最新案例 | 大众汽车:使用 ANSA 人体模型缩放工具创建模型变体
人体模型(HBM)的研究应用日益广泛,并正逐渐被纳入汽车评估规程之中,例如欧洲新车安全评鉴协会(Euro NCAP)的乘员和行人保护规程。目前主要有两种类型的人体模型被使用:一种是全球人体模型联盟(GHBMC)开发的模型,另一种是丰田公司开发的全面人体安全模型(THUMS)。这两种模型都包含了所有人体主要解剖结构,并已通过大量实验数据集的验证。每种模型都包含了与各种碰撞测试假人相对应的模型,例如
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人体模型(HBM)的研究应用日益广泛,并正逐渐被纳入汽车评估规程之中,例如欧洲新车安全评鉴协会(Euro NCAP)的乘员和行人保护规程。目前主要有两种类型的人体模型被使用:一种是全球人体模型联盟(GHBMC)开发的模型,另一种是丰田公司开发的全面人体安全模型(THUMS)。这两种模型都包含了所有人体主要解剖结构,并已通过大量实验数据集的验证。每种模型都包含了与各种碰撞测试假人相对应的模型,例如
Microchip基于CLB的PIC®单片机在单一器件中结合了可编程逻辑与嵌入式控制,有助于降低延迟、成本和设计复杂度 对于为电机控制、工业自动化及汽车安全应用开发时序关键型系统的工程师,常常面临信号延迟与软件执行不可预测的难题。为应对这些挑战而又不能因采用多芯片设计而增加成本与复杂度,Microchip Technology Inc.(微芯科技公司)扩展了基于可配置逻辑单元(CLB)的单片机(
为深入贯彻落实国家人工智能发展战略,系统推进公司AI战略布局,充分发挥统一战线凝聚人心、汇聚力量的强大法宝作用,近日,华大半导体召开“爱企业 献良策 做贡献”主题活动暨AI浪潮下的“芯思考”研讨会。公司党委书记、董事长孙劼出席会议并讲话,副总经理赵毅,各部门主要负责人及各所投资企业的30余名党内外专家骨干参会。 孙劼指出,人工智能是培育发展新质生产力的核心引擎,更是公司实现从“跟跑”向“并跑”
随着软件定义汽车(SDV)架构向区域控制演进,车载网络正经历着深刻的变革。在传统架构中,车辆需搭载近百个独立的电子控制单元(ECU),导致复杂的线束既沉重又难以部署。区域控制架构通过功能聚类将ECU数量大幅缩减,并利用中央区域控制器高效协调激光雷达与先进驾驶辅助系统(ADAS)等高带宽需求 。 为了在物理受限的车载环境中实现协议统一并降低系统复杂度,10BASE-T1S技术应运而生。10BASE-
AI助手,正式登场 邀您共鉴焕新 ADI智库AI助手能做什么? ADI智库AI助手依托ADI深厚的技术积累与前沿的 AI 能力,不仅能实现ADI智库平台全量技术内容的极速检索、技术问题的答疑,更能按需定制专属资料清单,让学习更省心、更高效。 点击,即刻体验 我们正式开启首批AI助手体验官招募,诚邀各位工程师抢先体验全新功能,用真实反馈与专业建议,助力AI助手持续迭代升级,打造更贴合工程师需求的智能
本文旨在解决DC-DC开关稳压器的功率级设计中面临的复杂难题,重点分析 电感问题。设计人员为了获得各种优势,例如减少输出纹波和尽量缩减解决方案尺寸,往往会选择超出推荐范围的电感值。然而,选择电感值过大或过小的元件都会导致意想不到 的后果,可能会造成芯片严重损坏并降低效率。本文还将分析探讨:如果不采取适当的措施,确保负载电流不会超过电感的最大饱和额定值,会出现什么情况。 0**1** 什么是开关模式
AI浪潮下的半导体服务变革 NS AI-FAE 半导体行业正全面迈向智能化,而芯片选型、技术支持和开发调试的传统模式却依然停留在“人海战术”——海量文档翻不完,碎片知识理不清,跨时区响应等不及。这些,正成为开发者效率的隐形瓶颈。 国民技术深耕MCU、安全芯片、蓝牙芯片、BMS芯片等领域多年,积累了深厚的技术文档库与应用知识库。如何让这些“沉睡的知识”被随时、随地、随需调用?如何让技术支持从“被动响
2026年4月22日,地平线与北斗智联科技有限公司(以下简称 “北斗智联”)正式签署战略合作协议。作为中国首款舱驾融合整车智能体芯片地平线星空® (Horizon Starry®) 的首批战略合作伙伴,双方将深度整合“AI+北斗”全栈技术能力与单芯片中央计算架构,共同打造高集成、高性能、高性价比的下一代智能汽车解决方案,加速整车智能向物理世界AI智能体演进。 地平线总裁朱威、北斗智联总裁张敬锋出席
2026年4月22日,地平线与博泰车联网科技(上海)股份有限公司(以下简称 “博泰车联”)正式签署战略合作协议。双方将以中国首款舱驾融合整车智能体芯片——地平线星空® (Horizon Starry®) 为核心底座,结合各自在智能汽车领域的互补优势,聚焦舱驾一体、智能驾驶、机器人系统、全球化出海四大维度深度协同,推动AI技术在智能座舱、智能驾驶、具身智能领域的融合创新,联合打造智能化、国产化的平台
