北海道大学与京都大学揭示α-氧化镓电子与热传输特性

1月6日，华润微电子与TCL实业、中环领先在微电子总部举行战略合作协议签约仪式。本次签约标志着三方正式构建起“材料—器件/方案—终端应用”全链条协同创新模式，TCL实业CEO杜娟、华润微电子董事长何小龙、中环领先总经理王彦君共同见证签约，三方相关负责人代表企业签署协议，为此次跨界战略合作落下关键一笔。 深耕互信根基，升级战略布局 自2021年建立合作关系以来，华润微电子与TCL实业持续深化协同，

导读：近日，合肥新站高新区与安徽富乐德长江半导体材料股份有限公司举行项目签约仪式，总投资20亿元的12英寸晶圆再生项目正式落户。这不仅标志着双方合作共赢的重要开端，更是新站高新区聚力“强链、补链、延链”、优化集成电路产业生态的关键布局，为区域半导体材料产业的自主可控注入强劲动能。 一、项目落地：20亿投资夯实材料基石 本次签约的晶圆再生项目由安徽富乐德长江半导体材料股份有限公司投资建设，总投资额达

伊朗战争的余波，正通过复杂的化工产业链条，演变为半导体材料领域的新爆发点。 4月24日消息，据多位业内人士透露，日本主要的光刻材料供应商已开始向其韩国客户，包括三星电子和SK海力士，通报关键原材料的采购中断情况。这场危机的核心，是两种看似不起眼却至关重要的溶剂——丙二醇甲醚（PGME）和丙二醇甲醚乙酸酯（PGMEA）的严重短缺。 PGME和PGMEA是电子材料领域应用极为广泛的溶剂，其作用类似于

时隔两年，大连科利德又回来了。 2026年5月，这家半导体材料公司低调在大连证监局办了辅导备案，保荐人从海通证券换成了华泰联合证券，会计师事务所也换了。对熟悉A股审核节奏的人来说，这个信号很明确：科利德要二次闯关IPO了。 2024年2月，科利德第一次冲刺科创板，结果在保荐人主动撤回申请后而收场。隔了两年，换了全套中介班子从新开始。 | 这家公司到底是干什么的？ 科利德做的是电子特种气体，圈内

SEMI硅制造商小组报告显示，2026年第三季度全球硅晶圆出货量达37.56亿平方英寸，同比增长13.4%，环比增长5.1%。AI相关需求扩展和工业需求改善是主要推动因素。

Diamond Foundry宣布生长出200毫米金刚石晶圆，称其为该直径下首个连续单晶金刚石样品。该样品仍为未抛光状态，属于晶体生长里程碑，而非可量产半导体衬底。

全球表面声波级钽酸锂晶圆市场预计2026年达7.1916亿美元，到2032年增至13.8亿美元，复合年增长率11.52%。5G和射频需求推动滤波器、谐振器、传感器等应用发展。

本文主要介绍了什么是Teflon（特氟龙）。 Teflon是什么？ Teflon是聚四氟乙烯（PTFE，Polytetrafluoroethylene）的商品名，由美国杜邦公司（DuPont）注册，现在已经成为这类材料的通用叫法。 化学结构非常简单： 碳链骨架，所有氢原子被氟原子完全取代，这是它一切特性的根源。 Teflon中文俗名有哪些？ | 叫法 | 使用场景 | | 特氟龙 | 最通用，在

本文介绍了直拉单晶硅的基本制备技术及方法。 单晶硅的制造技术主要存在两种方法，分别为区熔法（FZ 法）和直拉法（CZ法）。 悬浮区熔法（FZ 法）是一种用于生产单晶硅的工艺技术，其核心在于通过熔融区域定向结晶实现晶体生长。在设备构造方面，炉体内上部通过刚性支撑结构固定高纯度多晶硅棒，底部区域配置高频感应线圈作为主要热源。该线圈通过电磁感应原理产生高温，配合特制耐火材料构筑的恒温环境，形成稳定的热力

SC-2是RCA清洗中的关键步骤，专用于去除晶圆表面的碱金属与重金属离子。它利用HCl与H₂O₂的强氧化与络合作用，消除SC-1清洗后残留的金属氢氧化物沉淀，并生成保护性氧化层。 SC-2是RCA清洗体系中的第二道清洗液，全称是Standard Clean 2，由美国RCA公司的Werner Kern在1970年发明，至今仍是半导体晶圆清洗的行业标准。 标准配方（体积比）： HCl:H2O2:H

本文介绍了光刻过程中的PEB工艺。 在半导体光刻工艺中，曝光后烘烤（Post-Exposure Bake，简称PEB）是一个位于曝光之后、显影之前的关键步骤。它通过在精确控温条件下对已曝光的晶圆进行加热，激活并完成光刻胶内的化学反应，从而将曝光阶段形成的“潜影”转化为具有清晰轮廓的物理图形。PEB的精确性和稳定性直接决定了光刻工艺的线宽控制能力、分辨率与良率。 PEB的定义与工艺位置 PEB是光刻

