智能感知芯片黑马二闯港交所
近日，武汉聚芯微电子股份有限公司正式向港交所递交上市申请书，二度闯关港股资本市场。 作为深耕智能感知、机器视觉与影像传感赛道的本土芯片设计企业，聚芯微不靠代工、专注芯片研发设计，常年扎根消费电子核心供应链，在欧美日巨头长期把持高端传感芯片市场的背景下，聚芯微的上市征程与发展成色，俨然成为观察国内智能感知芯片国产替代进程的核心风向标。 深耕行业多年，聚芯微早已形成贴合市场需求、梯度布局合理的完整产品
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IPAC 2026双技术峰会报名火热，重磅嘉宾邀你共赴技术盛宴
IPAC 双技术峰会特别邀请到英飞凌与业内权威技术专家，他们将凭借深厚的专业知识和丰富的实践经验，为你深入剖析碳化硅（SiC）技术的未来发展方向与详细规划，同时全面解读 SiC 在热门应用领域的行业动态与技术前沿趋势。 英飞凌碳化硅零碳应用技术大会 📅 时间：2026年5月22日 📍 地点：深圳 特邀嘉宾： Dr. Peter Friedrichs 碳化硅技术创新专家 英飞凌科技 未来社会将面临电
SiC MOSFET 体二极管特性及死区时间选择
01 SiC MOSFET的体二极管及其关键特性 无论是平面栅还是沟槽栅，SiC MOSFET都采用垂直导电结构，其纵向（从漏极到源极）的层状结构是通用的，如下图所示： 图1. 沟槽型--英飞凌非对称沟栅CoolSiC™ MOSFET 图2. 平面栅型MOSFET N+衬底(Substrate)：高掺杂，作为漏极。 N-外延层(Drift Layer)：低掺杂，用于承受高阻断电压。 P-bod
可靠才是硬道理：英飞凌CoolGaN™质量保障体系揭秘
氮化镓（GaN）性能优异，但客户最常问的是：它能像硅器件一样稳定工作十年以上吗？ 作为全球功率半导体领导者，英飞凌的回答不仅是数据，更是一套贯穿设计、制造、认证与应用的全生命周期质量体系。在近日专题研讨中，英飞凌专家首次系统披露了CoolGaN™背后的可靠性工程。 质量之道：言出必行，零缺陷 英飞凌的质量理念是“言出必行”，承诺零缺陷。这背后是三大支柱： 设计可靠性：基于对氮化镓物理特性的深刻
算力为王时代的供电革命——解码高压直流服务器架构中的功率半导体
随着生成式AI与大模型训练推动算力需求呈现指数级增长，AI服务器已成为数据中心能耗的核心来源。据测算，2025年全球数据中心总用电量中人工智能业务占比将从2%飙升至 10%，并且引发全球对数据中心高耗能需求的口诛笔伐。优化AI服务器的功耗表现已经成为全球服务器产业关注的新焦点，在传统的加速卡和处理硬件的功耗日渐增大的前提下，传统交流供电架构的冗余转换损耗、功率密度瓶颈已难以适配GW级智算中心发展需
传感器指南下载 | 英飞凌精彩亮相 Sensor Shenzhen 2026，感知未来从这里出发！
2026年4月14-16日，第四届深圳国际传感器与应用技术展览会（Sensor Shenzhen 2026）在深圳会展中心（福田）圆满落幕。本届展会创历史新高——15,000㎡展示面积、16,000+专业观众到场，英飞凌作为全球物联网领域领导者，携XENSIV™ 传感器与 PSOC™ 微控制器产品及解决方案亮相，在7号馆D105展台吸引众多工程师与行业伙伴驻足交流！ 本次英飞凌展台聚焦机器人、智慧
IPAC直播间丨英飞凌面向大功率组串式光伏的EasyHD3产品与应用
光伏系统在降低碳排放、提升电网可再生能源占比方面发挥着重要作用。在组串式光伏逆变器应用中，功率密度与系统效率不断提高的需求，持续推动着功率半导体器件的进步，英飞凌全新EasyHD3系列产品正是为了实现更高功率密度和更高效率的目标而推出的重磅产品。 2026年4月28日，IPAC直播间将为您介绍英飞凌面向组串式光伏的全新EasyHD3系列产品。请大家锁定频道，赶紧报名哦！ 直播主题：英飞凌面向大功率