2026年4月22日,地平线正式发布中国首款舱驾融合整车智能体芯片地平线星空® (Horizon Starry®) 。作为业界首款为整车智能Agentic OS原生设计的舱驾融合芯片,地平线星空® (Horizon Starry®) 用一颗芯片支持传统智驾与座舱两套系统,不仅重新定义了整车智能计算底座新范式,也实现了高效的一体化部署。发布当天,地平线官宣星空芯片获得十余家车企品牌及数家Tier 1
4月22日,以“征程无垠,驭见星空”为主题的地平线年度产品技术发布会在京举行。会上,地平线正式发布中国首款舱驾融合整车智能体芯片地平线星空® (Horizon Starry®) ,以及中国首个整车智能体操作系统地平线KaKaClaw咖咖虾™,并同步推出全场景辅助驾驶系统HSD V1.6。 此次发布标志着地平线率先完成从芯片到软件、从智驾到智舱的整车计算战略拼图,成为行业内少有的能够同时驾驭四个象限
文章**概述** 工业与高可靠性领域,实现 PCI Express(PCIe)接口的电气隔离对于系统的抗噪声、可靠性、接地分离以及安全要求至关重要。ADI(Analog Devices)提供基于 Giga‑Speed 隔离技术的完整方案,可满足 PCIe Gen 1 高速链路的隔离需求,并确保信号完整性(SI)与协议兼容性。 ADN4622BRNZ:PCIe Gen 1 LVDS 链路隔离核心器件
文章**概述** 为圆形连接器寻找替代产品,往往比想象中更具挑战性。 尽管市场上多数连接器都遵循通用行业标准,但就算挑选出在主要规格上看似完全匹配的型号,也并不代表它们能够真正互换使用。 以下,我们将以一组真实产品为例,说明在替代选型过程中容易被忽略的关键问题。 一、对比案例: 产品链接: 54-00241 M12A-04PFFC-SF8B15 假设我们需要为 839‑54‑0024
文章**概述** 本文深入探讨了存储卡连接器在现代电子系统中的重要性及其设计要点。文章首先概述了存储卡的基本概念、类型及其发展趋势,随后详细解析了存储卡连接器的插入类型、触头配置及通信协议。此外,文章还讨论了存储卡在多个领域的应用扩展,强调了Same Sky提供的互连解决方案如何满足多样化的设计需求,确保高性能数据存储与连接的兼容性。 固态存储卡作为模块化、非易失性存储解决方案,被广泛应用于各类电
全新系统下如何从零开始配置 NXP FRDM‑MCXN236 开发板?本文带你一步步完成环境搭建:从下载并安装 MCUXpresso IDE 与 SDK,到导入官方例程并成功点亮 LED,完整展示了软硬件协同的流程。透过这个过程,你不仅能快速验证开发环境是否正常,还能为后续的应用开发打下坚实基础。 新装的操作系统还没有安装任何开发软件,那么就从0开始搭建NXP FRDM-MCXN236开发板的开发
文章**概述** 本文简要介绍了 LoRaWAN 及其功能。随后介绍了Murata Electronics的 LoRaWAN 认证模块,该模块为开发人员提供了一种即用型解决方案,可通过低功耗广域网 (LPWAN) 实现超远距离连接。为加快原型设计周期,还配套提供了开发板和软件支持。 在农业、资产跟踪、公用事业和物联网 (IoT) 等许多基于传感器的大规模生产应用中,开发人员需要提供能用于更广泛工作
备注: 1.数据由紫光展锐全球创新测试中心根据展锐端侧AI芯片与云端AI芯片的能效对比测试,及《2025年全球及中国CPE行业技术发展与市场前景分析报告》(作者:头豹研究院)中关于设备能耗与市场规模的关联数据测算。 2.数据由紫光展锐全球创新测试中心根据展锐第二代5G移动芯片平台功耗,及《2025年全球智能手机应用处理器市场预测》(作者:Counterpoint Research)、《2024年全
FY25环境韧性成就清单 今年安富利发布了首个涵盖能源、排放、废弃物和水资源四大领域的综合环境报告。 在安富利最新发布的2025财年影响力与韧性报告中,详细介绍了公司在可持续发展关键领域的表现,欢迎查阅完整报告了解更多详情。 以环保载初心,以行动护地球 这份成绩单的背后,是安富利全球14,500+员工的共同付出。以上的数据不仅显著降低了企业运营的环境足迹,更通过资源的高效循环再生,将绿色低碳理念深
风冷双芯,性能魔王! REDMI K90 Max 搭载天玑 9500 旗舰芯,释放强悍性能 内置 18.1mm 大尺寸风扇 165Hz 高刷电竞屏加持 全局高能、高冷、高帧 打造游戏性能旗舰新标杆! 旗舰双芯 性能魔王 REDMI K90 Max 搭载 天玑 9500 旗舰芯,该芯片采用业界先进的第三代 3nm 制程,集成 4.21GHz 超高频大核,GPU 升级主机级光追引擎,渲染能力全面跃升。
01 SiC MOSFET的体二极管及其关键特性 无论是平面栅还是沟槽栅,SiC MOSFET都采用垂直导电结构,其纵向(从漏极到源极)的层状结构是通用的,如下图所示: 图1. 沟槽型--英飞凌非对称沟栅CoolSiC™ MOSFET 图2. 平面栅型MOSFET N+衬底(Substrate):高掺杂,作为漏极。 N-外延层(Drift Layer):低掺杂,用于承受高阻断电压。 P-bod