搞定电源EMI！开关稳压器CM/DM噪声分离实战
开关稳压器的EMI分为电磁辐射和传导辐射(CE)。本文重点讨论传导辐射，其可进一步分为两类：共模(CM)噪声和差模(DM)噪声。为什么要区分CM-DM？对CM噪声有效的EMI抑制技术不一定对DM噪声有效，反之亦然，因此，确定传导辐射的来源可以节省花在抑制噪声上的时间和成本。 本文介绍一种将CM辐射和DM辐射从LTC7818控制的开关稳压器中分离出来的实用方法。知道CM噪声和DM噪声在CE频谱中出
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极海G32R430 BiSS-C协议绝对值编码器参考方案正式发布
继G32R430在轴多摩川协议磁电式绝对值编码器参考方案落地，极海再度补齐高端编码器协议生态，全新推出G32R430在轴BiSS-C协议磁电式绝对值编码器参考方案。聚焦高端运动控制、多轴联动、人形机器人等高实时、高精度应用场景，为行业提供高适配、可量产、低成本的国产化编码器解决方案。 BiSS-C协议 高端伺服领域主流高速通信协议 BiSS-C是工业级开放式双向高速同步编码器协议，兼具SSI硬件简
【技术干货】艾睿电子助力意法半导体 ZCU分布式音频从方案走向成熟
背景：区域架构下的音频革命 汽车电子电气架构正经历从分布式ECU向功能域控制（Domain），再到区域控制（Zonal）即软件定义汽车这个方向的深刻变革。 随着千兆以太网作为骨干网络的引入以及AVB（Audio/Video Bridging）和TSN（Time-Sensitive Networking）协议的加持，为音视频在车载以太网中实时传输提供了确定性时延和同步能力。 传统模拟音频总线存在布线
【技术干货】无源器件与磁性器件在ADAS应用中扮演的角色
简介 高级辅助驾驶系统（ADAS）与自动驾驶技术的飞速发展，正在重塑汽车电子架构的每一个层面。从多传感器融合、高算力决策单元，到稳定可靠的执行机构，现代智能汽车对电子元器件的性能、可靠性与集成度提出了前所未有的严苛要求。尤其在电源管理、信号传输、电磁兼容与高频滤波等关键环节，任何一颗微小元器件的失效，都可能导致整个系统功能的崩溃，甚至危及行车安全。本文将为您介绍YAGEO（国巨）凭借其旗下KEME
夏季热失控事故频发，48V架构能否成为电动汽车的“救命稻草”？
今年入夏以来，全国多地连续发布高温预警，电动汽车的“续航焦虑”再次被推上风口浪尖——但这一次，焦点不再是电池容量，而是热管理。 随着汽车电气化与智能化进程的加速，电驱系统功率密度大幅跃升，传统的12V低压架构在驱动电子水泵、冷却风扇、油泵等高功率附件时早已捉襟见肘——“热”不再只是舒适性问题，而是关乎整车安全与续航效率的核心命门。正是在这一背景下，48V架构凭借在传输效率与功率密度上的显著优势，成
MLCC深度分析：AI服务器背后的“小电容”，为什么正在被重新定价？
在半导体产业链中，MLCC长期被称为“电子工业大米”。它不像GPU、CPU、HBM那样站在聚光灯下，也不像先进制程、光刻机、先进封装那样自带技术叙事，但几乎所有电子设备都离不开它。 手机主板上有它，汽车电控系统里有它，服务器电源模块里有它，GPU加速卡周边也有它。MLCC看起来只是一个极小的片式电容，但它承担的是去耦、滤波、稳压、储能、抑制噪声和改善电源完整性的基础功能。电子系统越复杂，芯片功耗
芯片PPA设计是什么？
本文介绍了硅芯片的兼顾功耗、性能和面积的设计理念和思路。 在硅芯片设计中，PPA作为功耗（Power）、性能（Performance）和面积（Area）的统称，是评估芯片设计质量与效率的三大核心指标。这三个指标共同决定了芯片的物理实现成本、工作能耗以及任务处理能力，也是芯片能否在特定应用场景中具备市场竞争力的关键所在。任何一个维度的改动，通常都会对另外两个维度产生连锁反应，因此设计人员往往需要在
平行缝焊抗盐雾性能
