的改动，通常都会对另外两个维度产生连锁反应，因此设计人员往往需要在
平行缝焊抗盐雾性能
本文主要讲述平行缝焊抗盐雾性能。 腐蚀现象 盐雾试验是一种模拟沿海大气环境对电子器件侵蚀效果的加速腐蚀测试手段。金属或防护涂层会在化学作用与电化学作用的共同影响下，出现持续性损伤破坏，常见腐蚀表现包含表面析出腐蚀沉积物、产生色斑、针孔、蚀坑以及涂层起皮剥落等缺陷。 相关试验研究表明，平行缝焊密封成型的器件，在24小时盐雾环境放置后，焊缝周边区域会出现大面积锈蚀问题（见图1）。且随着盐雾环境暴露时长
重新定义大规模数据中心存储
数据中心正处于一个转折点。AI 管道、分析平台和对象存储环境的增长速度已经超出了电力、散热和物理空间预算所能承受的范围。对于许多运营商而言，制约因素已不再是原始算力，而是在艾字节 (EB) 规模下，高效存储、移动及访问海量数据集的能力。 正因如此，美光现已正式出货245TB Micron® 6600 ION NVMe™企业级 SSD，这是目前业界容量最大的企业级数据中心 SSD1，单块硬盘即可提供
基于MCXA156的UART不定长接收实战: 轻松实现智能帧结束判定
概 述 在实际的串口通信开发中，“数据长度不固定”几乎是一个不可回避的场景。例如，上位机发送的AT指令、智能传感器输出的数据帧，往往根据业务逻辑动态变化。这类不定长数据接收如果仍然采用传统的定长接收方式（例如每次固定接收16字节），不仅效率低下，还容易导致数据截断或冗余处理问题。因此，如何准确识别一帧数据的结束位置，成为UART通信设计中的关键环节。 目前，NXP SDK提供的示例大多基于LPU
如何破解AI数据中心能效难题？
近期，功率半导体器件市场景气度显著回升，呈现“量价齐升”态势，多家主流厂商发布调价通知，MOSFET等核心产品价格普遍上调10%以上。 这一市场动向的背后，是AI算力基础设施的蓬勃建设、数据中心电源架构升级以及工业自动化需求等多股力量的强劲驱动。在这一背景下，数据中心、工业电源系统和云计算平台对低损耗、高功率密度的功率开关器件提出了更高要求，安富利的合作伙伴安森美推出的T10 MOSFET技术，为
光刻工艺的坐标地图：FEM
本文主要讲述光刻工艺的坐标地图FEM。 在芯片光刻中，工程师经常提到“做个FEM”。这其实是光刻工艺调试中最基础也最关键的一步。今天我们就来拆解一下，FEM是什么，以及焦距和能量这两个参数如何决定光刻的成败。 什么是FEM？ FEM是Focus Exposure Matrix的缩写，中文叫焦距能量矩阵。简单说，就是在同一片晶圆上，系统性地改变光刻机的焦距和曝光能量，然后显影，看看哪一组参数刻出来
未来光刻替代技术—NIL技术介绍
本文主要讲述NIL技术。 目光投向EUV光刻之外的技术路线。纳米压印光刻（Nanoimprint Lithography，简称NIL）作为一种有力的补充方案，近期因佳能推出相关设备而备受关注，业界看好其打破传统光刻机垄断的潜力。 原理与工艺差异 传统光刻技术（包括DUV和EUV）的本质是利用光源通过掩模版对光刻胶进行图案化，其分辨率由光源波长决定。工艺流程包括涂布光刻胶、掩模对位、曝
利用电流基准开关稳压器设计来优化LDO裕量控制
设计高效且低噪声的电源解决方案，对于利用高性能模拟信号链的噪声敏感型系统至关重要。然而，对于不同的系统和频率范围，噪声敏感度有所不同。有些应用（如超声成像）特别容易受到低频或1/f噪声的影响。采用高性能数据转换器的系统则很容易受到互调失真的影响，其中基频输出纹波可与载波信号相互作用，产生和差量。这些多余的频率边带分量可能导致数据转换器的信噪比(SNR)和无杂散动态范围(SFDR)显著下降。此外，电
如何让电机的“行动”完美跟上MCU的“思考”？
当边缘 AI 开始介入实时控制，当汽车电子与高端装备对能效比提出极致要求，“MCU 如何思考”与“电机如何行动”已不再是孤立的技术命题，而是一场系统级的协同进化。 MCU 嵌入式论坛与电机驱动控制论坛应势而来，集结全产业链技术领袖，共同探讨如何让电机的“行动”完美跟上 MCU 的“思考”，定义下一代智能控制的技术走向。 7月16日，我们将在深圳南山科兴科学园国际会议中心同步举办MCU嵌入式论
