芝芯方案丨汽车照明的高效+智能,竟能这样完美实现?

来源:东芝半导体 汽车电子 10 次阅读
摘要:在汽车智能化、电动化的当下,LED前照灯早已不再是简单的照明工具,而是集成了自适应远光(ADB)、像素级精确控制等先进功能,成为提升夜间行车安全和汽车科技感的核心部件。 然而,功能越强大,设计挑战也越严峻:如何在有限的空间内,实现更复杂的驱动与控制?如何在高亮度、多分区调光的需求下,依然保持卓越的能效与可靠性?如何确保整个系统在各种严苛环境下稳定工作,并抵御诸如电源反接等意外风险?这正是汽车照明

在汽车智能化、电动化的当下,LED前照灯早已不再是简单的照明工具,而是集成了自适应远光(ADB)、像素级精确控制等先进功能,成为提升夜间行车安全和汽车科技感的核心部件。

然而,功能越强大,设计挑战也越严峻:如何在有限的空间内,实现更复杂的驱动与控制?如何在高亮度、多分区调光的需求下,依然保持卓越的能效与可靠性?如何确保整个系统在各种严苛环境下稳定工作,并抵御诸如电源反接等意外风险?这正是汽车照明工程师面临的普遍痛点。

针对上述挑战,东芝凭借其深厚的车规级半导体技术积累,提供了一套从电源转换、矩阵控制到电路保护的完整方案。该方案围绕汽车LED前照灯的核心系统——DC-DC转换器电路、LED矩阵控制电路、电源开/关控制及反接保护电路——精心配置,实现了三大突破,旨在助力工程师实现更低功耗、更高效率、更小体积以及符合车规级高可靠性的卓越设计。

汽车LED前照灯系统框图

突破一

如何实现高效、紧凑的电源转换?

DC-DC转换器电路负责将车载电池电压(通常为12V)稳定提升至驱动LED串所需的高压。其效率与体积直接关乎系统整体表现。

LED前照灯非隔离升压型DC-DC转换器示例

东芝给出的答案是,采用高性能U-MOS系列MOSFET,例如:XPN1300ANC(100V N沟道)与XPN12006NC(60V N沟道),两款产品均符合AEC-Q101车规标准,确保了汽车应用的可靠性。

其关键优势在于,器件拥有极低的漏极-源极导通电阻(低至9.8mΩ典型值),这意味着在电流通过时产生的热量损耗极少,电源转换效率得以大幅提升。同时,小型化超薄封装显著节省了电路板空间,完美响应了汽车电子设备日益增长的轻薄化设计需求。

突破二

如何精准、灵活地控制每一个LED像素?

LED矩阵控制电路是实现ADB等智能照明功能的大脑,需要快速、精确地开关或调节成百上千个独立的LED灯珠。

东芝提供了两种高效的控制电路方案。基础高效方案采用Semi-power MOSFET SSM6K810R。这款产品同样符合AEC-Q101标准,支持175℃的高温工作,并具备4.5V驱动能力和低导通电阻,非常适合直接驱动LED阵列,实现快速响应。

LED前照灯矩阵控制电路示例(1)

进阶紧凑方案是在SSM6K810R的基础上,增加了小型信号偏置电阻内置晶体管(BRT)RN1907FE。这款双极晶体管的最大亮点是内置了偏置电阻,可以大幅减少外部所需元件数量。这不仅缩小了系统整体尺寸,还减少了组装工时,降低了成本,是追求极致空间利用率的优选。

LED前照灯矩阵控制电路示例(2)

突破**三**

如何守护整个照明系统的“电源大门”?

电源开/关控制及反接保护电路是系统的安全卫士,负责可靠地通断电源,同时必须防止因电池接反等意外导致昂贵的LED驱动器及控制器损坏。

东芝提供专为保护而优化的两个MOSFET方案。P沟道方案采用U-MOS系列P沟道MOSFET XPN9R614MC,可以非常简洁地构建电源开关和反接保护电路,有效杜绝电源反接导致的灾难性损坏。其低导通电阻(7.4mΩ典型值)确保了在导通状态下的低功耗。

12V电源线P沟道MOSFET开关控制和

反接保护电路示例

N沟道方案使用如XPN3R804NC(40V N沟道)等U-MOS系列产品构建的保护电路。N沟道MOSFET通常具有更低的导通电阻,能实现更高的效率和更小的电压降。结合其符合AEC-Q101的车规品质与小尺寸封装,使得整个保护电路既紧凑又无比可靠。

12V电源线N沟道MOSFET开关控制和

反接保护电路示例

完整“芝芯方案”照亮智慧出行

面对汽车LED前照灯在能效、空间与可靠性上的多重设计挑战,东芝的“芝芯方案”提供了从“心脏”(电源转换)到“神经”(矩阵控制)再到“铠甲”(电路保护)的全套高性能半导体解决方案。

凭借符合AEC-Q101标准的车规级品质、卓越的电气性能[如低RDS(ON)]以及推动小型化的封装技术,东芝正助力全球汽车厂商与零部件供应商,打造出更明亮、更智能,也更安全可靠的下一代汽车照明系统,真正照亮未来智能出行之路。

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