EBSD中的能量过滤
EBSD 作为晶粒取向表征核心技术,过往对图案形成物理机制研究不足。Alwyn Eades 团队通过能量过滤技术,系统探究不同能量背散射电子的衍射贡献,验证了该技术对图案衬度、空间分辨率的提升效果,填补了底层机理认知空白。 电子背散射衍射(EBSD)是材料表征晶粒取向的核心技术,过往发展多聚焦于标定速度与后处理算法,对图案形成的底层物理机制认知仍有欠缺。Alwyn Eades 团队通过能量过滤装置
EBSD 作为晶粒取向表征核心技术,过往对图案形成物理机制研究不足。Alwyn Eades 团队通过能量过滤技术,系统探究不同能量背散射电子的衍射贡献,验证了该技术对图案衬度、空间分辨率的提升效果,填补了底层机理认知空白。 电子背散射衍射(EBSD)是材料表征晶粒取向的核心技术,过往发展多聚焦于标定速度与后处理算法,对图案形成的底层物理机制认知仍有欠缺。Alwyn Eades 团队通过能量过滤装置
集成电路制造是数百道精密工艺协同的复杂工程,核心是在硅晶圆上通过重复循环构建晶体管与互连网络。本文从晶圆制备、光刻、沉积刻蚀、掺杂改性到互连封装,拆解芯片制造全流程,解析各环节核心原理与技术难点。 从一片硅到一枚芯片:集成电路制造究竟经历了什么? 一枚集成电路看似只是面积有限的硅芯片,其内部却可能集成数以亿计乃至数百亿计的晶体管,以及规模庞大的金属互连网络。如此复杂的结构并不是一次加工完成的,而
7月17日,以“智能伙伴 共创未来”为主题的2026世界人工智能大会(WAIC)在上海拉开帷幕。作为国产高性能智能体CPU芯片的代表企业,此芯科技携五大系列产品矩阵集中亮相,涵盖AGX Station、Agentic Computer、Agentic Box、Agentic Infra、Agentic Robot,全面展示了从底层芯片、操作系统到落地场景的端、边、云全域协同Agentic Comp
本文带你基于VS Code和RT-Thread,几分钟搭好GD32F527I_EVAL的调试环境,含OpenOCD内容。 开发板开箱 收到快递后,迅速拆包查看。 发现有+5V电源接口,正好我有+5V适配器,当然利用GD-Link的端口MicroUSB口也可以给开发板供电。 接通电源后,首先看到板上RT-Thread操作系统已经带有摄像头驱动,显示拍摄图像在液晶屏上。 电脑上进行VSCode工
模型小型化、智能化水平不断提升,推动端侧AI走向规模化落地,也让过去多年以“连接”为核心的IoT,加速向以“认知”为标志的AIoT演进。行业对嵌入式设备的AI能力需求日益迫切,越来越多的终端设备在传统MCU中部署AI算法和模型,在本地实现智能感知、推理与执行。然而,嵌入式设备部署AI始终资源受限,面临功耗、时延与存储等多重约束,也对芯片底层设计提出了更高要求。 在WAIC 2026展会上,安谋科技
本期为大家带来的是《**集成式隔离偏置模块如何改善功率密度和可靠性》**,本文分享简化 EMI 滤波的 PCB 布局技巧,说明集成方案如何省去变压器定制与多轮验证,压缩整机设计周期,平衡功率密度、系统可靠性与开发效率。 引言 隔离偏置电源是牵引逆变器、光伏逆变器和数据中心电源系统等高性能电力电子设备中的关键构件,但需要在功率密度和开发时间之间进行权衡。隔离 DC/DC 设计依赖分立式变压器和开关元
钨塞是什么? 钨塞(Tungsten Plug,业内常简称为 W-plug)是半导体集成电路制造中,用于实现晶体管器件层与上方金属互连层之间垂直电气连接的圆柱形微观金属导体。 在芯片的物理架构中,它主要位于中道工序(MOL, Middle-of-Line)的接触孔(Contact)层。通俗来说,晶体管的源极、漏极和栅极深埋在底层的硅基底上,而负责传输信号的铜布线(M1, M2...)悬浮在上方介质
