EUV光源为什么要用锡液滴？
EUV光是怎么发出来的？先把锡变成等离子体，用超高功率激光(CO₂ 激光)聚焦轰击锡靶,瞬间把锡加热到几十万度。这么高的温度下,锡原子的外层电子被剥离掉很多个,变成高电离态离子—失去 8~14 个电子,形成 Sn⁸⁺ 到 Sn¹⁴⁺ 这样的多价离子。 再是电子在能级间跃迁 → 发光。这些高电离态锡离子里,还剩的电子处于高能级。当电子从高能级跃迁到低能级时,把能级差以光子形式辐射出来，也就产生了EU
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刻蚀选择比不稳怎么办？各向异性、均匀性、残留和过刻逐项确认
本文将介绍刻蚀选择比决定因素和刻蚀不稳定性排除思路。 选择比不稳时，第一反应不要只盯刻蚀速率，更不要直接把功率、时间、气体流量一起改。 很多刻蚀异常看起来都是“没刻干净”或“刻过了”，但真正要分开判断的是三件事：选择比有没有变化；各向异性有没有变差；片内、片间或批次间均匀性有没有漂移。 这三件事对应的排查路径不同。如果混在一起看，很容易把残留、过刻、侧蚀和检测误差都归因到“参数没调好”。 先把
从“能动”到“精动”：东芝半导体破解人形机器人运动控制的平衡难题
人形机器人正站在规模化商用的前夕，但工程师们仍深陷于一组根本性的矛盾之中：关节既要强劲有力，又必须冷静克制；手指需要精准灵敏，却只能在方寸之间施展；系统渴望持久续航，但每一克重量和每一毫焦热量都是敌人。 这不仅是工程问题，更是物理极限下的“平衡术”。 作为深耕电机驱动领域数十年的半导体厂商，东芝在电机驱动关键器件层面为机器人应用提供提供完整解决方案，核心目标只有一个——破解关节动力、精度、续航与
意法半导体量产车规电池管理芯片推出升级款
意法半导体L9963F车规电池管理芯片，具备混动汽车和纯电动汽车锂电池组管理系统所需的全部功能，还适用于工业储能系统和48伏、96伏电动设备。 L9963F是意法半导体成熟量产款L9963E的增强版，L9963系列现有用户无需改动软硬件，即可用L9963F直接替换L9963E。 单颗芯片可监测4至14颗串联电芯，适用于最高48V的系统。级联多颗芯片后，最多可监测31个电池组，434颗串联电芯。
IPAC 2026英飞凌智算电力基建应用技术大会8月盛大启幕
随着AI算力需求持续增长，智算中心正加速向高功率、高密度、高能效演进，供配电系统也迎来全新变革。IPAC技术应用大会首次聚焦“固态变配技术赋能智算电力基建”专题，将于2026年8月25日在深圳举行IPAC 2026固态变配——英飞凌智算电力基建应用技术大会，携手行业专家、生态伙伴及高校学者，共同探索下一代智算电力基础设施的发展方向。 三大亮点抢先看 亮点一：首次聚焦固态变配技术专题 近年来，AI
GMSL SerDes链路调试，工程师必备排查思路！
设想这样一种场景：你刚完成全新电路板设计，或是满怀期待试用多款评估套件，却发现收发两端器件无法建立通信。调试千兆多媒体串行链路（GMSL）时遇到这类问题，不仅会拉长调试周期，还容易让人束手无策。GMSL是现代设备中成熟可靠的传输技术，可在汽车电子、工业设备、数字医疗、航空航天等各类严苛工况下实现高速、低时延数据传输。为此，采用系统化的方法来调试GMSL链路锁定问题十分关键。本指南梳理了实现链路锁定
Zephyr高级玩法③：模拟器运行Hello World与GDB调试实战
书接上文，做菜好吃，靠的是火候。调试代码也一样：不只是“能熟”，而是“恰到好处”。 很多Zephyr开发者在刚接触QEMU时，往往停留在“程序跑起来就行”的阶段。但当项目开始复杂起来，HardFault、BusFault、栈溢出、异常重入等问题便会接踵而至。此时，掌握一套高效的调试方法，远比盲目猜测问题原因更加重要。 本文将为大家带来两种方式演示如何在QEMU上调试Zephyr程序： 方式A：手
先进封装如何支撑AI芯片的性能跃升