本文主要讲述平行缝焊抗盐雾性能。 腐蚀现象 盐雾试验是一种模拟沿海大气环境对电子器件侵蚀效果的加速腐蚀测试手段。金属或防护涂层会在化学作用与电化学作用的共同影响下，出现持续性损伤破坏，常见腐蚀表现包含表面析出腐蚀沉积物、产生色斑、针孔、蚀坑以及涂层起皮剥落等缺陷。 相关试验研究表明，平行缝焊密封成型的器件，在24小时盐雾环境放置后，焊缝周边区域会出现大面积锈蚀问题（见图1）。且随着盐雾环境暴露时长
重新定义大规模数据中心存储
数据中心正处于一个转折点。AI 管道、分析平台和对象存储环境的增长速度已经超出了电力、散热和物理空间预算所能承受的范围。对于许多运营商而言，制约因素已不再是原始算力，而是在艾字节 (EB) 规模下，高效存储、移动及访问海量数据集的能力。 正因如此，美光现已正式出货245TB Micron® 6600 ION NVMe™企业级 SSD，这是目前业界容量最大的企业级数据中心 SSD1，单块硬盘即可提供
基于MCXA156的UART不定长接收实战: 轻松实现智能帧结束判定
概 述 在实际的串口通信开发中，“数据长度不固定”几乎是一个不可回避的场景。例如，上位机发送的AT指令、智能传感器输出的数据帧，往往根据业务逻辑动态变化。这类不定长数据接收如果仍然采用传统的定长接收方式（例如每次固定接收16字节），不仅效率低下，还容易导致数据截断或冗余处理问题。因此，如何准确识别一帧数据的结束位置，成为UART通信设计中的关键环节。 目前，NXP SDK提供的示例大多基于LPU
如何破解AI数据中心能效难题？
近期，功率半导体器件市场景气度显著回升，呈现“量价齐升”态势，多家主流厂商发布调价通知，MOSFET等核心产品价格普遍上调10%以上。 这一市场动向的背后，是AI算力基础设施的蓬勃建设、数据中心电源架构升级以及工业自动化需求等多股力量的强劲驱动。在这一背景下，数据中心、工业电源系统和云计算平台对低损耗、高功率密度的功率开关器件提出了更高要求，安富利的合作伙伴安森美推出的T10 MOSFET技术，为
光刻工艺的坐标地图：FEM
本文主要讲述光刻工艺的坐标地图FEM。 在芯片光刻中，工程师经常提到“做个FEM”。这其实是光刻工艺调试中最基础也最关键的一步。今天我们就来拆解一下，FEM是什么，以及焦距和能量这两个参数如何决定光刻的成败。 什么是FEM？ FEM是Focus Exposure Matrix的缩写，中文叫焦距能量矩阵。简单说，就是在同一片晶圆上，系统性地改变光刻机的焦距和曝光能量，然后显影，看看哪一组参数刻出来
未来光刻替代技术—NIL技术介绍
本文主要讲述NIL技术。 目光投向EUV光刻之外的技术路线。纳米压印光刻（Nanoimprint Lithography，简称NIL）作为一种有力的补充方案，近期因佳能推出相关设备而备受关注，业界看好其打破传统光刻机垄断的潜力。 原理与工艺差异 传统光刻技术（包括DUV和EUV）的本质是利用光源通过掩模版对光刻胶进行图案化，其分辨率由光源波长决定。工艺流程包括涂布光刻胶、掩模对位、曝
利用电流基准开关稳压器设计来优化LDO裕量控制
设计高效且低噪声的电源解决方案，对于利用高性能模拟信号链的噪声敏感型系统至关重要。然而，对于不同的系统和频率范围，噪声敏感度有所不同。有些应用（如超声成像）特别容易受到低频或1/f噪声的影响。采用高性能数据转换器的系统则很容易受到互调失真的影响，其中基频输出纹波可与载波信号相互作用，产生和差量。这些多余的频率边带分量可能导致数据转换器的信噪比(SNR)和无杂散动态范围(SFDR)显著下降。此外，电
如何让电机的“行动”完美跟上MCU的“思考”？
当边缘 AI 开始介入实时控制，当汽车电子与高端装备对能效比提出极致要求，“MCU 如何思考”与“电机如何行动”已不再是孤立的技术命题，而是一场系统级的协同进化。 MCU 嵌入式论坛与电机驱动控制论坛应势而来，集结全产业链技术领袖，共同探讨如何让电机的“行动”完美跟上 MCU 的“思考”，定义下一代智能控制的技术走向。 7月16日，我们将在深圳南山科兴科学园国际会议中心同步举办MCU嵌入式论