SiC SBD：第三代半导体的破局者
碳化硅(SiC)功率器件在高压和高温应用中展现出卓越的效率与性能，而传统硅基器件在这些领域则面临物理极限。 在各类SiC器件中，肖特基势垒二极管(SBD)被公认为最早问世的SiC功率器件，相关研究可追溯至1974年[1]。SBD很快便实现了广泛的商业化应用，尤其在电动汽车牵引逆变器和可再生能源装置等电源转换系统中。 SiC肖特基势垒物理原理 与依赖P型和N型半导体结的PN结二极管不同，SBD通过金
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氮化镓增强型GaN晶体管结构简介
氮化镓晶体管内部构造简介 GaN 氮化镓晶体管（HEMT）的基本结构如下图1所示，以 GaN/AlGaN 异质结为主体，在AlGaN/ GaN的异质结界面处，由于氮化镓材料的自发极化效应与压电极化效应，形成了一层高电子浓度的导电通道——二维电子气（2DEG）；器件的最底层是衬底层(一般为Si材料，也有SiC或者GaN材料)，在其上外延生长出N型GaN缓冲层，外延生长的P型AlGaN势垒层，形成A
夏季热失控事故频发，48V架构能否成为电动汽车的“救命稻草”？
今年入夏以来，全国多地连续发布高温预警，电动汽车的“续航焦虑”再次被推上风口浪尖——但这一次，焦点不再是电池容量，而是热管理。 随着汽车电气化与智能化进程的加速，电驱系统功率密度大幅跃升，传统的12V低压架构在驱动电子水泵、冷却风扇、油泵等高功率附件时早已捉襟见肘——“热”不再只是舒适性问题，而是关乎整车安全与续航效率的核心命门。正是在这一背景下，48V架构凭借在传输效率与功率密度上的显著优势，成
深入解读SiC MOSFET栅极开关不稳定性(GSI)
在关于碳化硅（SiC）MOSFET 的栅极不稳定性的研究中，除了上期介绍的的 DC BTI，还有一种碳化硅专属的退化机制—— 栅极开关不稳定性（GSI），它在高频开关的实际应用中引发的参数漂移，远超传统 DC BTI 测试的结果，成为影响 SiC 器件长期稳定运行的关键问题。而英飞凌不仅是最早发现并命名 GSI 的企业，更通过深度研究、结构创新和工艺优化，实现了对 GSI 的极致控制，让 Cool
全面解析SiC MOSFET雪崩耐量
在新能源、工控、储能等高压大功率场景中，沟槽栅 SiC MOSFET凭借优异的开关性能被广泛应用。但在电机驱动、电源转换等感性负载场景中，MOSFET关断时因电流突变会在漏源极间产生高压尖峰。若无钳位电路吸收能量，器件可能进入雪崩击穿状态，轻则参数劣化，重则直接烧毁。雪崩稳健性是衡量 SiC MOSFET 可靠性的核心指标，今天结合实测案例与图表，拆解动态雪崩测试原理、单脉冲 / 重复雪崩耐量区
英飞凌深度解析：CoolSiC™ MOSFET 短路能力与失效模式
在碳化硅SiC MOSFET快速普及的今天，短路稳定性一直是行业关注与争议的焦点。很多工程师误以为：SiC MOSFET 天生扛不住短路，是硬缺陷。事实真的如此吗？ 英飞凌基于大量实测与器件机理研究，为大家还原 CoolSiC™ MOSFET 短路特性的真相，帮你在选型与应用中少走弯路。 01 先澄清一个误区：SiC 不是 “不能短路” 先看一组行业常见数据： 常规工业级 IGBT：短路耐受
白皮书下载 | 深度解析为何SiC MOSFET必须构建专属可靠性验证方法？
在电力电子领域，SiC MOSFET正凭借高频、高效、高温的显著优势在新能源汽车、光伏储能、工业电源等核心场景加速渗透。SiC MOSFET能复用硅基器件(如垂直型MOSFET或IGBT)的许多基本的器件设计概念，另外用于验证Si MOSFET/IGBT长期稳定性的许多方法可以直接用到SiC MOSFET上。但更深入的分析表明，基于SiC的MOSFET还需要进行一些不同于Si器件的额外可靠性试验。
