英飞凌深度解析：CoolSiC™ MOSFET 短路能力与失效模式
在碳化硅SiC MOSFET快速普及的今天，短路稳定性一直是行业关注与争议的焦点。很多工程师误以为：SiC MOSFET 天生扛不住短路，是硬缺陷。事实真的如此吗？ 英飞凌基于大量实测与器件机理研究，为大家还原 CoolSiC™ MOSFET 短路特性的真相，帮你在选型与应用中少走弯路。 01 先澄清一个误区：SiC 不是 “不能短路” 先看一组行业常见数据： 常规工业级 IGBT：短路耐受
电源管理
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电源管理技术
给“电闸”加个远程遥控，会怎样？于是我做了它……
前言 这样的 开源的 电源遥测中枢方案！真少见！ 为什么说“少见”？ 大多数开源配电板做到继电器+MOS 管就停了 但作者的方案，少见的基于LM5069+INA226搭配，实现了软启动、过流保护、偏置校准、NVS保存、四路 I2C设备容错设计…… 完美实现了分电→保护→测量→联网→配置→OTA的完整链路。 这种配电系统方案，可太值得参考了！ *0***1 它有啥功能？ 四路独立开关控制，支
【走进实验室】手把手实操教学：解决电源纹波测试不准难题（文末有礼）
一、什么是电源纹波？ 开关电源工作时，功率器件在控制器驱动下周期性导通与关断，能量经电感与输出电容传递到负载。由于输出滤波网络的抑制能力有限，直流输出电压上会不可避免地叠加一定的交流波动，这部分交流分量即为纹波电压。 工程上通常采用峰峰值Vpp表征纹波幅值，在部分测试场景中也辅以Vrms作为参考。纹波过大不仅会降低电源质量，还可能以噪声形式耦合进入后级电路，影响测量精度、信号完整性与系统稳定性；在
理想的电源是什么样？（电压源和电流源）
理想电压源与理想电流源分别定义为零输出阻抗与无限大输出阻抗，前者维持电压恒定，后者保持电流不变。从信号链角度看，理想电源还要求无噪声、无纹波、无瞬态扰动且全频段低阻抗，而实际电源只能通过基准、LDO、滤波与去耦等手段逼近这一目标。 任意一个电路本质上都是电源（不知道谁说的，还挺有道理的）；实际我们在使用过程中都是有一个完美的模型，只是往后看，加入了现实的非理想状态，日常我也写了不少电源，那这篇就不
白皮书下载｜英飞凌CoolGaN™ 650 V G5双向功率开关： 基本原理与设计考量
近70年来，单向功率开关（UDS）一直是所有功率电子应用（包括双向功率变换系统）的主流器件。几十年来，UDS技术不断革新，基于UDS开关的设计已能够轻松实现超过95%的效率。然而，高效化与高功率密度为行业的持续追求。减少板卡上的器件数量，是提升效率的一种较为直接的方式，这可以缩小PCB尺寸，进而提高功率密度。在需要实现双向电压阻断的应用中，UDS便体现出其局限性，导致需要采用背靠背（B2B）开关
区域控制器手册 | 电源、栅极驱动器、控制和保护方案全解
区域控制器手册详细介绍了一款面向低压配电场景（单区典型功率 10W–3kW）、适配 12V 与 48V 车载电网的汽车区域控制器系统。 内容围绕低压电池或高压转低压 DC/DC→保护→稳压→区域配电→负载的核心配电链路展开，既涵盖降压型 DC/DC、LDO、跟踪型 LDO 及 48V 电网直供型 LDO 等多种电源调节方案，也包含栅极驱动器、集成式多通道驱动器、基于 SmartFET 的开关电路等
【走进实验室】不当“传统派”，高效测试OCP（文末有礼）
