混合集成电路中的厚膜与薄膜工艺
本文介绍了混合集成电路中的厚膜与薄膜工艺。 混合集成电路 混合技术是把两种或多种集成电路芯片放在一起,有时还会加入电阻、电容等分立元件,最后封装在同一个管壳中,这样做成的电路叫混合集成电路。 和单片集成电路相比,混合集成电路通常体积更大,成本也更高,不过,它可以同时使用不同工艺的优点,电路性能往往更好,在高精度A/D、D/A转换器、精密有源滤波器等模拟电路中,这种优势很重要。 标准MOS和双极工艺
汇集电子工程领域最新资讯、深度技术解析、芯片评测与行业动态,助力电子工程师成长。
本文介绍了混合集成电路中的厚膜与薄膜工艺。 混合集成电路 混合技术是把两种或多种集成电路芯片放在一起,有时还会加入电阻、电容等分立元件,最后封装在同一个管壳中,这样做成的电路叫混合集成电路。 和单片集成电路相比,混合集成电路通常体积更大,成本也更高,不过,它可以同时使用不同工艺的优点,电路性能往往更好,在高精度A/D、D/A转换器、精密有源滤波器等模拟电路中,这种优势很重要。 标准MOS和双极工艺
外延层的基本概念 外延(Epitaxy)是指在经过切、磨、抛等加工的单晶衬底上生长一层新单晶的过程。这层新生单晶层按衬底晶相延伸生长,故称为外延层(Epitaxial Layer),厚度通常为几微米。外延层与衬底可以是同一材料,也可以是不同材料,分别称为同质外延和异质外延。长了外延层的衬底称为外延片。外延生长的方法包括分子束外延(MBE)、金属有机CVD(MOCVD)和气相外延(VPE)等。
本文介绍了GPU 相关常见术语。 CPU像总经理,GPU像几万个熟练工人;CUDA 像管理这些工人的操作手册,HBM 像高速仓库,NVLink 像工厂之间的专用高铁。AI 模型越大、Token 调用越多,对 GPU、显存、互联、电力和散热的要求就越高。 你可以把 GPU 理解成:一座有成千上万个“小工人”的计算工厂,特别擅长同时处理大量重复计算,所以非常适合 AI、图形渲染、科学计算和大模型训练。
双极集成电路工艺与主要器件制造 双极工艺中最基本的有源器件是npn和pnp晶体管,它们都由三层半导体材料组成,中间一层的导电类型与两边不同,这三层材料可以上下排列,也可以横向排列,所以会形成垂直晶体管和横向晶体管。 双极工艺不只能制造晶体管,还能制造电阻器、电容器、二极管、齐纳二极管,有些工艺也能制造结型场效应晶体管。 设计双极集成电路时,不能像使用分立器件那样自由选择参数,器件的尺寸、掺杂浓度
在高性能计算领域,AI芯片需要海量数据带宽,而HBM(高带宽内存)正是为此而生。HBM的核心技术之一,就是TSV(硅通孔)——一种垂直贯穿芯片的导电通道,让数据不再绕行,而是直接穿墙而过。 图片展示的是TSV在3D堆叠中的典型应用。多个DRAM芯片垂直堆叠在一起,芯片之间通过微凸点(micro bump)和TSV实现电气连接,最下方通过封装基板与逻辑芯片通信。TSV的尺寸通常在直径5微米、深度
引言 小型隔离式电源可在电动汽车牵引逆变器、工厂控制模块等各种应用中跨越隔离屏障提供电力。本《电源设计小贴士》将剖析不同的隔离式偏置电源拓扑及其电磁干扰 (EMI) 性能。如您所见,隔离式变压器两端的寄生电容是导致共模噪声传播的主要因素**。** 隔离栅极驱动为何需要偏置电源 在牵引逆变器中,栅极驱动器会驱动大功率开关(通常为绝缘栅双极晶体管 (IGBT) 或碳化硅 (SiC) MOSFET),实
面向软件定义汽车和48V区域架构,恩智浦新一代智能eFuse致力于帮助客户从传统配电保护升级到具备自主感知、自主保护和低功耗管理能力的智能电源分配架构。 随着区域架构、集中式计算和软件定义汽车的发展,车载电源分配系统正在承担更多关键任务。越来越多负载需要长期在线,系统既要保持可靠供电,又要降低静态功耗、抑制浪涌电流,并满足更高等级的诊断与保护需求。 常电负载增多,整车待机功耗控制难度提升;
如今,AI-IoT产业正在迎来“技术突破”与“规模应用”的双重拐点,而机器人作为物理AI应用落地的一个重要载体,承载着“将数字智能融入物理世界”的重要使命。 在日前举办的2026第七届国际AI-IoT生态发展大会上,恩智浦从前瞻性的芯片产品到一站式的解决方案,全面展示了公司快速响应市场需求,着力打造的完整机器人技术生态。 在活动中,恩智浦的i.MX RT1180跨界MCU荣获了“年度创新技术产品奖
本文介绍了ATG(地空通信)是什么,怎么实现。 到底什么是ATG? 我们先来回顾一下,到底什么是ATG。 ATG,就是Air To Ground,空对地通信,也叫地空通信。 ATG是一种非常特殊的通信技术,专门为天上的飞机提供服务。 简单来说,就是沿着飞机的航线,设置大量的地面基站。基站的天线朝向天空,为飞机提供移动通信信号覆盖,以此实现飞机的互联网连接。 ATG(地空通信) 如今这个信息时代
