干沉积光刻胶在EUV与电子束曝光下呈现不同色调行为（鲁汶大学等）

本文主要介绍了如何在线检测H2O2浓度。 在半导体晶圆厂的湿法清洗中，实现在线（In-line/On-line）检测 H2O2浓度，为了保证制程的稳定性，机台不能停机抽样测试。 一般有两种方法：近红外光谱法 (NIR)和在线自动滴定。 什么是近红外光谱法？ 这是目前所有先进晶圆厂湿法机台的标配。 近红外光（波长通常在780nm - 2500nm 之间）照射到液体时，液体分子内部的化学键（特别是

三十年，在历史的长河中只是弹指一挥间，对于企业而言，是从青涩到成熟的壮丽征程。 上周，瑞萨北京工厂与苏州工厂双双迎来成立三十周年庆典。虽相隔千里，但同频共振。两座工厂分别举行了隆重而热烈的庆祝仪式，全体员工齐聚一堂，为三十岁生日献上最真挚的祝福！作为周年庆典的一部分，北京工厂在庆典同期连线参加了瑞萨2025 IM （Internal Manufacturing）Award颁奖典礼，与全球瑞萨人共同

本文主要讲述ADI。 在半导体芯片制造的光刻工艺中，显影后检测（After Development Inspection，简称ADI）是一个关键的质量控制环节。它位于光刻工艺的显影步骤完成之后、刻蚀工艺开始之前，主要目的是确认光刻胶上形成的图形是否符合设计要求。 ADI在光刻工艺中的位置 光刻工艺的基本流程包括涂胶、曝光和显影三个主要步骤。首先在晶圆表面涂上光刻胶，然后通过光刻机将设计图形曝光到光

新年的钟声渐进， 归家的步履匆匆。 当灯火团圆，跃动着不息的光芒， 一群可敬的造“芯”人，选择与工作为伴， 在车间、在产线、在研发室， 在机房、在仓库、在餐厅、在保安岗哨…… 他们用专业和敬业，用责任和坚守， 为春节的安宁与未来的蓝图默默书写保障。 至此新春佳节来临之际， 公司管理层及相关部门负责人， 带着满怀关爱前往一线， 向每一位坚守岗位的微电子人， 送上诚挚的新春祝福。 新年好！大家辛苦啦~

电子特种气体是纯度达到99.999%（5N）以上的特种气体，是半导体、显示面板、光伏等高科技产业制造过程中的关键材料。在集成电路从裸硅片到成品芯片的晶圆制造全流程中，超过一半的工序要用到电子特种气体。芯片制造需经历上千道工序，约70%的环节依赖电子特气。这些气体贯穿薄膜沉积、图形化刻蚀、离子注入掺杂、晶圆清洗等核心工艺，直接影响芯片的性能、良率和可靠性。电子特气堪称半导体工业的“隐形血液”。 电子

岁序更替，华章日新； 祥狮献瑞，芯光焕彩。 沐岭南春早之和风，承湾区奋进之宏愿，粤芯半导体于丙午新春之际，以铿锵鼓点唤醒新春气象，以腾跃醒狮开启“芯”程“芯”篇！此日不惟迎春，更在迎势——迎技术突破之势，迎产业协同之势，迎文化自信之势。祥狮点睛，以“醒”明志，以“兴”笃行，以中国芯夯实强国之基！ 吉时启程 瑞启新章 2026年2月25日上午9时，吉时准至。 春鼓擂动，瑞狮腾跃！公司领导

制造芯片的复杂程度超过制造火箭。阅读本案例研究，了解美光如何率先在制造、物流和业务流程中应用 AI，并将其大规模部署，从而实现技术优势地位。 美光在利用人工智能 (AI) 技术方面绝不仅限于空谈。公司将数据分析和 AI 应用于自身制造流程，真正做到了言行一致。美光将 AI 融入业务运营的核心，通过业界前沿内存和存储解决方案，彰显其赋能技术的卓越价值。 智能制造是自动化的更高阶段。其关键在于大规模智

本文介绍了Fab中的PIE工程师。 PIE岗位定义与核心价值 工艺整合工程师（Process Integration Engineer，简称PIE）是半导体晶圆制造工厂中的关键角色。PIE并不直接设计芯片，也不单独操作某一类工艺设备，而是负责将光刻、刻蚀、薄膜沉积、离子注入、化学机械抛光等众多工艺步骤有效集成，确保不同工艺模块之间能够兼容并协同工作，从而保证最终芯片的性能、质量和良率。在芯片制造的

先纠正一个常见误解：3nm、5nm 不是尺子上真实的线宽，更像是工艺代际名称，代表晶体管密度、功耗、性能、设计规则和量产能力的一整套升级。公开资料看，台积电 3nm FinFET 工艺已在 2022 年进入高量产阶段，2nm N2 也已在 2025 年第四季度进入量产，并开始采用 nanosheet 晶体管结构。 所以问题的核心不是“能不能做出 3nm”，而是：能不能高良率、低成本、稳定地做出几千