在板子的性能测试中，OCP功能测试总是不可避免，但你是不是还在当个传统派——手动旋转电子负载的旋钮一点一点来拉高电流呢？其实还有更高效的方法来找到过流点，请往下看！ 一般的可编程电子负载都会有OCP/OPP模式，在这个模式下，可以设置OCP初始电流、截止电流、步阶电流、每一阶电流持续时间、触发电压值、目标电流spec等参数，设置好之后再load的话，电子负载就能自动进行阶梯式拉载，从而精准确认过流
功率器件越来越“难用”？系统级解法思路来了
在昨天“2026电源管理与功率器件技术论坛”上，与会的电源工程师们有一个共识——功率器件越来越“难用”了：高频开关下，寄生参数不容忽视，EMI问题突出、驱动隔离要求不断提高，再叠加更高功率密度带来的热与可靠性挑战，传统单纯追求低内阻的优化路径已经不够用了。 与此同时，行业也在快速演进——先进封装、双面散热、宽禁带器件逐步导入，系统集成度不断提高。换句话说，器件本身仍然重要，但真正拉开差距的，是它在
打入AI服务器供应链，这款Class J熔断器凭借200kA分断力热销海外
随着AI算力中心与工业伺服驱动向800V高压平台演进，配电系统的过载和短路保护正面临前所未有的严苛考验。威可特早在2012年便推出国内首款兼容IEC Type II保护标准的Class J系列熔断器，并于2023年9月成为亚太区首家斩获UL/CUL列名认证(File number: E479968)的制造商。该产品安装占用空间较传统方案缩减70%，精准契合输配电、工业电源、光伏等领域对IEC T
【AI算力基座】面向800V HVDC的三次电源全栈解决方案
AI大模型的快速发展，正在推动算力基础设施加速升级，XPU功耗也随之从数百瓦跃升至数千瓦。在这一过程中，供电系统不再只是幕后支撑，尤其是最靠近XPU的三次侧供电，正面临瞬态响应更快、电流承载更大、热管理更严苛、运维要求更复杂等多重挑战，成为决定整机性能释放与稳定运行的关键环节。 芯朋微提供XPU供电完整产品矩阵 支撑AI算力平台供电架构升级 Chipown围绕AI数据中心和高性能加速平台需求，
热插拔控制器中电流检测与限流工作原理简析
热插拔控制器通过采样电阻（RSENSE）实时检测回路电流，结合误差放大器（EA）形成闭环电流限制，将故障电流控制在安全范围，区别于传统的开环过流保护，响应更快、精度更高。 我们以ADILTC4210为例子来说明，下面是典型单通道5V热插拔连接器 采样原理：RSENSE（0.01Ω）串联在主通路，控制器通过 SENSE 引脚检测VIN与VOUT的压差（VSENSE\=ILOAD×RSENSE）。
如何为图像传感器选择合适的电源方案
图源：Freepik 自动驾驶汽车 自动驾驶汽车是如何识别停车标志的？这主要依赖于图像传感器对现场画面的精准捕捉，以及软件算法对停车标志形状和文字特征的智能识别。这种基础能力也广泛应用于多种场景，从视频会议和移动设备，到用于工厂生产线产品检测的机器视觉系统。 如今，图像传感器已设计用于各种专门应用。尽管这些应用千差万别，但在硬件方面，图像传感器始终面临着一个共同挑战：它们对供电条件的要求极为苛刻
氢能HVAC：宽禁带半导体赋能下的能源新范式
在全球碳中和目标与能源转型的大背景下，建筑与工业领域的能源自主化已成为重要发展趋势。其中，供暖、通风与空调（HVAC）系统作为“能耗大户”，其能源供给方式的变革尤为关键。用氢能驱动冷暖自由——这不仅是技术的进化，更是一场能源逻辑重构。 The Business Research Company报告显示：HVAC市场规模已从2024年的15.8亿美元跃升至2025年的19.1亿美元，预计到2030年
集成式电子保险丝：为何是AI时代PSU的必然选择