电子特种气体是纯度达到99.999%(5N)以上的特种气体,是半导体、显示面板、光伏等高科技产业制造过程中的关键材料。在集成电路从裸硅片到成品芯片的晶圆制造全流程中,超过一半的工序要用到电子特种气体。芯片制造需经历上千道工序,约70%的环节依赖电子特气。这些气体贯穿薄膜沉积、图形化刻蚀、离子注入掺杂、晶圆清洗等核心工艺,直接影响芯片的性能、良率和可靠性。电子特气堪称半导体工业的“隐形血液”。 电子
本文介绍了AI芯片的封装基板越做越大趋势。 从图片可以清楚看到,先进封装的基板尺寸正在快速膨胀。这背后是AI芯片对算力和带宽的无尽渴求。 图(a)是比较“传统”的配置:一颗逻辑芯片加上四颗HBM(高带宽内存),通过中介层连接,再整体贴在积层基板上。这是两年前高端GPU的典型方案,基板尺寸还算适中。 图(b)开始明显变大:逻辑芯片不变,但HBM增加到六颗。更多内存意味着更大的数据带宽,但也意味着
工医疗成像前端、通信接收机中频采样、便携式工业仪表、低功耗数字示波器,四大赛道均存在统一采集需求:14bit 分辨率、50MSPS 高速采样,同时对芯片体积、整机功耗、供应链稳定性提出硬性约束。在国产化加速的背景下,工程师关注的已不仅是参数达标,而是真正具备量产能力、供货稳定且批量一致性良好的国产高速 ADC。当器件进入 BOM,其能否直接替换既有板卡、性能是否满足量产要求,往往比规格参数更具决定
当前MCU行业正在经历深刻变革,从单纯硬件驱动,向端侧AI、低功耗联网、工业高可靠等多需求叠加趋势演化。这种变革主要体现在三个层面:首先是AI技术向终端下沉,MCU正从传统控制芯片进化为轻量化边缘计算平台;其次是Arm®与RISC-V双架构并行成为常态,开发者急需统一且高效的开发工具来打破多架构间的割裂壁垒;最后是国产MCU的竞争已经从“比拼芯片性能”升级到“比拼全栈生态能力”。 面对这一命题,软
EUV光是怎么发出来的?先把锡变成等离子体,用超高功率激光(CO₂ 激光)聚焦轰击锡靶,瞬间把锡加热到几十万度。这么高的温度下,锡原子的外层电子被剥离掉很多个,变成高电离态离子—失去 8~14 个电子,形成 Sn⁸⁺ 到 Sn¹⁴⁺ 这样的多价离子。 再是电子在能级间跃迁 → 发光。这些高电离态锡离子里,还剩的电子处于高能级。当电子从高能级跃迁到低能级时,把能级差以光子形式辐射出来,也就产生了EU
本文将介绍刻蚀选择比决定因素和刻蚀不稳定性排除思路。 选择比不稳时,第一反应不要只盯刻蚀速率,更不要直接把功率、时间、气体流量一起改。 很多刻蚀异常看起来都是“没刻干净”或“刻过了”,但真正要分开判断的是三件事:选择比有没有变化;各向异性有没有变差;片内、片间或批次间均匀性有没有漂移。 这三件事对应的排查路径不同。如果混在一起看,很容易把残留、过刻、侧蚀和检测误差都归因到“参数没调好”。 先把
人形机器人正站在规模化商用的前夕,但工程师们仍深陷于一组根本性的矛盾之中:关节既要强劲有力,又必须冷静克制;手指需要精准灵敏,却只能在方寸之间施展;系统渴望持久续航,但每一克重量和每一毫焦热量都是敌人。 这不仅是工程问题,更是物理极限下的“平衡术”。 作为深耕电机驱动领域数十年的半导体厂商,东芝在电机驱动关键器件层面为机器人应用提供提供完整解决方案,核心目标只有一个——破解关节动力、精度、续航与
意法半导体L9963F车规电池管理芯片,具备混动汽车和纯电动汽车锂电池组管理系统所需的全部功能,还适用于工业储能系统和48伏、96伏电动设备。 L9963F是意法半导体成熟量产款L9963E的增强版,L9963系列现有用户无需改动软硬件,即可用L9963F直接替换L9963E。 单颗芯片可监测4至14颗串联电芯,适用于最高48V的系统。级联多颗芯片后,最多可监测31个电池组,434颗串联电芯。
随着AI算力需求持续增长,智算中心正加速向高功率、高密度、高能效演进,供配电系统也迎来全新变革。IPAC技术应用大会首次聚焦“固态变配技术赋能智算电力基建”专题,将于2026年8月25日在深圳举行IPAC 2026固态变配——英飞凌智算电力基建应用技术大会,携手行业专家、生态伙伴及高校学者,共同探索下一代智算电力基础设施的发展方向。 三大亮点抢先看 亮点一:首次聚焦固态变配技术专题 近年来,AI
设想这样一种场景:你刚完成全新电路板设计,或是满怀期待试用多款评估套件,却发现收发两端器件无法建立通信。调试千兆多媒体串行链路(GMSL)时遇到这类问题,不仅会拉长调试周期,还容易让人束手无策。GMSL是现代设备中成熟可靠的传输技术,可在汽车电子、工业设备、数字医疗、航空航天等各类严苛工况下实现高速、低时延数据传输。为此,采用系统化的方法来调试GMSL链路锁定问题十分关键。本指南梳理了实现链路锁定
书接上文,做菜好吃,靠的是火候。调试代码也一样:不只是“能熟”,而是“恰到好处”。 很多Zephyr开发者在刚接触QEMU时,往往停留在“程序跑起来就行”的阶段。但当项目开始复杂起来,HardFault、BusFault、栈溢出、异常重入等问题便会接踵而至。此时,掌握一套高效的调试方法,远比盲目猜测问题原因更加重要。 本文将为大家带来两种方式演示如何在QEMU上调试Zephyr程序: 方式A:手