白皮书下载 | 深度解析为何SiC MOSFET必须构建专属可靠性验证方法?
在电力电子领域,SiC MOSFET正凭借高频、高效、高温的显著优势在新能源汽车、光伏储能、工业电源等核心场景加速渗透。SiC MOSFET能复用硅基器件(如垂直型MOSFET或IGBT)的许多基本的器件设计概念,另外用于验证Si MOSFET/IGBT长期稳定性的许多方法可以直接用到SiC MOSFET上。但更深入的分析表明,基于SiC的MOSFET还需要进行一些不同于Si器件的额外可靠性试验。
在电力电子领域,SiC MOSFET正凭借高频、高效、高温的显著优势在新能源汽车、光伏储能、工业电源等核心场景加速渗透。SiC MOSFET能复用硅基器件(如垂直型MOSFET或IGBT)的许多基本的器件设计概念,另外用于验证Si MOSFET/IGBT长期稳定性的许多方法可以直接用到SiC MOSFET上。但更深入的分析表明,基于SiC的MOSFET还需要进行一些不同于Si器件的额外可靠性试验。
无人机集群的相关研究约在2015年前后从理论转向实验,从学术模型落地为工程现实。如今,将其集成到应用项目中已具备可行性。 从工程和经济角度来看,集群的优势显而易见。在无人机运营中,人员成本可能占总成本的70%,而协同自主操作可将成本降低高达30%,这主要得益于劳动力的减少,而非“科幻式的效率”。 值得注意的是,“集群”一词经常被误用。灯光秀或预先编程的机队由中央控制,需要持续监控。相比之下,真正
当GPT-4级别的能力被压缩进几十MB的端侧存储,当百亿参数大模型在Cortex-M系列MCU上实现实时推理,当TinyML从"玩具Demo"变成"量产标配"——端侧AI不再是未来概念,而是当下每个硬件工程师必须面对的选型现实。 更紧迫的是"算力密度"的军备竞赛。联发科把端侧智能体能力做成可部署的工程体系,意法半导体的STM32N6加持AI手势识别并实时控制灵巧手,芯片厂商正在重新
在电子工程专辑过去1年参加图形渲染、游戏技术相关的活动中,大部分市场参与者都在谈包括PC、移动设备、游戏主机等不同类型端侧设备游戏体验的“融合”或“走向趋同”。 这个命题的逻辑,在于玩家经常要在不同的游戏设备上玩游戏——而不同设备的游戏体验不能是割裂的。不过要实现这一点,硬件技术上的一个悖论在于:不同尺寸、不同功耗、不同散热能力的设备,不大可能达到相似的图形渲染水平——在任何情况下,一台10W功耗
今天来拆解一个来自零差云控的eRob70型机器人关机电机模块,主要看看上面的无刷电机驱动电路。 先简单说一下,这个关节支持EtherCAT、支持CANOpen、Modbus通信,开放位置环、速度环、电流环数据以及PID实时调节,电机功率可以做到100W,整个电机的尺寸只有直径70mm,长度67mm,重量为0.93kg。 端盖上放置了所有的供电、通信接口,两个XT30供电口,旁边还带了一个锁扣。供
本期为大家带来的是《通过 mMIMO 和精确波束形成技术发掘 5G 网络潜力**》**,本文聚焦 5G 大规模多输入多输出与波束形成核心技术,从高频通信传播痛点切入,完整讲解技术核心价值、波束形成数学原理、mMIMO 系统同步挑战,以及 TI 射频收发器的三大同步实现方案与对应器件选型。 引言 随着无线技术迭代,行业对高速率、低延迟的需求持续攀升。5G 凭借数十 Gbps 吞吐量与亚毫秒级延迟,支
微组装依托引线键合、倒装芯片实现微米级高精度裸芯片封装,陶瓷封装是典型应用。文章围绕低介电陶瓷基材、大尺寸基板量产、微细线路加工、无源元件内嵌四大 2026 前沿方向,系统拆解陶瓷封装材料、工艺与产业化优劣。 微组装 微组装工艺是一类高精度、微型化的电子组装技术,该工艺的最小组装单元尺寸区间为数微米至100微米,以引线键合、倒装芯片为核心基础技术,主要应用于常规SMT表面贴装工艺无法适配的高精度、
