这三种存储卡的连接器各有不同！看看你了解多少？
文章**概述** 本文深入探讨了存储卡连接器在现代电子系统中的重要性及其设计要点。文章首先概述了存储卡的基本概念、类型及其发展趋势，随后详细解析了存储卡连接器的插入类型、触头配置及通信协议。此外，文章还讨论了存储卡在多个领域的应用扩展，强调了Same Sky提供的互连解决方案如何满足多样化的设计需求，确保高性能数据存储与连接的兼容性。 固态存储卡作为模块化、非易失性存储解决方案，被广泛应用于各类电
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全新操作系统？按这几步快速搞定NXP FRDM‑MCXN236 开发板的配置！
全新系统下如何从零开始配置 NXP FRDM‑MCXN236 开发板？本文带你一步步完成环境搭建：从下载并安装 MCUXpresso IDE 与 SDK，到导入官方例程并成功点亮 LED，完整展示了软硬件协同的流程。透过这个过程，你不仅能快速验证开发环境是否正常，还能为后续的应用开发打下坚实基础。 新装的操作系统还没有安装任何开发软件，那么就从0开始搭建NXP FRDM-MCXN236开发板的开发
用一个在远距离IoT连接中的模块应用 讲清楚LoRaWAN 的特性
文章**概述** 本文简要介绍了 LoRaWAN 及其功能。随后介绍了Murata Electronics的 LoRaWAN 认证模块，该模块为开发人员提供了一种即用型解决方案，可通过低功耗广域网 (LPWAN) 实现超远距离连接。为加快原型设计周期，还配套提供了开发板和软件支持。 在农业、资产跟踪、公用事业和物联网 (IoT) 等许多基于传感器的大规模生产应用中，开发人员需要提供能用于更广泛工作
世界地球日 | 紫光展锐与地球 共芯生
备注： 1.数据由紫光展锐全球创新测试中心根据展锐端侧AI芯片与云端AI芯片的能效对比测试，及《2025年全球及中国CPE行业技术发展与市场前景分析报告》（作者：头豹研究院）中关于设备能耗与市场规模的关联数据测算。 2.数据由紫光展锐全球创新测试中心根据展锐第二代5G移动芯片平台功耗，及《2025年全球智能手机应用处理器市场预测》（作者：Counterpoint Research）、《2024年全
地球日｜和安富利一起可持续发展，共建绿色未来
FY25环境韧性成就清单 今年安富利发布了首个涵盖能源、排放、废弃物和水资源四大领域的综合环境报告。 在安富利最新发布的2025财年影响力与韧性报告中，详细介绍了公司在可持续发展关键领域的表现，欢迎查阅完整报告了解更多详情。 以环保载初心，以行动护地球 这份成绩单的背后，是安富利全球14,500+员工的共同付出。以上的数据不仅显著降低了企业运营的环境足迹，更通过资源的高效循环再生，将绿色低碳理念深
搭载天玑 9500 芯，游戏性能旗舰 REDMI K90 Max 狂暴登场！
风冷双芯，性能魔王！ REDMI K90 Max 搭载天玑 9500 旗舰芯，释放强悍性能 内置 18.1mm 大尺寸风扇 165Hz 高刷电竞屏加持 全局高能、高冷、高帧 打造游戏性能旗舰新标杆！ 旗舰双芯 性能魔王 REDMI K90 Max 搭载 天玑 9500 旗舰芯，该芯片采用业界先进的第三代 3nm 制程，集成 4.21GHz 超高频大核，GPU 升级主机级光追引擎，渲染能力全面跃升。
SiC MOSFET 体二极管特性及死区时间选择
01 SiC MOSFET的体二极管及其关键特性 无论是平面栅还是沟槽栅，SiC MOSFET都采用垂直导电结构，其纵向（从漏极到源极）的层状结构是通用的，如下图所示： 图1. 沟槽型--英飞凌非对称沟栅CoolSiC™ MOSFET 图2. 平面栅型MOSFET N+衬底(Substrate)：高掺杂，作为漏极。 N-外延层(Drift Layer)：低掺杂，用于承受高阻断电压。 P-bod
High-NA EUV介绍