安富利基于英飞凌CTRX8188F推出4D成像雷达解决方案
在L2+级自动驾驶加速量产的今天，4D成像雷达的市场渗透率快速提升，正逐步成为主流智能汽车感知系统的“核心配置”——但行业始终面临着“芯片性能难落地、算法验证周期长、多芯片级联复杂度高”的三大痛点。 作为全球领先的技术分销商和解决方案提供商，安富利基于英飞凌CTRX8188F芯片推出了覆盖硬件集成、软件驱动、算法验证、系统级联的4D成像雷达解决方案。依托14.5dBm发射功率、4GHz超大带宽、8
英飞凌荣获“2026年度AI影响力奖”：AI赋能半导体制造，实现可衡量商业价值
全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司，凭借其“面向测试工程的生成式AI”（GenAI for Test Engineering）项目荣获“2026年人工智能影响力奖”。该奖项由德国《经理人杂志》（manager magazin）和保时捷管理咨询公司（Porsche Consulting）联合颁发，旨在表彰通过有针对性地应用AI而实现显著且可衡量商业影响力的企业。 英飞凌荣获20
白皮书下载｜英飞凌最新版SiC可靠性白皮书解读
SiC MOSFET凭借优异的性能优势，已成为电力电子领域的核心器件，备受行业关注。但由于特殊的材料属性与器件结构，SiC功率器件的长期可靠性，始终是研发工程师重点关注的核心问题。 问题包括但不限于： 栅氧缺陷多，早期失效风险高 长期工作中的阈值电压漂移问题（BTI/GSI） 宇宙射线引发单粒子烧毁 短路/雪崩耐受弱 体二极管存在双极退化 为此，英飞凌重磅发布全新升级版Si
插画揭秘｜英飞凌PSOC™ Edge这颗“种子”如何长出AI的枝干
大家好，我是英飞凌PSOC™ Edge**—— 一颗不甘平凡的芯片种子。在科技的土壤里，我的使命，是打破智能设备的性能瓶颈，让智慧，生长在每一个角落。** 我天生自带 “硬实力 + 软实力”双重超能力： 从消费电子到智能家居，从工业控制到万物互联，我就是连接世界的智能桥梁，让智能真正无处不在。 我可以做你的随身智能秘书：**在智能眼镜里实时导航、翻译、提醒；在智能手表中监测健康、分析运动；超低
氢能HVAC：宽禁带半导体赋能下的能源新范式
在全球碳中和目标与能源转型的大背景下，建筑与工业领域的能源自主化已成为重要发展趋势。其中，供暖、通风与空调（HVAC）系统作为“能耗大户”，其能源供给方式的变革尤为关键。用氢能驱动冷暖自由——这不仅是技术的进化，更是一场能源逻辑重构。 The Business Research Company报告显示：HVAC市场规模已从2024年的15.8亿美元跃升至2025年的19.1亿美元，预计到2030年
科技赋能生态 守护太湖共生｜英飞凌 “听见・共生” 鸟类声纹监测项目在无锡启动
近日，英飞凌在无锡正式启动 “听见・共生”—— 大溪港湿地鸟类声纹监测与生态科普项目，活动将生态公益与员工健康深度融合，彰显了英飞凌 “科技赋能自然、人文温暖生态” 的可持续发展理念，为本地生物多样性保护与企业社会责任实践树立新标杆。 无锡太湖大溪港湿地公园是东亚 - 澳大利西亚候鸟迁飞路线上的重要驿站，截止2025年已记录鸟类232种，其中国家一级保护动物7种、国家二级保护动物35种。然而，这些
集成式电子保险丝：为何是AI时代PSU的必然选择