欧盟启动SPINS半导体量子中试线 打造量子芯片产业化新标杆
世界的未来不止是AI的，还将是量子技术的。随着中美在量子技术方面频繁取得突破，欧洲除了在半导体方面推动芯片法案2.0之外，还将半导体技术和量子工艺进行融合，在量子芯片产业化过程中寻求全新的探索，未来可能成为中美量子竞争之外新的搅局者。 2026 年 4 月 18 日，比利时微电子研究中心（Imec）正式宣布，欧洲SPINS 半导体量子纳米系统产业级中试线全面启动。该项目作为欧盟《芯片法案》重点布局
总支出1.38万亿，2026年半导体烧钱大战升级（附图）
SC-IQ (Semiconductor Intelligence) 报告显示：2025 年全球半导体资本支出 1660 亿美元，同比增 7%； SC-IQ 预计 2026 年达 2000 亿美元，同比增 20%（约1.38万亿元人民币），其中： 台积电 2026 年资本支出 520-560 亿美元，增 27%-37%，主攻 5G、AI 与 HPC。 三星 2026 年半导体投资约 40
英飞凌嵌入式系统系列研讨会，精彩内容现已上线！
把握未来技术脉搏，从这里开始 嵌入式系统正在驱动新一轮技术创新浪潮——从智能工厂、自动驾驶汽车，到智慧家居、机器人与边缘AI，无处不在的嵌入式技术正在重塑我们的世界。 英飞凌科技倾力打造了嵌入式系统系列研讨会。精彩内容现已上线，随时随地，按需观看！ 五大专题方向，覆盖前沿技术全景 未来边缘AI AI不再只属于云端，它正在走向每一个终端设备。 PSOC™ Edge MCU加速产品智能化 从云
英飞凌与为光能源深度携手， 共筑固态变压器（SST）高可靠新未来
近日，英飞凌科技（以下简称“英飞凌”）与西安为光能源科技有限公司（以下简称“为光能源”）正式达成深度合作，携手开启能源技术革新新篇章。双方将依托英飞凌领先的1200V TRENCHSTOP™ IGBT7及CoolSiC™ MOSFET G2碳化硅分立器件技术，赋能为光能源研发更紧凑、高效的通用固态变压器（SST）产品，大幅提升其在储能系统与充电桩领域的应用效能。双方还计划携手将英飞凌全新碳化硅模块
新品 | CoolMOS™ CFD7 SJ高压超结MOSFET 650V系列
新品 CoolMOS™ CFD7 SJ 高压超结 MOSFET 650V系列 650V CoolMOS™ CFD7是英飞凌最新高压超结MOSFET技术，集成快速体二极管，完善了CoolMOS™ 7系列产品，CoolMOS™ CFD7具备更低的栅极电荷(QG)、优化的关断特性，其反向恢复电荷(QRR)较竞品最多可降低69%，并拥有业界最低的反向恢复时间(trr)，底部散热封装最大程度降低导通损耗，
功率升级，尺寸瘦身：英飞凌CoolGaN™ 低压氮化镓晶体管与PSOC™ Control C3微控制器重塑低压电机控制
在电机控制设计中，工程师们始终面临一个经典难题：如何在有限的空间内，实现更高的效率、更低的温升和更优的动态响应？ 传统硅基MOSFET方案受限于开关速度与损耗，往往不得不在性能与体积之间妥协。如今，英飞凌CoolGaN™低压氮化镓晶体管与全新PSOC™ Control C3微控制器的组合，为低压电机控制带来了系统级的突破——更小、更冷、更静、更快。 从器件到系统：CoolGaN™的价值飞轮 与硅基
安富利TLE9018高精度BMU方案：面向高可靠电池管理的技术升级
