示波器探头补偿的电路结构是这样的
1.为什么不能用导线直接把被测信号接到示波器上? 2.10:1高阻无源探头如何实现精准分压? 3.探头补偿的判定条件是什么? 4.使用10:1高阻探头相比直接接线有什么优势? 探头补偿的硬件原理 标准无源探头内部带有可调补偿电容,示波器输入端自带固定 1MΩ 电容;探头补偿的核心作用是匹配探头 RC 参数与示波器输入电容,抵消示波器输入电容带来的高频失真,让探头在全频段实现精准分压。 直接接线(无
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1.为什么不能用导线直接把被测信号接到示波器上? 2.10:1高阻无源探头如何实现精准分压? 3.探头补偿的判定条件是什么? 4.使用10:1高阻探头相比直接接线有什么优势? 探头补偿的硬件原理 标准无源探头内部带有可调补偿电容,示波器输入端自带固定 1MΩ 电容;探头补偿的核心作用是匹配探头 RC 参数与示波器输入电容,抵消示波器输入电容带来的高频失真,让探头在全频段实现精准分压。 直接接线(无
薄膜残余应力是现代制造的核心关注点,其失控会引发器件失效,可控应力则能提升性能。本文以百年经典的晶圆曲率法为核心,解析其原理、技术迭代,结合实验揭示应力演化机制与工业应用价值。 小到手机芯片的金属互连线,大到航空发动机的热障涂层,再到日常眼镜片的减反膜 —— 纳米到微米厚的薄膜,藏着现代制造的核心技术。而决定薄膜耐不耐用、性能够不够的关键因素之一,就是肉眼看不见的残余应力。 应力失控的后果很严重。
EBSD 作为晶粒取向表征核心技术,过往对图案形成物理机制研究不足。Alwyn Eades 团队通过能量过滤技术,系统探究不同能量背散射电子的衍射贡献,验证了该技术对图案衬度、空间分辨率的提升效果,填补了底层机理认知空白。 电子背散射衍射(EBSD)是材料表征晶粒取向的核心技术,过往发展多聚焦于标定速度与后处理算法,对图案形成的底层物理机制认知仍有欠缺。Alwyn Eades 团队通过能量过滤装置
01 性能指标(已实测) 小电流档相对精度(5.1Ω):±(0.55%+0.5μA) 大电流档相对精度(10 mΩ):±(0.1%+0.5 mA) 测量分辨率:0.1μA/0.1 mA/1mA 电流量程:1μA∼8 A (Max) 电压量程:3.3 V∼36 V 物理采样率:≥7 kHz 项目的功能,主要围绕2大接口、本地功能、上位机功能展开描述: 02 功率接口
本文主要介绍了会聚束电子衍射(CBED)技术。 传统选区电子衍射(SAD)受物镜球差与选区光阑放置位置的双重限制,有效空间分辨率仅达亚微米级别,即便采用球差校正电镜也仅能提升至 100 纳米左右,无法满足纳米颗粒、位错核心等表征需求;同时薄样品、小晶粒会放宽布拉格衍射条件,导致 SAD 仅能提供精度有限的二维晶体投影信息,难以还原晶体真实三维结构。 会聚束电子衍射(CBED)原理由 Kossel
本文主要介绍了芯片ATE测试。 在半导体芯片的生产制造流程中,ATE(Automatic Test Equipment)即自动测试设备扮演着不可或缺的关键角色。随着现代芯片集成度的不断提高与功能的日益复杂化,ATE凭借其高效的自动化测试能力,已成为确保产品质量、降低生产成本以及缩短研发周期的核心设备之一。 ATE测试是什么 ATE是由高性能计算机控制的测试仪器集合体,其最基本的要求是快速且可靠地重
本文将介绍扫描电子显微镜(SEM)。 电子显微镜在许多方面与光学显微镜类似。乍一看这令人惊讶,因为光学显微镜的简单技术与电子显微镜复杂的电子器件、真空设备、电压供应和电子光学系统之间形成了鲜明对比。两者都有一个照明源(灯泡与电子源)、一个聚光镜(玻璃与电磁镜)、一个样品和一个探测器(眼睛与电子探测器)。这些特征的比较经常被用作任何有关SEM讨论的起点。 SEM使用由电子枪产生的高能电子束,经磁透
还记得电影《F1:狂飙飞车》中,那些让人肾上腺素飙升的镜头吗?男主桑尼驾驶着APX GP,在直道末端以超过300公里的时速呼啸而过。如果你用手机拍摄这一瞬间,得到的可能是一片模糊的光影——你只知道有辆车过去了,但完全看不清细节。但是如果用足够快的连拍速度和抓取瞬间的能力的高速相机,就能定格赛场上的精彩瞬间,可以看清它的姿态、细节,甚至分析他过弯的精准线路。 而在电力电子领域,如果把Si MOSF
本文将介绍扫描电子显微镜(SEM)。 SEM基础 扫描电子显微镜(SEM:Scanning Electron Microscope:)使用聚焦的电子束来创建样品的放大图像。电子束以规则的图案在样品表面进行扫描,从样品中射出的电子(二次电子)被用于创建图像。 本质上,扫描电子显微镜“观察”样品表面的方式,可以比作一个人独自在黑暗的房间里,使用一束精细的手电筒光束来扫描墙壁上的物体。通过系统地左右扫描
