关于支持模拟MOS功能FS213B芯片POWER-Z的使用方法

在快充协议芯片研发与测试场景中，FS213B芯片作为支持模拟MOS功能的相关芯片，其协议读取的准确性直接影响测试结果与产品调试效率。POWER-Z系列测试仪（如主流的KM003C型号）凭借丰富的协议兼容能力与精准的参数检测性能，成为测试这类芯片的优选工具。本文将结合实操经验，详细拆解两种用POWER-Z读取FS213B芯片的方法，适配不同测试场景需求，助力工程师高效完成测试工作。

 FS213B核心优势

01、**多协议兼容，覆盖三星主流机型**

兼容多类USB Type-C协议，Type-C、PD2.0、PD3.0及最新的PD3.2标准，具备优秀的设备识别能力，完美适配三星Galaxy S/C/Note系列，能触发快充，充电体验完美！

02、**宽电压输出范围**

VBUS支持5V至21V宽幅调压，适应多种快充场景，配合PPS支持，实现更精细的电压电流控制。

03、**高集成与高可靠性**

内置LDO，集成Discharge功能与OPTO反馈；VIN耐压高达36V，CC引脚耐压达30V，系统稳定性显著提升。

04、**灵活功率配置**

通过FUNC引脚外接电阻，可设定多种PDO组合，满足从基础充电到高性能输出的各类需求。

 方法一：外部供电启动法

该方法适用于需要长期稳定测试、对供电可靠性要求较高的场景，核心是通过外部供电让POWER-Z测试仪先进入工作状态，再进行芯片连接与协议读取。

操作步骤如下：

首先为POWER-Z测试仪提供外部供电，待仪器完全启动并进入工作界面后，再将测试仪与搭载FS213B芯片的被测设备连接。此时仪器屏幕可能会显示2.66V的电压值，这属于正常现象，无需担忧——该电压是测试仪模拟MOS管工作状态下的初始电压，符合FS213B芯片的特性。

随后进入测试仪的“读PD”功能模块，仪器会自动开启内部CC引脚下拉电阻。随着下   拉电阻的激活，被测端口电压将自动调节至标准5V，此时FS213B芯片与测试仪完成正常通讯适配，可开展PD协议及相关参数的常规测试，包括PDO报文读取、协议调压等核心操作。这种方法的优势在于供电稳定，能有效避免因瞬时供电不足导致的协议读取失败，适合批量样品测试或精细化参数

分析。

方法二：无外部供电启动法

当测试现场无额外供电设备、追求便携性时，可采用此方法，依托POWER-Z内置电容与按键功能实现无供电启动，其测试逻辑与带MOS管的产品测试完全一致。

操作步骤如下：

不为POWER-Z测试仪接入外部电源，此时仪器因无供电而处于黑屏状态，本质是测试仪模拟MOS管未导通的初始状态，与FS213B芯片带MOS结构的测试场景相匹配。

接下来长按仪器的OK键启动专项功能，若出现按键无响应、无法唤醒的情况，可尝试将连接的Type-C线材翻面插入，通常能解决因POWER-Z只下拉一个CC，线材也仅一个CC，导致机器下拉的CC未和芯片连接上的问题。

按键触发成功后，测试仪会持续保持CC引脚下拉电阻导通状态，屏幕随之点亮并稳定显示5V电压。

需注意，测试仪内置电容需完成充电过程，建议等待1-2秒再进入“读PD”模块，确保协议读取的稳定性。此时仪器显示的CC电压约1.4V，即为下拉电阻持续导通的标志性反馈，后续可正常开展FS213B芯片的协议解析与参数测试工作。

实操注意事项

1.  线材适配：建议使用支持E-marker的合规Type-C线材，避免因线材兼容性问题导致下拉电阻无法正常导通或协议读取不全；

2.  设备兼容：优先使用支持PD3.2协议的POWER-Z型号（如KM003C），其对FS213B芯片的协议解析更全面，可覆盖公有及部分私有协议测试需求。

以上两种方法可根据现场供电条件灵活切换，核心均围绕CC引脚下拉电阻的导通控制与电压稳定调节，精准匹配FS213B芯片的测试特性。掌握这两种操作，能大幅提升快充芯片测试的效率与准确性。

总结

以上两种方法可根据现场供电条件灵活切换，核心均围绕CC引脚下拉电阻的导通控制与电压稳定调节，精准匹配FS213B芯片的测试特性。掌握这两种操作，能大幅提升快充芯片测试的效率与准确性。