在新能源汽车、储能系统以及48V/高压电池应用不断发展的背景下，电池管理系统对采样精度、功能安全、通信可靠性和系统扩展能力提出了更高要求。安富利基于Infineon TLE9018DQK的BMU方案，结合TRAVEO T2G CYT2B75 功能安全ASIL B主控平台，可为客户提供一套兼顾高精度监测、工程可落地性的电池管理参考设计。 BMU With TLE9018 & CYT2B7
英飞凌与为光能源深度携手，共筑固态变压器（SST）高可靠新未来
近日，英飞凌科技(以下简称“英飞凌”)与西安为光能源科技有限公司（以下简称“为光能源”）正式达成深度合作，携手开启能源技术革新新篇章。双方将依托英飞凌领先的1200V TRENCHSTOP™ IGBT7及CoolSiC™ MOSFET G2碳化硅分立器件技术，赋能为光能源研发更紧凑、高效的通用固态变压器（SST）产品，大幅提升其在储能系统与充电桩领域的应用效能。双方还计划携手将英飞凌全新碳化硅模块
IPAC大会全面升级，2026年开启双技术峰会！
自2014年首届举办以来，IPAC英飞凌零碳工业应用技术大会已走过十二载征程。我们始终以“驱动工业低碳转型”为使命，深耕零碳技术领域，累计吸引上万名行业精英、专家学者及企业代表参与，成为业内最具影响力的标杆盛会。 2026年，IPAC大会全面升级， 开启双技术峰会新篇章！ 为进一步聚焦零碳技术前沿，英飞凌将于2026年首次推出两大主题技术大会，诚邀您共襄盛举： 英飞凌碳化硅零碳应用技术大会 📅 时
新品 | CoolSiC™ MOSFET 1200V G2 7mΩ分立器件采用TO-247 4pin高爬电距离封装
新品 CoolSiC™ MOSFET 1200V G2 7mΩ分立器件采用TO-247 4pin 高爬电距离封装 英飞凌采用高爬电距离封装的TO-247 4pin CoolSiC™ MOSFET 1200V G2 7mΩ分立器件，在第一代技术优势基础上实现显著提升，为更高性价比、高效率、紧凑型、易设计且可靠的系统提供先进解决方案。该器件在硬开关与软开关拓扑中均展现出优异性能，广泛适用于各类AC
SiC MOSFET的并联设计要点
SiC MOSFET 的单管额定电流受芯片面积、封装散热、导通电阻等因素限制，常见的单管额定电流多在几十到两百安培，而轨道交通、新能源并网、高压逆变器等场景，往往需要千安级的电流输出，单管无法满足。因此，SiC MOSFET的并联应用的场景越来越普遍。 不管是SiC MOSFET还是IGBT，并联的目标都是实现电流的均匀分布，且消除芯片间的振荡。为了达到这一目标，我们需要做到三点： 1.并联芯片参
IPAC直播间丨英飞凌面向大功率组串式光伏的EasyHD3产品与应用
光伏系统在降低碳排放、提升电网可再生能源占比方面发挥着重要作用。在组串式光伏逆变器应用中，功率密度与系统效率不断提高的需求，持续推动着功率半导体器件的进步，英飞凌全新EasyHD3系列产品正是为了实现更高功率密度和更高效率的目标而推出的重磅产品。 直播主题： 英飞凌面向大功率组串式光伏的 EasyHD3产品与应用 直播时间： 2026年4月28日 14:00 直播亮点 EasyHD3 封装首发解
英飞凌科技大中华区首席财务官齐米乐 (Thomas Zimmerle) 当选中国德国商会・华东区董事会主席
近日，英飞凌科技高级副总裁、大中华区首席财务官齐米乐（Thomas Zimmerle）当选为中国德国商会・华东区新任董事会主席。他将与董事会成员Michael Kern, Anna An, Gregor Koch, Ralph Koppitz, Heiko Laessig, Frank Schulze, Yang Gang博士和Tony Zhang一起，在未来三年内代表中德商业界与相关机构和企业开