数据中心正迈入一个由空前功率密度定义的新时代。AI负载的爆发式增长正推动供电架构从传统12 V全面向48/54 V演进，机架级功率由此跃升至数千瓦级别。这一变革对保护方案提出了全新要求：不仅需要更快速、更智能，更需具备与生俱来的可扩展性和可预测性。 传统保护方案（如机械保险丝、分立式MOSFET控制器）受限于其诞生时代的技术水平，存在响应延迟、系统复杂、热特性不可预测等问题，已无法适配现代AI服务
【限量席位 · 倒计时】IPAC碳化硅零碳应用技术大会，三重惊喜好礼现场发送！
IPAC 2026双技术峰会报名持续火爆！ 为感谢每一位支持者的信任，我们在5月22日IPAC碳化硅零碳应用技术大会现场准备了三重惊喜好礼！ IPAC碳化硅零碳应用技术大会 📅 时间：2026年5月22日 📍 地点：深圳 第一重好礼 全新升级SiC可靠性白皮书（纸质完整版） 英飞凌最新发布全新升级版 SiC 可靠性白皮书，系统性梳理 SiC MOSFET 可靠性的核心要点和应对之策。内容全面解析
面向AI芯片的VPD技术是什么？
本文将介绍供电体系的垂直供电（Vertical Power Delivery，VPD）现状和发展趋势。 AI芯片供电为何面临瓶颈 随着AI处理器功耗迈入千瓦级别，供电体系正在从传统的平面供电向垂直供电（Vertical Power Delivery，VPD）演进。VPD并非简单的电源小型化，而是一场系统级供电架构的重构。 AI处理器的算力扩展带来了更高的功耗。当核心电压维持在0.6V至0.8V左右
基于F-RAM与闪存组合的汽车数据记录方案
汽车行业的进步不断提升着车辆的安全性、效率和可靠性。随着汽车技术日益先进，作为其核心功能基础的芯片也在同步演进。例如，数据记录系统的需求和普及度正显著提高。 特别是由于近期全球范围内的相关立法，事件数据记录器(EDR)和自动驾驶数据存储系统(DSSAD)备受关注。虽然这两个系统都旨在安全可靠地存储驾驶数据，但它们之间仍存在关键区别(表1)。 表1：EDR和DSSAD数据记录器的对比。(来源：英飞
英飞凌再次入选全球可持续发展领军企业
全球领先的功率系统半导体供应商英飞凌科技股份公司已入选道琼斯全球及欧洲最佳表现(Best-in-Class)指数。标普道琼斯指数（S&P Dow Jones Indices）已于5月1日在纽约公布了这一结果。 Elke Reichart 英飞凌科技管理委员会成员 兼首席数字化转型与可持续发展官 我们很荣幸看到英飞凌被认可为全球领先的可持续发展企业之一。英飞凌已经连续16年入选该榜单，这充分
揭秘：英飞凌增强型GaN为何是功率设计的更优选择？
在氮化镓（GaN）功率器件的选择上，工程师们常常面临一个核心问题：增强型（E-mode）还是耗尽型（D-mode）？两种技术路径，哪一种才能真正为系统带来最佳性能、可靠性与成本优势？ 作为全球领先的功率半导体供应商，英飞凌深耕GaN技术多年，推出了基于栅极注入晶体管（GIT）技术的CoolGaN™增强型产品系列。今天，我们将通过深入的技术对比，为您揭示增强型GaN为何成为现代功率电子设计的更优选择
深度解读英飞凌EiceDRIVER™：规格书之外的硬核技术干货
隔离栅极驱动器是连接控制与功率的桥梁，其性能直接影响系统效率、可靠性与安全性。然而，数据手册之外的设计细节，往往才是决定成败的关键。 2026年5月20日15:00，英飞凌专家将深度解读EiceDRIVER™隔离栅极驱动器系列，分享规格书之外的硬核技术干货，助您从容应对实际开发挑战。 EiceDRIVER™核心特性 EiceDRIVER™隔离栅极驱动器专为太阳能逆变器、电动汽车充电桩、工业驱动等高