采用集成功率管理与保护功能的电机驱动器的优势
简化您的汽车与工业电机控制设计。集成式电机驱动器正在改变汽车和工业电机控制设计方式。了解这些器件如何简化设计、提升可靠性并加快产品上市速度。 在当今快速发展的汽车与工业市场中，对紧凑、高效且可靠的电机控制解决方案的需求日益增长，这些方案已成为系统设计中的关键组成部分。将核心控制功能与电源管理功能集成于单一器件中的电机驱动器，能够显著加快设计开发进程。集成式电机驱动器不仅可以简化系统设计、减少元器
电源管理
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电源管理技术
隔离偏置电源如何从源头抑制共模 EMI？
引言 小型隔离式电源可在电动汽车牵引逆变器、工厂控制模块等各种应用中跨越隔离屏障提供电力。本《电源设计小贴士》将剖析不同的隔离式偏置电源拓扑及其电磁干扰 (EMI) 性能。如您所见，隔离式变压器两端的寄生电容是导致共模噪声传播的主要因素**。** 隔离栅极驱动为何需要偏置电源 在牵引逆变器中，栅极驱动器会驱动大功率开关（通常为绝缘栅双极晶体管 (IGBT) 或碳化硅 (SiC) MOSFET），实
热界面材料的特性和分类
本文将介绍热界面材料的特性和分类。 随着工业芯片封装技术持续迭代升级，工业电子器件的综合性能大幅提升，但器件工作功耗与产热量也随之大幅增长，散热压力显著增大。在此背景下，热界面材料（Thermal Interface Materials，TIM）成为芯片热管理体系中的核心关键材料。该类材料的核心作用是填充不同基材接触界面的微观空隙，有效降低界面接触热阻，提升电子器件整体散热效率，保障器件稳定运行。
决策提速10倍！Elite Pairing Studio 解锁SiC MOSFET与驱动器的最佳匹配方案
安森美（onsemi）推出行业首款网页端工具，实现栅极驱动器和电源开关的智能配对。Elite Pairing Studio智能配对工具能够推荐我们的EliteSiC MOSFET和栅极驱动器的最佳匹配方案，在几秒钟内评估所有栅极驱动器，决策速度提升10倍，实现更高性能的电源设计。 Elite Pairing Studio智能配对工具，快速完成安森美SiC MOSFET和栅极驱动器多个组合的评估，
使用新一代H7系列IGBT单管设计高效新能源系统
Infineon TRENCHSTOP™ IGBT7 单管产品目前已形成完善的产品矩阵，涵盖650V、750V、1200V三种主流电压等级。基于不同应用场景的需求，产品系列分为T7、S7、H7三大系列，封装形式包含DTO在内共计6种，全系列累计推出56款产品，可实现对前代多数单管产品的兼容替换。 为保障产品稳定性与产品一致性，IGBT7系列单管所采用的IGBT芯片，均依托奥地利菲拉赫和德国德累斯
从消费者到发电商，这场能源革命只用了30年
过去三十年间，小型可再生能源设备（如光伏太阳能板和风力涡轮机）的兴起，加之智能电网技术的应用，已从根本上改变了家庭和企业与电网的交互方式：如今它们既是电力消费者，也是电力生产者。 这场由分布式发电引起的根本性变革，正在重塑国家电网的运行模式，改变家庭、企业与电力供应商之间的关系。这一转型已然启动，据国际能源署（IEA） 预测，到2030年将有超过1亿户家庭安装屋顶光伏太阳能板，较当前的2500万
双向逆变器参考设计及其算法生成工具发布
基于HC32F334数字电源控制器 双向能量流动峰值效率98.5%THDu < 3% 引言 ⚡ 碳中和目标下的关键变换器 随着AI算力需求激增以及宽禁带器件（GaN/SiC）的广泛应用，无桥图腾柱拓扑不仅可以做到高效率、高功率密度，同时能够实现AC与DC之间的双向能量流动，广泛应用于储能系统、电动汽车（V2G）、微电网及新能源并网等场景。 储能系统 户用/工商业储能逆变 V2G/V2H/V2
别纠结了！理想的恒流源不可能存在！
敲黑板 1.理想恒流源的核心特性是什么？ 2.为什么理想恒流源连接到开路时"不合逻辑"？ 3.理想恒流源与理想恒压源的输出阻抗有何区别？ 4.现实世界中能否构建理想的恒流源？为什么？ 5.恒流源在实际电子学中有哪些应用实例？ 恒流源将在负载上提供恒定电流，而对负载本身无任何要求。这意味着内部产生的电压将（在理想化模型内）采取一切必要措施来维持额定电流。 例如，假设有一个10 A的恒流源。它将提供
详解 Cascode SiC JFET 在 LLC 拓扑中的应用：死区时间控制及损耗优化方法
共源共栅碳化硅结型场效应晶体管（Cascode SiC JFET，简称 CJFET）兼具高耐压、低导通损耗、开关速度快及栅极电荷低（0−12 V 栅极驱动）等优势，在 LLC 谐振变换器中极具应用潜力。然而，其关断时较高的电压变化率（dv/dt）易激发持续振铃，导致电压过冲、电磁干扰（EMI），极端情况下甚至引发振荡。尤其在高于谐振频率的工况下，初级侧开关电流往往较大（例如 750 V 器件可达