位错密度决定金属强度与寿命,但不同表征方法测同一材料可差两倍以上——因各自捕捉的位错种群不同。Gallet团队以双相不锈钢为基准,同步对比TEM、ECCI、HR-EBSD与XRD,量化方法偏差,为选型与建模提供参照。 从日常的不锈钢餐具到高压容器、桥梁钢板,金属材料的强度、韧性、抗疲劳寿命,本质上都和内部位错的运动与堆积密切相关。作为晶体中的线缺陷,位错的密度高低直接决定了金属的屈服强度、加工硬
SoC高度集成CPU、AI加速、射频等功能,性能提升同时使测试验证难度骤增。从功能测试到DFT,再到IEEE 1500标准化与AI辅助优化,测试体系正成为保障良率、控制成本的关键环节,未来还将延伸至Chiplet与三维封装领域。 SoC集成化发展带来的测试挑战 随着移动互联网、人工智能、物联网以及汽车电子产业的快速发展,芯片设计正在从单一功能模块向高度集成化方向演进。片上系统(System on
流场测量是流体力学研究的核心基础,本文将介绍断层X射线粒子追踪测速技术。 流场测量是流体力学研究的核心基础。传统的粒子图像测速和粒子追踪测速依靠可见光成像,一旦遇到不透明容器、多孔材料或者存在大量折射界面的多相流系统,就会完全失效。长期以来,研究者只能通过宏观参数间接推断内部流动规律,或申请昂贵的同步辐射机时开展 X 射线成像实验。 技术原理与实验实现 断层 X 射线成像的核心优势是强大的穿透能力
本文将继续介绍电子衍射束的动力学理论,主要介绍柱近似与图像计算与近似范围。 柱近似与图像计算 有了衍射强度的计算公式,我们就可以计算实际的 TEM 图像了。但这里还有一个问题:严格来说,晶体下表面某一个点 P 的衍射强度,并不是只来自它正上方的那一条直线上的原子,而是来自它上方一个锥形区域里所有原子的散射。这个锥形的半角大约是两倍的布拉格角2θB,这是菲涅尔衍射的基本规律。如果我们要严格计算这个锥
本文将介绍电子衍射束的动力学理论,主要介绍衍射本质、消光距离等物理概念以及衍射束强度公式。 透射电镜(TEM)能让我们看到晶体里原子级别的细节,而图像里的明暗变化,本质上都来自高能电子束和晶体原子的相互作用。 当电子束穿过晶体时,只要原子面的角度刚好满足布拉格条件,就会产生一束衍射束。这束衍射束不会直接跑出晶体,它在传播过程中还会被其他原子面再次散射,和原本没被散射的直接束来回交换能量,这个反复散
直接电子探测器的微型化催生了EBSD、RKD、同轴TKD与离轴TKD四种菊池衍射几何。它们分别适用于块体、原位、纳米等不同场景。研究通过衍射球重建统一比较,发现TKD在高阶特征分辨率上显著优于反射模式,而能量过滤与畸变控制是提升精度的关键。 近年来,紧凑型直接电子探测器的出现,为菊池衍射技术带来了革命性的发展机遇。探测器体积的大幅缩小,让研究人员可以在扫描电镜的腔室内灵活布置探测器位置,由此发展出
HRTEM 利用电子波动性实现原子级成像,是材料科学核心表征工具。基于相位衬度与衬度传递函数,通过球差与散焦平衡、包络阻尼及样品制备,在界面、准晶、单原子成像等领域揭示材料微观结构。 高分辨透射电子显微镜,简称 HRTEM,是材料科学和凝聚态物理研究里最核心的表征工具之一。它的成像原理基于电子的波动特性,和我们日常用的光学显微镜完全不同,能拍到原子级别的细节,让我们直接看清材料里原子的排列方式。
X射线照相是非破坏性检测封装缺陷的关键手段,可精准识别密封工艺中的空洞、引线异常及多余物等内部问题。基于密度与厚度差异成像,结合标准中密封宽度≥75%设计要求等判据,保障高可靠性器件的封装质量。 X射线在封装中的应用 X射线照相是采用非破坏性方法检测封装内缺陷的有效手段,尤其适用于检测密封工艺引发的缺陷及内部缺陷,如多余物、内引线连接错误、芯片附着材料中的空洞,以及玻璃密封时玻璃内部的空洞等。通过
主要讲述二次电子的空间分辨率。 扫描电子显微镜(SEM)作为材料表征领域的核心工具,其空间分辨率的极限一直是显微学研究的焦点。二次电子(SE)成像凭借对样品表面形貌的高灵敏度,成为SEM最常用的观测模式,但其分辨率的物理本质涉及电子光学、固体物理与散射理论的多重交叉。 本文系统梳理二次电子成像的分辨率基本概念、产生机制与成像模式,深入探讨原子分辨率实现的物理基础。 电子光学的分辨率基础 由于二次电
每次看规格书里的启机和关机波形都觉得很完美,但是自己抓的时候总是对不上?电压爬升太快?下电波形总是错过。其实,只要掌握几个关键技巧,你也可以抓出规格书的同款高质量波形。 本文将从测试前的准备工作开始,一步步教你如何使用示波器精准地捕捉实验板的启机和关机波形。 在应用场景中,上下电的波形是衡量系统是否能够可靠安全启动与安全关断的重要依据。因此准确获取启机和关机过程中的波形数据,对于电源分析和系统
简介 随着半导体产业的不断发展,半导体测试设备发挥着重要作用。由于半导体和集成电路的不断发展以及对电子产品的越发严刻的要求,测试设备必须不断改进。德州仪器 (TI) 提供了各种各样的精密放大器,它们能为测试集成电路提供了更准确的结果。 电压强励(也称为被测器件 (DUT) 或负载激励)是一个重要方面。在半导体器件上施加某些电压条件并观察半导体的反应对于确保器件正确响应很重要。为提供理想的最终结果,