本文介绍了Standard cell/标准单元在芯片设计中的核心地位。 标准单元在芯片设计中的核心地位 随着摩尔定律的持续推进,芯片设计对功耗(Power)-性能(Performance)-面积(Area)(PPA)的优化需求愈发严苛。 标准单元(Standard Cell)作为数字芯片设计的基础构件,其布局质量直接影响整个芯片的PPA表现。 这里指出,从平面晶体管(Planar)到FinFE
本文介绍了本届世界杯使用的黑科技。 今年这届世界杯,已经进入尾声啦! 这届世界杯,是有史以来科技含量最高的一届世界杯。在球场内外,融入了大量的前沿数字科技,涵盖了5G、物联网、VR/AR、云计算、数字孪生、人工智能等各个领域。这些数字科技,不仅提升了比赛判罚的准确性,也改变了场外观众的观赛体验。 今天这篇文章就给大家详细盘点一下,本届世界杯到底用了哪些黑科技。 搭载IMU芯片的比赛用球 我们从赛场
2026年,新能源汽车渗透率突破50%,电驱系统正从20,000rpm向30,000rpm迈进。转速越高,对电机控制算法的算力要求就越高;算力越高,芯片的成本和功耗压力就越大。这是一道摆在所有电驱工程师面前的“既要又要”难题。 芯驰科技给出的答案是——E3118单电驱方案。 E3118 单电驱方案基于芯驰 E3118 芯片,面向电机控制场景,提供从硬件架构到软件实现的完整技术参考。 本文档系统整
随着AI人形机器人产业高速迭代,设备算力、响应速度、智能交互能力持续升级,高算力SoC电源架构设计已成为整机性能突破的核心瓶颈。 为此,MPS上线了机器人电源技术直播及最新应用案例,聚焦新一代机器人计算平台功率痛点,带来标准化、高可靠的电源管理解决方案,带大家快速掌握行业前沿设计要点! 01 机器人时代,电源为什么越来越重要? 现在的人形机器人不再是简单机械运动,而是需要实时 AI 运算、环境感
本文介绍TF卡、SD卡、SDIO卡和MMC卡、eMMC的基本知识,帮助读者快速掌握SD卡和MMC卡体系,同时给出MCU与TF卡、SDIO卡、eMMC连接时的注意事项。 SD卡 · 基础知识 1 常见SD卡类型 从功能上看,SD卡系可分为存储卡、SDIO卡、组合卡三类。存储卡常用于嵌入式系统存储容量扩展和数据交换,包括TF卡(即microSD卡)和SD卡。SDIO卡在SD接口规范的基础上,为主
随着采用 3D-IC 技术、异构集成及其他先进制造工艺的芯片设计复杂度不断提升,对电磁串扰进行精准建模的需求也日益迫切。无论是版图规模还是端口数量,电磁求解器在解决更大规模问题上始终发挥着关键作用。 Cadence EMX 平面三维求解器是面向高频、高速集成电路的电磁求解器,以精度为核心优势,同时兼顾仿真容量、速度与设计流程自动化。该求解器与 Cadence Virtuoso 平台及 Virtuo
Infineon TRENCHSTOP™ IGBT7 单管产品目前已形成完善的产品矩阵,涵盖650V、750V、1200V三种主流电压等级。基于不同应用场景的需求,产品系列分为T7、S7、H7三大系列,封装形式包含DTO在内共计6种,全系列累计推出56款产品,可实现对前代多数单管产品的兼容替换。 为保障产品稳定性与产品一致性,IGBT7系列单管所采用的IGBT芯片,均依托奥地利菲拉赫和德国德累斯
本文介绍了钨塞(W-plug)的制造流程。 钨塞制造的标准流程是: 刻蚀接触孔/通孔 → 沉积阻挡/粘附层(Ti/TiN)→ 沉积钨成核层 → CVD 主体填钨 → CMP 平坦化 第一步:刻蚀接触孔 / 通孔(Contact / Via Etch) 在介质层(通常是二氧化硅或低介电材料)上,通过光刻定义位置,再用等离子体刻蚀打出又深又细的孔,露出下面要连接的部位——如果是接触孔,露出的是晶体