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关于「英飞凌」的技术文章、设计资料与工程师讨论,持续更新。

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英飞凌与为光能源深度携手, 共筑固态变压器(SST)高可靠新未来

英飞凌与为光能源深度携手, 共筑固态变压器(SST)高可靠新未来

近日,英飞凌科技(以下简称“英飞凌”)与西安为光能源科技有限公司(以下简称“为光能源”)正式达成深度合作,携手开启能源技术革新新篇章。双方将依托英飞凌领先的1200V TRENCHSTOP™ IGBT7及CoolSiC™ MOSFET G2碳化硅分立器件技术,赋能为光能源研发更紧凑、高效的通用固态变压器(SST)产品,大幅提升其在储能系统与充电桩领域的应用效能。双方还计划携手将英飞凌全新碳化硅模块

新品 | CoolMOS™ CFD7 SJ高压超结MOSFET 650V系列

新品 | CoolMOS™ CFD7 SJ高压超结MOSFET 650V系列

新品 CoolMOS™ CFD7 SJ 高压超结 MOSFET 650V系列 650V CoolMOS™ CFD7是英飞凌最新高压超结MOSFET技术,集成快速体二极管,完善了CoolMOS™ 7系列产品,CoolMOS™ CFD7具备更低的栅极电荷(QG)、优化的关断特性,其反向恢复电荷(QRR)较竞品最多可降低69%,并拥有业界最低的反向恢复时间(trr),底部散热封装最大程度降低导通损耗,

功率升级,尺寸瘦身:英飞凌CoolGaN™ 低压氮化镓晶体管与PSOC™ Control C3微控制器重塑低压电机控制

在电机控制设计中,工程师们始终面临一个经典难题:如何在有限的空间内,实现更高的效率、更低的温升和更优的动态响应? 传统硅基MOSFET方案受限于开关速度与损耗,往往不得不在性能与体积之间妥协。如今,英飞凌CoolGaN™低压氮化镓晶体管与全新PSOC™ Control C3微控制器的组合,为低压电机控制带来了系统级的突破——更小、更冷、更静、更快。 从器件到系统:CoolGaN™的价值飞轮 与硅基

安富利TLE9018高精度BMU方案:面向高可靠电池管理的技术升级

安富利TLE9018高精度BMU方案:面向高可靠电池管理的技术升级

在新能源汽车、储能系统以及48V/高压电池应用不断发展的背景下,电池管理系统对采样精度、功能安全、通信可靠性和系统扩展能力提出了更高要求。安富利基于Infineon TLE9018DQK的BMU方案,结合TRAVEO T2G CYT2B75 功能安全ASIL B主控平台,可为客户提供一套兼顾高精度监测、工程可落地性的电池管理参考设计。 BMU With TLE9018 & CYT2B7

英飞凌与为光能源深度携手,共筑固态变压器(SST)高可靠新未来

英飞凌与为光能源深度携手,共筑固态变压器(SST)高可靠新未来

近日,英飞凌科技(以下简称“英飞凌”)与西安为光能源科技有限公司(以下简称“为光能源”)正式达成深度合作,携手开启能源技术革新新篇章。双方将依托英飞凌领先的1200V TRENCHSTOP™ IGBT7及CoolSiC™ MOSFET G2碳化硅分立器件技术,赋能为光能源研发更紧凑、高效的通用固态变压器(SST)产品,大幅提升其在储能系统与充电桩领域的应用效能。双方还计划携手将英飞凌全新碳化硅模块

IPAC大会全面升级,2026年开启双技术峰会!

自2014年首届举办以来,IPAC英飞凌零碳工业应用技术大会已走过十二载征程。我们始终以“驱动工业低碳转型”为使命,深耕零碳技术领域,累计吸引上万名行业精英、专家学者及企业代表参与,成为业内最具影响力的标杆盛会。 2026年,IPAC大会全面升级, 开启双技术峰会新篇章! 为进一步聚焦零碳技术前沿,英飞凌将于2026年首次推出两大主题技术大会,诚邀您共襄盛举: 英飞凌碳化硅零碳应用技术大会 📅 时

新品 | CoolSiC™ MOSFET 1200V G2 7mΩ分立器件采用TO-247 4pin高爬电距离封装

新品 | CoolSiC™ MOSFET 1200V G2 7mΩ分立器件采用TO-247 4pin高爬电距离封装

新品 CoolSiC™ MOSFET 1200V G2  7mΩ分立器件采用TO-247 4pin 高爬电距离封装 英飞凌采用高爬电距离封装的TO-247 4pin CoolSiC™ MOSFET 1200V G2 7mΩ分立器件,在第一代技术优势基础上实现显著提升,为更高性价比、高效率、紧凑型、易设计且可靠的系统提供先进解决方案。该器件在硬开关与软开关拓扑中均展现出优异性能,广泛适用于各类AC