数据中心正迈入一个由空前功率密度定义的新时代。AI负载的爆发式增长正推动供电架构从传统12 V全面向48/54 V演进，机架级功率由此跃升至数千瓦级别。这一变革对保护方案提出了全新要求：不仅需要更快速、更智能，更需具备与生俱来的可扩展性和可预测性。 传统保护方案（如机械保险丝、分立式MOSFET控制器）受限于其诞生时代的技术水平，存在响应延迟、系统复杂、热特性不可预测等问题，已无法适配现代AI服务
面向AI芯片的VPD技术是什么？
本文将介绍供电体系的垂直供电（Vertical Power Delivery，VPD）现状和发展趋势。 AI芯片供电为何面临瓶颈 随着AI处理器功耗迈入千瓦级别，供电体系正在从传统的平面供电向垂直供电（Vertical Power Delivery，VPD）演进。VPD并非简单的电源小型化，而是一场系统级供电架构的重构。 AI处理器的算力扩展带来了更高的功耗。当核心电压维持在0.6V至0.8V左右
【AI算力基座】面向800V HVDC的一二次电源全栈解决方案
当前，全球人工智能算力呈指数级增长，推动智算中心单机柜功耗向兆瓦级攀升，传统供电方案面临“能量传输上限”，800V直流供电作为破解智算中心供电瓶颈的关键技术，可有效支撑“算电协同”落地，为破解传统供电困境、强化智算能源保障提供重要支撑。 从单点突破到全链路协同 芯朋800V-48V-12V/6V整体解决方案 面向800V HVDC架构升级，行业真正需要的，早已不是单一器件的性能提升，而是一套覆盖
LDO发热严重?这4个技巧太实用了
你是否遇到过LDO线性稳压电源输出纹波大、芯片发热严重的问题?作为硬件工程师,我深知这些问题的困扰。根据10年PCB设计实战经验,今天分享系统化的解决方案,帮你轻松搞定LDO布局难题。 噪声抑制是关键 LDO噪声主要来自输入输出端的寄生参数和地回路干扰。 第一个策略是输入电容布局:10μF电解电容+0.1μF陶瓷电容组合,必须紧贴LDO输入引脚,减少输入阻抗。 第二个策略是输出电容布局:尽可能靠
只需三步！搞定光耦合器偏置设计
本期，我们将继续介绍 确保光耦合器正确偏置 的详细知识 引言 在隔离式电源中，光耦合器会跨越隔离边界传递反馈信号。光耦合器包含发光二极管 (LED) 和光电探测器。电流流经 LED 会导致成比例的电流流经光电探测器。电流传输比 (CTR) 是从 LED 到光电探测器的电流增益，通常具有非常宽的容差。在设计隔离式反馈网络时，必须考虑光耦合器和所有决定大信号增益的其他元件的容差。如果忽略这点，很容易导
3kW PSU设计总卡壳？安富利模拟电源供应器方案解决痛点！
伴随AI服务器算力持续跃升、超大规模数据中心加速落地、新能源产业技术深度迭代，全球市场对高效率、高功率密度电源产品的需求，正迎来前所未有的爆发式增长。国际能源署（IEA）报告预测，到2030年，全球数据中心电力需求将实现翻倍以上增长，总量将达约945太瓦时（TWh），规模已略超日本当前全年用电总量。电源系统作为电子设备的核心动力单元，其功率上限与集成密度的综合性能，已成为决定终端产品核心竞争力的关
揭秘：英飞凌增强型GaN为何是功率设计的更优选择？
在氮化镓（GaN）功率器件的选择上，工程师们常常面临一个核心问题：增强型（E-mode）还是耗尽型（D-mode）？两种技术路径，哪一种才能真正为系统带来最佳性能、可靠性与成本优势？ 作为全球领先的功率半导体供应商，英飞凌深耕GaN技术多年，推出了基于栅极注入晶体管（GIT）技术的CoolGaN™增强型产品系列。今天，我们将通过深入的技术对比，为您揭示增强型GaN为何成为现代功率电子设计的更优选择