很多人学习模拟电路感到晦涩,根源在于教材先堆砌公式,未讲清核心用途。本文抛开复杂推导,通俗拆解模电核心逻辑:处理现实连续信号,详解偏置、小信号模型、反馈等关键思路,理清电路设计底层工程思维。 很多人学模电会懵,不是因为你笨,而是因为教材常常从“公式”和“器件模型”开始讲,却没有先告诉你:模拟电路到底在解决什么问题。 一句话说,模拟电路做的是: 把现实世界中连续变化的信号,用电压、电流的形式进行放
自动驾驶、救灾无人机等高风险实时 AI 任务算力需求巨大,传统计算机受 “存储墙” 制约,算力与能耗难以平衡。文章剖析传统硬件瓶颈,借鉴人脑神经元特性,介绍存算一体、神经形态芯片等仿生硬件方案,为高效 AI 计算指明方向。 人工智能曾经在科幻电影中,负责给宇宙飞船导航,操纵火箭着陆。如今,它早就不是什么新鲜事,而是润物细无声地渗透到我们的日常生活中。你听歌、看视频,它给你推荐;你出国旅行,它帮你
本文将介绍减薄工艺。 先进封装推动晶圆减薄成为关键工艺 随着先进封装技术不断向高密度集成、小型化和三维堆叠方向演进,晶圆减薄已经从传统封装中的辅助工艺逐渐发展成为影响器件性能与封装可靠性的关键环节。无论是移动终端中的高集成度芯片、HBM高带宽存储器,还是广泛应用于人工智能计算领域的2.5D/3D封装器件,都对晶圆厚度提出了越来越严格的要求。在许多先进封装方案中,晶圆厚度已由传统的数百微米降低至10
本文将介绍透射电子显微镜(TEM)。 透射电子显微镜(TEM)在半导体制造中扮演着关键角色,其核心原理是利用高能电子束穿透超薄样品,电子与样品发生散射后在成像系统中形成对比度,从而揭示材料的内部结构。与扫描电子显微镜(SEM)主要观察表面形貌不同,TEM更类似于对材料进行“透视”分析,能够回答栅氧厚度、界面粗糙度、接触孔残留、异常相形成以及空洞与剥离等一系列关键问题。 TEM的加速电压通常远高于S
原标题:解析Intel 18A-P工艺细节:相比18A有何不同?很适合HPC应用? 关注半导体先进制造工艺的读者应该知道,Intel 18A工艺量产已经有段时间了——Panther Lake(酷睿Ultra 3代)及Clearwater Forest(至强6+)都用上了该工艺;前者相比主要基于TSMC N3的Arrow Lake的性能与能效提升还是有目共睹的。Intel 18A工艺的同家族演
有些酒店会在房间里投放共享充电线,需要扫码付款之后才能使用。 这种吃相有点难看,一条数据线也搞成收费,给人想钱想疯了的感觉。可能也是因为这样不得人心,这条“共享”赛道似乎逐渐没落了。 某次住酒店又遇到了共享充电线,好奇心之下决定拆解分析其电路原理,看看是怎么实现共享充电的。 首先声明,我没有拿酒店的共享充电线哈,是另外买了一条,下面开始拆解! 这款共享充电线有三种接口,苹果的Lightning接口
理想电压源与理想电流源分别定义为零输出阻抗与无限大输出阻抗,前者维持电压恒定,后者保持电流不变。从信号链角度看,理想电源还要求无噪声、无纹波、无瞬态扰动且全频段低阻抗,而实际电源只能通过基准、LDO、滤波与去耦等手段逼近这一目标。 任意一个电路本质上都是电源(不知道谁说的,还挺有道理的);实际我们在使用过程中都是有一个完美的模型,只是往后看,加入了现实的非理想状态,日常我也写了不少电源,那这篇就不
SoC高度集成CPU、AI加速、射频等功能,性能提升同时使测试验证难度骤增。从功能测试到DFT,再到IEEE 1500标准化与AI辅助优化,测试体系正成为保障良率、控制成本的关键环节,未来还将延伸至Chiplet与三维封装领域。 SoC集成化发展带来的测试挑战 随着移动互联网、人工智能、物联网以及汽车电子产业的快速发展,芯片设计正在从单一功能模块向高度集成化方向演进。片上系统(System on