英特尔的AI战略侧重于运营规模、生命周期管理以及全厂范围的部署。 AI已经融入半导体制造环节，在检测工具、统计过程控制和良率分析等方面提供支持。因此，AI在半导体行业并非从无到有的新生事物，但其角色正在发生变化。随着设备架构日益复杂、制程工艺窗口不断收窄，AI正逐渐成为支撑先进晶圆厂持续运行的核心基础设施的一部分。 在英特尔代工，这一转变在内部被描述为从孤立的分析转向该公司所称的“大规模应用智能”

本文主要讲述NIL技术。 目光投向EUV光刻之外的技术路线。纳米压印光刻（Nanoimprint Lithography，简称NIL）作为一种有力的补充方案，近期因佳能推出相关设备而备受关注，业界看好其打破传统光刻机垄断的潜力。 原理与工艺差异        传统光刻技术（包括DUV和EUV）的本质是利用光源通过掩模版对光刻胶进行图案化，其分辨率由光源波长决定。工艺流程包括涂布光刻胶、掩模对位、曝

本文将介绍从28nm到A14（约1.4nm）的演进路径。 在半导体行业，每一代工艺节点的跨越都像是一场精密到原子级别的“极限挑战”。最近的一份技术总结，清晰地勾勒出了从28nm到A14（约1.4nm）的演进路径——这不仅是数字的缩小，更是整个制造体系的重构。 金属间距 摩尔定律的真实标尺工艺节点的数字常常让人迷惑——所谓的“5nm”、“3nm”早已不是某个具体尺寸。真正的物理标尺，是后段互连中的金

在纳米级光刻工艺中，线边缘粗糙度（Line Edge Roughness, LER）是指光刻图案边缘与理论上完美光滑边缘之间的随机偏差。显影后，光刻胶边缘在电子显微镜下呈现类似锯齿的不规则图形。与之相关的线宽粗糙度（LWR）则强调线宽沿长度方向的波动。随着特征尺寸持续缩小，LER并不会同比缩小，而工艺容差却不断收窄，这使得过去几纳米级的边缘起伏从“图形小瑕疵”转变为直接影响器件性能的关键因素。 L

4月23日消息，这可不是简单的二次拼接，而是从零开始的晶圆级手搓。 海外科技博主Dr.Semiconductor（半导体博士）完成了全球第一次DIY壮举。他在自家后院棚屋改造的洁净室里，成功制备出内存存储单元阵列，实现了史上首次在家自制RAM内存的突破。他还通过视频，完整展示了家用环境下芯片制造的全流程半导体工艺。 当下AI产业爆发，引发了全球内存市场的持续动荡。三星、美光、SK海力士三大

5月7日消息，据美国德克萨斯州格莱姆斯县官网披露，埃隆·马斯克旗下的太空探索技术公司（SpaceX）正考虑在该县投资建设一座名为“Terafab”的超级半导体制造工厂。该项目初期投资高达550亿美元，若全盘落成，总投资额将飙升至惊人的1190亿美元。 根据格莱姆斯县于5月初发布的公开听证会通知，SpaceX正向当地政府申请财产税减免政策，以支持这个代号为“Terafab”的庞然大物落地。文件显示，

本文介绍了SC-1清洗液。 SC-1 (Standard Clean 1)，全称为标准清洗液一号，通常也叫做 APM (Ammonia Peroxide Mixture)。它是半导体制造中最著名、应用最广泛的清洗配方——RCA 清洗工艺的核心组成部分（由美国无线电公司 RCA 的 Werner Kern 于 1965 年发明）。 SC-1 的配方组成 SC-1 的经典化学配比是： 氨水 (NH3

"印度制造"的标签即将贴上半导体芯片？ 当地时间2026年5月16日，荷兰光刻机巨头阿斯麦（ASML）与印度科技巨头塔塔电子正式签署谅解备忘录（MoU），宣布建立战略合作伙伴关系，共同推进印度半导体制造生态系统发展，这一签约仪式在印度总理纳伦德拉·莫迪访问荷兰期间举行，由莫迪亲自见证。 根据合作内容，ASML将为塔塔电子即将在印度古吉拉特邦多勒拉（Dholera）建设的300毫米（12英寸）半导体

全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司，凭借其“面向测试工程的生成式AI”（GenAI for Test Engineering）项目荣获“2026年人工智能影响力奖”。该奖项由德国《经理人杂志》（manager magazin）和保时捷管理咨询公司（Porsche Consulting）联合颁发，旨在表彰通过有针对性地应用AI而实现显著且可衡量商业影响力的企业。 英飞凌荣获20

马斯克「非常认真」、英特尔提供14A技术 ASML 执行长克里斯托福·富凯（Christophe Fouquet）20 日出席比利时安特卫普科技活动时表示： 富凯已直接与马斯克就 TeraFab 半导体计划会谈，并形容马斯克「非常认真」看待这项计划。 富凯表示，TeraFab和星链（Starlink）等大型计划将在数年内增加设备供应商的产能压力，并警告全球半导体产业都可能面临供不应求局面。 一、A

在芯片厂里，PE和EE互相甩锅，几乎是制造现场最有生命力的传统项目。 PE，也就是Process Engineer，工艺工程师。EE，也就是Equipment Engineer，设备工程师。 一个管工艺结果，一个管机台状态；一个盯参数、良率、recipe、工艺窗口；一个盯报警、硬件、PM、UPTIME、部件寿命。 表面上看，两边都是为了产线稳定。但一旦异常出现，双方就很容易站到“对面”。 不是因