光刻返工是芯片制造中补救涂胶、显影等异常的关键流程，通过去胶、清洗、重新涂胶三步实现。但返工并非无损，每操作一次都会损伤晶圆，先进工艺通常限2次以内，以平衡良率、成本与质量。 在芯片制造的光刻工艺中，谁也无法保证每一次涂胶、曝光、显影都完美无缺。当出现异常时，工程师并不会直接报废整片晶圆——只要条件允许，他们会启动光刻返工流程，把晶圆“洗干净”重新来过。这就像写错字的草稿纸，用橡皮擦掉重写。但这颗

DRAM 技术正从 10nm 级向更先进节点迈进。为满足 AI 等高算力需求，电容器、晶体管与位单元架构迎来创新，同时外围电路面临热稳定性、多样化性能与成本控制的多重挑战。 几十年来，计算架构一直依赖动态随机存取存储器（DRAM）作为其主内存，提供处理单元检索数据和程序代码所需的临时存储空间。高速运行、高集成密度、高性价比以及卓越的可靠性，促成 DRAM 技术在众多电子设备中的广泛应用。 DRA

本文介绍了SC-1清洗液。 SC-1 (Standard Clean 1)，全称为标准清洗液一号，通常也叫做 APM (Ammonia Peroxide Mixture)。它是半导体制造中最著名、应用最广泛的清洗配方——RCA 清洗工艺的核心组成部分（由美国无线电公司 RCA 的 Werner Kern 于 1965 年发明）。 SC-1 的配方组成 SC-1 的经典化学配比是： 氨水 (NH3

水对人类、生态系统以及半导体生产都至关重要。每年，恩智浦的制造工厂大约使用120亿升水。2022年，我们启动了一项雄心勃勃的计划，旨在回收更多水资源并减轻对当地供水的压力。去年，我们提前两年实现了原定于2027年达成的目标——回收制造过程中60%的废水。 水在芯片制造中的关键作用 芯片是现代世界的基石。从智能手机、汽车到医疗设备和可再生能源系统，一切的核心都离不开它。然而，芯片制造是一个耗水量巨大

本文将介绍芯片制造的刻蚀工艺中的原子层蚀刻（Atomic Layer Etching, ALE）。 ALE工艺概述 随着半导体技术的发展，先进芯片的关键尺寸不断缩小，甚至要求具有复杂的三维结构，如FinFET和3D NAND闪存。这些技术的发展对刻蚀工艺提出了极高的要求，特别是在选择比和精度方面。纳米级器件结构对工艺尺寸误差的要求非常严格，一般约为其自身尺寸的10%。例如，宽度为5纳米(nm)的晶

本文主要介绍了湿法刻蚀中的介质层与金属层加工。 湿法刻蚀 在半导体制造工艺中，湿法刻蚀不仅广泛应用于硅材料本身的加工，更重要的价值体现在介质层与金属薄膜的选择性图形化过程中。无论是栅介质、隔离层、钝化层，还是后续互连结构中的金属布线，其表面加工质量都直接决定器件的电学性能与长期可靠性。因此，针对不同材料体系建立具有高选择性、高均匀性以及低损伤特征的湿法刻蚀体系，始终是微电子工艺开发中的重要内容。

本文介绍了键合及其应用。 在半导体行业追求更高性能、更低功耗的道路上，单纯缩小晶体管尺寸已经越来越难。于是，工程师们换了一个思路：既然横向不能无限缩小，那就纵向堆叠——把不同的芯片像盖楼一样一层层叠起来。这项让芯片“长高”的核心技术，就是键合技术。 键合是什么？芯片界的“强力胶”键合，简单来说就是把两片或多片晶圆（或芯片）永久性地粘合在一起，同时实现它们之间的电气互连。这可不是普通胶水能办到的。

本文介绍了黑瓷封装工艺及失效模式。 黑瓷封装工艺 黑瓷封装工艺流程如图1所示，使用能耐受420°C以上的以玻璃粉为主要成分的胶黏剂烧结粘片，然后完成引线键合，再将黑瓷基座倒扣在黑瓷盖板上，经烘烤除去水分，最后烧结、降温冷却完成玻璃熔封。 管壳清洗 黑瓷外壳在组装之前，应先用丙酮超声清洗3~5min，再用乙醇超声清洗3~5min，用去离子水漂洗并用乙醇脱水，最后烘干，以清除包装、运输过程中粘染的污

3D NAND垂直堆叠层数攀升，高深宽比刻蚀面临速率与轮廓双重挑战。低温刻蚀技术通过在-100°C左右精准控温，提升刻蚀速率并降低碳足迹，结合人工智能辅助参数优化，成为400层以上存储芯片制造的关键工艺。 随着3D NAND闪存垂直堆叠层数不断增加，制造过程中需要在极小的开口内钻出深度达数十微米、纵横比超过50:1的深沟槽孔。传统刻蚀工艺在应对如此高深宽比结构时面临刻蚀速率下降、轮廓控制困难等挑战