都是硬件工程师，为啥我搞DIY，总是烂尾？！
一、为什么我的DIY总是烂尾？ 每一个搞硬件的人，可能都有过这样的瞬间： 脑子里闪过一个绝妙的idea，连夜画好了PCB图，甚至连外壳的 3D 模型都建好了。 结果，一看打板、买元器件、SMT、3D打印外壳的账单……瞬间冷静。 为了给爱好买单 钱包真的太遭罪了！ 二、于是我发现了这个 做项目 “不花钱”的活动…… 这个活动就是，嘉立创EDA隶属的立创开源硬件平台主办的开源助力活动——星火
技术干货｜适用于人形机器人的Ki无线对接与充电
面向人形机器人的对接式充电模型 随着人形机器人从研究实验室走向实际部署，系统设计人员在各种环境中都面临着一系列新的期望。这些机器人正越来越多地被考虑用于家庭、工业设施以及餐厅、医院和仓库等商业场所。在其中每一种应用场景中，人形机器人都必须能够在人群周围安全运行，自然融入现有空间，并在尽可能少的用户干预下自主工作。 要实现真正的人形机器人自主性，最根本的挑战之一是如何在无人监督的情况下进行可靠、安
ST与量子计算：为一个新的计算前沿带来规模化制造能力
专访意法半导体全球技术研发执行副总裁Laurent MALIER 在工业半导体深耕多年的意法半导体正式进军量子计算机领域，准备借助其深厚的技术沉淀和知识积累推动硅基量子计算机处理器的商用化进程，满足实际应用部署对高品质、扩展性和成本管控的要求。依托垂直整合制造（IDM）模式、法国克罗勒（Crolles）工厂先进的300毫米生产线，以及全耗尽绝缘体上硅（FD-SOI）技术平台，意法
ST新GaN半导体器件提升能效，主打AI服务器、机器人等高需求应用
700V PowerGaN功率器件提升能效，缩减电源设计体积，适用于AI服务器、机器人、工业设备，以及家电等高端消费类产品 意法半导体新氮化镓（GaN）功率晶体管赋能高需求电气化应用提升能效和功率密度。新推出的700V PowerGaN氮化镓功率器件属于STPOWER产品组合，能够解决人工智能服务器耗电量不断攀升的能效难题，还可以克服市场需要更高的电源转换性能而传统硅基器件已经达到技术极限的行业挑
意法半导体推出内置AI的高性能振动传感器，赋能工业状态监测
工业级振动传感器，测量带宽和动态范围新标杆 内置智能传感器处理单元（ISPU 2.0），提升信号处理与边缘人工智能性能，同时降低功耗 率先在工业状态监测市场上推出很有竞争力的压电传感器替代方案，用于状态监测，结合了性能、轻量化设计、易于集成、超精度和能效 意法半导体（ST）推出一款智能振动传感器，以满足工业状态监测市场的高准确度、高可靠性和低功耗需求。 IIS3DWB10IS振动
深入解读SiC MOSFET栅极开关不稳定性(GSI)
在关于碳化硅（SiC）MOSFET 的栅极不稳定性的研究中，除了上期介绍的的 DC BTI，还有一种碳化硅专属的退化机制—— 栅极开关不稳定性（GSI），它在高频开关的实际应用中引发的参数漂移，远超传统 DC BTI 测试的结果，成为影响 SiC 器件长期稳定运行的关键问题。而英飞凌不仅是最早发现并命名 GSI 的企业，更通过深度研究、结构创新和工艺优化，实现了对 GSI 的极致控制，让 Cool
AuSn焊料环平行缝焊
本文主要讲述AuSn焊料环平行缝焊。 原理及方法 AuSn焊料环平行缝焊的核心工艺原理为：设备左右电极轮在电机驱动下，对器件盖板施加恒定压力，使电极轮与盖板接触位置形成稳定接触电阻。与此同时，主电源释放高频脉冲电流，电流通过接触电阻产生大量焦耳热，使局部温度快速升至AuSn焊料环熔点以上，实现焊料熔融。待电极轮移开后，熔融状态的焊料随温度降低逐步凝固，将盖板、AuSn焊料环与器件管壳紧密密封为一体
ADI是什么？有什么作用？
本文主要讲述ADI。 在半导体芯片制造的光刻工艺中，显影后检测（After Development Inspection，简称ADI）是一个关键的质量控制环节。它位于光刻工艺的显影步骤完成之后、刻蚀工艺开始之前，主要目的是确认光刻胶上形成的图形是否符合设计要求。 ADI在光刻工艺中的位置 光刻工艺的基本流程包括涂胶、曝光和显影三个主要步骤。首先在晶圆表面涂上光刻胶，然后通过光刻机将设计图形曝光到光