本文将介绍先进封装如何支撑AI芯片的性能跃升。 传统的“大芯片"的局限 在AI芯片的设计中，算力和带宽的竞赛正在把封装技术推向极限。传统的“一颗大芯片搞定一切”的做法已经难以为继，取而代之的是把大芯片拆成多个小芯片（芯粒），再用先进封装拼在一起。这个转变，正在重塑芯片的设计和制造方式。 过去，芯片设计的主流是单片式方案——逻辑、内存控制器、IO接口全部集成在同一颗芯片上，用同一种工艺制造。优点是
半导体所在混合神经形态光电伊辛机研究中取得进展
组合优化问题广泛存在于金融、物流、机器学习等领域。传统“冯·诺伊曼”架构在处理规模日益庞大的问题时面临显著瓶颈。光电伊辛机利用物理系统的动力学演化进行本征并行求解，是实现大规模组合优化硬件加速的重要技术路线。然而，其底层物理载体的连续模拟特性与伊辛模型离散二元约束之间存在本质差异，使系统演化过程易受硬件振幅不均匀、噪声累积和性能漂移等因素影响，导致求解准确度下降、可扩展性受限。 近日，中国科学院半
存储芯片：从DRAM制程微缩到NAND层数堆叠
本文将介绍存储芯片领域的DRAM和NAND Flash路线。 在存储芯片领域，DRAM和NAND Flash走着两条截然不同的技术演进路线——DRAM在不断缩小线宽，NAND在不停增加层数。图片展示的正是这种并行推进的“双轨制”创新。 DRAM Flash DRAM这边，看的是制程节点。 图片中标注的1α和1β是三星的DRAM制程世代代号，类似于逻辑芯片的“纳米节点”。1α是当时业界最先进的量产
热界面材料的特性和分类
本文将介绍热界面材料的特性和分类。 随着工业芯片封装技术持续迭代升级，工业电子器件的综合性能大幅提升，但器件工作功耗与产热量也随之大幅增长，散热压力显著增大。在此背景下，热界面材料（Thermal Interface Materials，TIM）成为芯片热管理体系中的核心关键材料。该类材料的核心作用是填充不同基材接触界面的微观空隙，有效降低界面接触热阻，提升电子器件整体散热效率，保障器件稳定运行。
光刻机核心子系统及其功能介绍
本文将介绍光刻机核心子系统及其功能。 光刻机是集成电路制造中最为关键的核心设备，其本质是一台超精密的投影式照相系统，任务是将掩模版上的微纳电路图形以极高保真度“印刷”到涂有光刻胶的硅片上。 衡量光刻技术等级和经济性的主要指标有三项：分辨率，即光刻机能够转印的最小极限特征尺寸；套刻精度，即本层图形预定位置与实际转印位置之间的偏差；产出率，即每小时处理的衬底片数量。围绕这三项核心指标的实现，光刻机集成
上万的HARTLink，我花100做出来了！实测后，居然很可靠……
前言 这，是一个非常轻便的开源HART调试手操器****！ 它有5大亮点 便携 可离线安全只读 支持USB原始帧透传 有安全防误触设计 硬件成本仅100元左右 ——除此之外，这个项目还涵盖了工业通信、模拟/数字混合电路、嵌入式 RTOS/任务调度、USB 协议 stack 等多个维度的技巧知识…… 如果你需要一个便携HART调试手操器 或你想接触“硬核工业级嵌入式项目” 那这个项目，会是你的最
单颗搞定四路 12 位模拟输出！CBM53D24 简化多通道 DAC 硬件设计
做便携式电池仪器、工业过程控制时，多路可编程电压输出是刚需。如果每路独立配DAC、基准、控制线，不仅PCB面积、BOM成本暴涨，多通道输出一致性、同步性也难以保障。芯佰微CBM53D24单芯片集成4路12位缓冲DAC，共享基准、单组3线SPI控制，解决多通道模拟设计难题。 多路 DAC 设计 普遍撞上的三大麻烦 做多通道模拟板开发时，多路独立 DAC 方案会带来3个无法回避的工程痛点： •PCB
摆脱电缆束缚：通过能量采集解决未来物联网的供电问题
随着物联网（IoT）和工业物联网（IIoT）在家庭、城市和工厂中持续扩大部署，一项长期存在的挑战正变得愈发明显：如何在不依赖传统布线或频繁更换电池的情况下，为日益增多的联网设备供电。为此，能量采集技术应运而生，成为一种切实可行且日益重要的解决方案。这项技术通过捕获光、运动、热和无线电波等环境中的能量，使设备能够独立运行。 本文将探讨能量采集技术如何重塑物联网系统的部署方式。我们将深入分析其背后的