作为当前极紫外光刻技术的下一代演进，高数值孔径极紫外光刻（High-NA EUV）正从研发走向量产准备。它并非现有0.33 NA EUV的简单升级，而是通过将数值孔径提升至0.55，为2纳米以下逻辑节点和先进DRAM的关键层图形开辟新的工艺窗口。 技术原理与核心优势 High-NA EUV仍使用13.5nm波长的EUV光源，但将投影光学系统的数值孔径从0.33提高到0.55。根据瑞利准则，分辨率与
集成电路制造中的缺陷检测
在追求极致性能与极小特征尺寸的集成电路制造领域，任何微小的异常均可能导致芯片失效。这些异常，即制造缺陷，是影响最终产品良率、性能与可靠性的直接因素。缺陷并非呈现单一形态，而是在晶圆经历上百道工艺步骤的过程中，不断演化、累积并显现，构成一幅复杂的图景。 一、缺陷分类 前端制程（Front End of Line, FEOL）是集成电路制造中形成晶体管等核心有源器件的阶段。在这一纳米尺度的精密制造过
横向扩散金属氧化物半导体：射频功率的架构
在这个万物互联的时代，你的手机信号能够稳定覆盖数公里，背后的功臣是一个你可能从未听过的核心器件——横向扩散金属氧化物半导体，简称LDMOS。 一、横向的秘密：LDMOS的工作原理 要理解LDMOS，不妨先回忆一下普通MOSFET的结构。在普通MOSFET中，电流从源极流向漏极的方向与硅片表面平行，但控制电流的沟道长度受限于光刻精度。而LDMOS的创新在于“横向扩散”四个字。 想象一下，你需要在一
匠心攻坚 氧化物质胜 | 天马携手联想成功举办NB Oxide Workshop
匠心攻坚 氧化物质胜 近日，天马微电子与联想联合举办的NB Oxide Workshop在厦门天马光电子圆满举行。本次会议以“领悟十五五战略使命，铸就NB氧化物质量口碑” 为指引，天马微电子执行副总裁姜华玮携核心团队出席，联想质量及技术团队共同参与。双方围绕氧化物产品质量策划、风险管控、量产保证等核心议题深入研讨，并在现场签署模组AOI深化合作意向书，以实际行动践行 “共识·共行·共赢” 的合作
可靠才是硬道理：英飞凌CoolGaN™质量保障体系揭秘
氮化镓（GaN）性能优异，但客户最常问的是：它能像硅器件一样稳定工作十年以上吗？ 作为全球功率半导体领导者，英飞凌的回答不仅是数据，更是一套贯穿设计、制造、认证与应用的全生命周期质量体系。在近日专题研讨中，英飞凌专家首次系统披露了CoolGaN™背后的可靠性工程。 质量之道：言出必行，零缺陷 英飞凌的质量理念是“言出必行”，承诺零缺陷。这背后是三大支柱： 设计可靠性：基于对氮化镓物理特性的深刻
TI 全新 MCx 系列：从算法到系统集成，让无刷直流电机控制更静、更省、更快
随着开放式空间设计的普及，以及电动汽车与家电设备对静音与能效要求的不断提升，市场对更安静、更高效的电机控制需求正在显著增加。面对不断提升的系统复杂度，工程师们亟需找到能够有效缩短无刷直流（BLDC）电机控制开发周期的方法。 德州仪器的新无传感器磁场定向控制 (FOC) BLDC 电机驱动器 MCx 系列，在不影响系统性能的情况下简化了设计，通过更高集成度与图形化配置工具，BLDC 电机控制正在从“
5·14诚邀 | 2026宁波照明展必看！…这场技术交流不容错过
智慧之光 引领未来 「2026宁波照明展」 ——产品技术交流会 会议时间地址 /TIME 05.14Thu 09:30-12:00 /ADD 宁波国际会展中心7号馆论坛会议室浙江省宁波市鄞州区会展路181号 预登记尊享6重礼 快速通道/逛展礼包/VIP休息区/商贸配对/免费大巴/免费饮品 当智能控制、绿色节能、高可靠性设计，从“加分项”变为“必答题”,如何在大浪淘沙中抢占技术制高点？又如何利用差异
工厂自动化的瓶颈不是AI，是部署
工业机器人领域从来不缺AI。 国际机器人联合会数据显示，2024 年全球工业机器人装机量达 54.2 万台。开源模型与 GPU 加速训练，让工程团队借助算力与数据集即可完成有效推理。实验室演示效果理想，指标表现优异。 但大量 AI 试点项目，都卡在从实验室走向车间的环节。 核心问题不在模型性能，而在落地差距：能完成推理的 Demo，与可在工厂 24 小时稳定运行、兼容现有设备、由普通技术员维护的设