三星Q1利润狂飙755%创纪录,HBM市场“三国杀”愈演愈烈
4月29日,存储芯片巨头三星电子(Samsung Electronics)交出了一份令华尔街惊叹的“炸裂”成绩单。受人工智能(AI)基础设施建设带来的存储芯片需求井喷影响,三星2026年第一季度营业利润同比飙升超过750%,创下公司历史新高,且远超分析师预期。 根据三星发布的初步业绩指引,该公司在截至3月31日的第一季度实现了133.9万亿韩元(约合899.6亿美元)的营收,同比增长约70%;营业
「DRAM」是电子工程与半导体产业、制造工艺领域的重要技术专题。纳米网为您深度聚合了 28 篇关于 DRAM 的硬件电路设计方案、芯片选型参数对比、产业动态研判与原厂参考资料(最近更新于 2026年05月)。核心收录议题涵盖《三星Q1利润狂飙755%创纪录,HBM市场“三国杀”愈演愈烈》《两大趋势揭示AI如何重塑内存格局》《三星成功产出首颗10纳米以下DRAM工作芯片》等实战工程解析。工程师可结合站内芯片选型库与 Datasheet 资料库进行一站式方案验证。
4月29日,存储芯片巨头三星电子(Samsung Electronics)交出了一份令华尔街惊叹的“炸裂”成绩单。受人工智能(AI)基础设施建设带来的存储芯片需求井喷影响,三星2026年第一季度营业利润同比飙升超过750%,创下公司历史新高,且远超分析师预期。 根据三星发布的初步业绩指引,该公司在截至3月31日的第一季度实现了133.9万亿韩元(约合899.6亿美元)的营收,同比增长约70%;营业
尽管人工智能(AI)在2025年吸引了科技界的大部分目光,但与AI发展密切相关的存储器行业在新的一年伊始也开始崭露头角。为AI数据中心提供高带宽内存(HBM)器件的DRAM制造商正争相抢夺晶圆厂产能,而地缘政治紧张局势更令这一局面雪上加霜。 美光科技首席执行官Sanjay Mehrotra预计,2026年以后内存市场仍将保持紧张状态;更值得注意的是,他预计美光今年只能满足几家主要客户约一半到三分
据韩媒thelec最新报道,三星已成功生产出基于10纳米以下工艺的DRAM工作芯片(working die),这标志着其在克服存储器制造工艺的物理微缩极限方面,迈出了商业化应用的关键一步。 在DRAM行业的技术命名体系中,10纳米级制程节点已从1x、1y、1z演进至1d。而此次三星实现突破的“10a”节点,是首个实际线宽低于10纳米的工艺,其电路线宽估计在9.5至9.7纳米之间。 “工作芯片”是指
全球正在经历一场严重的存储短缺危机,韩国两大存储芯片巨头之间巨大的薪酬鸿沟,则可能进一步加重这项危机。 昨天,三星电子数万名员工在平泽大型工厂园区集会,集中表达对薪酬待遇的不满。他们举着“透明变革,取消工资上限”“让绩效与薪酬真正挂钩”的标语,跟随主持人高喊口号,现场情绪激昂。活动组织者称,到场人数接近 40000 人。是三星迄今规模最大的一次工人示威。 如果资方达不成诉求,员工计划自 5 月 2
4月17日晚间,时空科技同步披露2025年年度报告与重大资产重组草案,公司拟通过发行股份及支付现金方式,作价10.78亿元收购深圳市嘉合劲威电子科技有限公司(简称"嘉合劲威")100%股权,并向控股股东、实际控制人宫殿海发行股份募集配套资金。本次交易构成重大资产重组。 股份+现金对价,实控人加码锁仓 根据重组草案,嘉合劲威100%股权交易作价10.78亿元,其中以股份方式支付约5.75亿元,以现
据韩媒The Elec最新报道,三星电子已于4月17日正式停止接收LPDDR4和LPDDR4X移动DRAM的新增订单。 LPDDR4标准发布于2014年,其低功耗优化版本LPDDR4X于2017年面世,凭借低电压设计和优秀的功耗表现,迅速成为全球数十亿台移动设备的核心内存解决方案。从千元级智能手机到车载信息娱乐系统,从工业控制设备到轻薄笔记本电脑,LPDDR4/4X以成熟的技术和稳定的性能,支撑了
随着DRAM制程不断微缩,有源区鳍形结构的刻蚀形貌控制成为提升良率的关键瓶颈。产业界普遍观察到wiggling AA效应,即鳍状结构出现非均匀侧壁与弯曲畸变,严重降低电容效率与器件可靠性。然而,其物理根源长期不明,缺乏系统的表征与机理模型,导致刻蚀工艺难以精准调控。 针对上述挑战,中国科学院微电子研究所EDA中心陈睿研究员与先导中心李俊杰正高级工程师、闻静高级工程师、维也纳工业大学Lado Fil
4 月 17 日晚间,北京新时空科技股份有限公司(时空科技,605178)发布重大资产重组草案,宣布拟以10.78 亿元总价,通过发行股份和支付现金方式,收购国内存储龙头深圳市嘉合劲威电子科技有限公司 100% 股权。同时,公司拟向实控人宫殿海募集配套资金不超过 5.25 亿元,用于支付现金对价及相关费用。 深圳市嘉合劲威电子科技有限公司成立于2012年,公司专注于DRAM及NAND Flash