SiC MOSFET的并联设计要点

SiC MOSFET的并联设计要点

SiC MOSFET 的单管额定电流受芯片面积、封装散热、导通电阻等因素限制,常见的单管额定电流多在几十到两百安培,而轨道交通、新能源并网、高压逆变器等场景,往往需要千安级的电流输出,单管无法满足。因此,SiC MOSFET的并联应用的场景越来越普遍。 不管是SiC MOSFET还是IGBT,并联的目标都是实现电流的均匀分布,且消除芯片间的振荡。为了达到这一目标,我们需要做到三点: 1.并联芯片参

IPAC直播间丨英飞凌面向大功率组串式光伏的EasyHD3产品与应用

光伏系统在降低碳排放、提升电网可再生能源占比方面发挥着重要作用。在组串式光伏逆变器应用中,功率密度与系统效率不断提高的需求,持续推动着功率半导体器件的进步,英飞凌全新EasyHD3系列产品正是为了实现更高功率密度和更高效率的目标而推出的重磅产品。  直播主题: 英飞凌面向大功率组串式光伏的 EasyHD3产品与应用 直播时间: 2026年4月28日 14:00 直播亮点 EasyHD3 封装首发解

英飞凌科技大中华区首席财务官齐米乐 (Thomas Zimmerle) 当选中国德国商会・华东区董事会主席

英飞凌科技大中华区首席财务官齐米乐 (Thomas Zimmerle) 当选中国德国商会・华东区董事会主席

近日,英飞凌科技高级副总裁、大中华区首席财务官齐米乐(Thomas Zimmerle)当选为中国德国商会・华东区新任董事会主席。他将与董事会成员Michael Kern, Anna An, Gregor Koch, Ralph Koppitz, Heiko Laessig, Frank Schulze, Yang Gang博士和Tony Zhang一起,在未来三年内代表中德商业界与相关机构和企业开

芯闻速递丨积塔半导体成功举办2026技术创新研讨会

芯闻速递丨积塔半导体成功举办2026技术创新研讨会

4月2日,华大半导体旗下上海积塔半导体有限公司成功举办“共创价值、协同增长”2026半导体技术创新研讨会。华大半导体党委书记、董事长孙劼出席会议并讲话,副总经理、积塔半导体总经理杨琨等参加会议。来自汽车电子、具身智能、芯片设计等领域的260余名产业链伙伴齐聚一堂,共探技术前沿,共谋生态协同。  深耕特色工艺 铸就车规标杆  作为华大半导体在特色工艺制造领域的战略支点,积塔半导体始终秉持“积沙成塔

英飞凌携手合作伙伴RT-Thread举办PSOC™ Edge AI实战培训圆满收官——四城联动共探边缘AI落地新路径

英飞凌携手合作伙伴RT-Thread举办PSOC™ Edge AI实战培训圆满收官——四城联动共探边缘AI落地新路径

近日,由英飞凌半导体(Infineon)与RT-Thread联合举办的PSOC™ Edge开发套件Edgi Talk AI实战培训圆满落幕。本次培训在北京、成都、深圳、上海四城巡回展开,活动现场人气爆棚,累计吸引超250位嵌入式开发者、技术工程师踊跃参与。 活动全程干货满满,英飞凌团队深度解读PSOC™ Edge边缘AI芯片的硬核实力,RT-Thread技术团队则手把手指导开发者完成实战开发,共同

IPAC大会全面升级,2026年开启双技术峰会!

自2014年首届举办以来,IPAC英飞凌零碳工业应用技术大会已走过十二载征程。我们始终以“驱动工业低碳转型”为使命,深耕零碳技术领域,累计吸引上万名行业精英、专家学者及企业代表参与,成为业内最具影响力的标杆盛会。 2026年,IPAC大会全面升级,开启双技术峰会新篇章!为进一步聚焦零碳技术前沿,英飞凌将于2026年首次推出两大主题技术大会,诚邀您共襄盛举: 英飞凌碳化硅零碳应用技术大会 亮点聚焦:

英飞凌一站式充电器解决方案,赋能高密度快充设计

英飞凌一站式充电器解决方案,赋能高密度快充设计

随着智能手机、笔记本电脑等移动设备功能日益强大,电池容量持续提升,用户对充电器的要求也愈加严苛:更高功率、更小体积、更低成本、更强兼容性,已成为市场不可逆的四大趋势。USB-C 接口的普及,更推动充电器从“专用”走向“通用”,一个充电器,即可为手机、笔记本、甚至工业设备供电,真正实现“一充多用”。 在这一背景下,如何设计出既能满足高效率、高密度要求,又能控制成本、加速上市的充电解决方案,成为系统架

英飞凌汽车业务本土化战略一周年:从蓝图到实景,筑牢“产-需-生态”全链条优势

英飞凌汽车业务本土化战略一周年:从蓝图到实景,筑牢“产-需-生态”全链条优势

4月12日,由车百会研究院主办的2026智能电动汽车发展高层论坛在北京举行。英飞凌科技高级副总裁,汽车业务大中华区负责人曹彦飞应邀出席国际论坛发表演讲,并在会上宣布,自2025年3月公布“与中国汽车产业同频共振”本土化战略以来,英飞凌依托“本土产品定义、本土生产、本土生态圈”三大支柱稳步落地,已在多个关键领域取得实质性进展与重要里程碑,正加速将规划转化为行动,赋能中国汽车产业电动化与智能化转型升级

北交所功率半导体部件第一股诞生!客户含中车、英飞凌

北交所功率半导体部件第一股诞生!客户含中车、英飞凌

2026年4月10日,北交所功率半导体部件“第一股”赛英电子正式挂牌,上市首日股价大涨120%,截止笔者发稿,股价涨至70元,总市值攀升至30亿元,资本市场的热度印证了其在细分领域的稀缺价值。 成立于2002年的赛英电子,深耕功率半导体器件关键部件领域二十余年,以陶瓷管壳和封装散热基板为核心主业,产品广泛应用于特高压、新能源汽车等高端领域,凭借稳定的产品实力与头部客户资源,在国产功率半导体产业链

三家芯片厂的豪赌,值不值?

79天,1100亿港元。 这是2026年一季度港股IPO市场交出的成绩单。Wind数据显示,截至3月31日,港股市场共有40家企业完成IPO,同比增长150%;募资总额接近1100亿港元,同比激增489%。 从募资节奏看,在短短79天内便突破千亿港元大关,创下五年来新高——去年同期实现这一目标,花费了近半年时间。分月来看,1至3月IPO首发募资金额分别为423亿港元、501亿港元、175亿港元,上

芯闻速递 | 英飞凌新推出一款12位数字电流监测IC XDM700-1;英飞凌推出超低噪声XENSIV™ TLE4978

芯闻速递 | 英飞凌新推出一款12位数字电流监测IC XDM700-1;英飞凌推出超低噪声XENSIV™ TLE4978

英飞凌新推出一款12位数字电流监测IC XDM700-1,提供高精度传感与报告功能 全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司进一步扩展其XDP™保护与监测产品组合,推出新产品XDM700-1。XDM700-1是一款适用于高/低侧电流及电压传感的系统监测与报告集成电路(IC),输入电压最高达80 V。该产品基于XDP7xx保护技术平台打造,提供精准的实时测量、监测、报告功能,是AI服

芯闻速递 | 英飞凌推出多款创新电源解决方案,全面赋能AI数据中心提效增速

芯闻速递 | 英飞凌推出多款创新电源解决方案,全面赋能AI数据中心提效增速

英飞凌针对800 VDC架构AI数据中心推出基于CoolGaN™的高压IBC参考设计 全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司推出两款全新高压中间总线转换器(HV IBC)参考设计,帮助客户加速向±400 V和800 V直流(VDC)供电的AI服务器电源架构转型。这些参考设计采用英飞凌的650 V CoolGaN™开关,专为追求更高机架功率、更低配电损耗、更优散热性能的超大规模云服

英飞凌亮相SEMICON China & CS Asia 2026:以GaN赋能高密度AI电源平台,共铸万亿半导体新时代

SEMICON China 2026开幕仪式 3月25日,SEMICON China 2026国际半导体展在上海盛大启幕,展览面积逾10万平米,吸引1500家全球展商参与,预计逾18万人次专业观众共襄盛举。 本届展会聚焦三大产业趋势:AI算力持续爆发,2026年全球AI基础设施支出将达4500亿美元;作为AI基础设施核心资源,全球存储产值成为半导体第一增长极;技术驱动产业升级,先进封装战略地位凸显