搞定电源EMI！开关稳压器CM/DM噪声分离实战
开关稳压器的EMI分为电磁辐射和传导辐射(CE)。本文重点讨论传导辐射，其可进一步分为两类：共模(CM)噪声和差模(DM)噪声。为什么要区分CM-DM？对CM噪声有效的EMI抑制技术不一定对DM噪声有效，反之亦然，因此，确定传导辐射的来源可以节省花在抑制噪声上的时间和成本。 本文介绍一种将CM辐射和DM辐射从LTC7818控制的开关稳压器中分离出来的实用方法。知道CM噪声和DM噪声在CE频谱中出
利用电流基准开关稳压器设计来优化LDO裕量控制
设计高效且低噪声的电源解决方案，对于利用高性能模拟信号链的噪声敏感型系统至关重要。然而，对于不同的系统和频率范围，噪声敏感度有所不同。有些应用（如超声成像）特别容易受到低频或1/f噪声的影响。采用高性能数据转换器的系统则很容易受到互调失真的影响，其中基频输出纹波可与载波信号相互作用，产生和差量。这些多余的频率边带分量可能导致数据转换器的信噪比(SNR)和无杂散动态范围(SFDR)显著下降。此外，电
避坑干货！一文吃透电压监控核心设计逻辑
嵌入式系统等需要进行大量计算和数据处理的应用，通常使用微控制器、微处理器和现场可编程门阵列(FPGA)等器件来执行复杂的计算例程，因为这些器件具有多功能性、高速度和灵活性。然而，这些推荐使用的器件也存在限制和不同的电源要求，如果在系统开发的早期阶段未加考虑，系统的性能和可靠性可能会受影响。其中一个限制是掉电状况下系统可能出现故障。当电源电压降至最低工作电压以下时，微控制器可能会发生故障并导致系统出
多年实测！电源PCB布局避坑经验拿好
在电源设计中，精心的布局和布线对于能否实现出色设计至关重要，要为尺寸、精度、效率留出足够空间，以避免在生产中出现问题。我们可以利用多年的测试经验，以及布局工程师具备的专业知识，最终完成电路板生产。 精心的设计的效率 设计从图纸上看起来可能毫无问题（也就是说，从原理图角度），甚至在模拟期间也没有任何问题，但真正的测试其实是在布局、PCB制造，以及通过载入电路实施原型制作应力测试之后。这部分使用真实的
批量变压器 EMI 不稳？CMRR 快速检测方案推荐
变压器噪声来源解析 在隔离式开关电源转换器中，电源变压器通常是共模噪声的主要来源。为什么？因为在变压器内部，处于隔离屏障两侧的原边绕组与副边绕组间距极小（通常不足 1 毫米），这使得相邻绕组间产生了明显的寄生电容。 这些绕组上所呈现的电压，往往包含比较高的交流分量。以 图 1 中的反激式转换器为例，原边绕组连接至原边开关的漏极，此漏极的电压波形在多个频段呈现高交流分量。该交流电压会借助寄生电容，从
TENG能量收集技术走红，却无电源芯片可用……解决难题，只需一招！
图源：Freepik 能量收集（Energy Harvesting）技术近年迎来了爆发式的发展。随着物联网（IoT）、可穿戴设备和无源传感器网络的普及，传统的“定期更换电池”模式在成本和维护上变得越来越不现实。因此，从周围环境中收集微量能量来维持设备运转成为了行业热点。 来自Mordor Intelligence的数据显示，能量收集系统市场规模将从2025年的41亿美元增长到2031年的60.6
详解 Cascode SiC JFET 在 LLC 中的应用：优势与 dv/dt 控制
共源共栅碳化硅结型场效应晶体管（Cascode SiC JFET，简称 CJFET）兼具高耐压、低导通损耗、开关速度快及栅极电荷低（0−12 V 栅极驱动）等优势，在 LLC 谐振变换器中极具应用潜力。然而，其关断时较高的电压变化率（dv/dt）易激发持续振铃，导致电压过冲、电磁干扰（EMI），极端情况下甚至引发振荡。尤其在高于谐振频率的工况下，初级侧开关电流往往较大（例如 750 V 器件可达
高压、高功率、高可靠电力电子系统开发：少不了的被动元件“三件套”
从可再生能源到储能系统，从电动汽车到工业电机驱动……伴随着全球新能源的开发和电气化应用的拓展，电力电子行业已驶上发展的快车道，由此也拉动着相关被动元件元件市场的快速增长。 在电子电路设计中，电容器、电感器、电阻器、滤波器等被动元件，虽然不像核心半导体器件那样“自带主角光环”，但也是不可或缺的重要角色。具体到电力电子系统中，被动元件在三个关键的场景中当仁不让，发挥着独特的作用。 电路保护与安全 在
太阳能逆变器市场：第三代半导体与IGBT的角力，胜算几何？
图源：Freepik 在太阳能、风能和储能系统中，DC/AC逆变器被称为系统的“心脏”。它负责将太阳能电池板、风力发电机或电池储能系统产生的直流电（DC）高效转换为电网和家用电器可以直接使用的交流电（AC）。 Research and Markets的研究表明，2023年全球太阳能逆变器市场价值为128.1亿美元，2024-2029年期间，市场将以11.34%的复合年增长率增长，预计到2029年
全面解析SiC MOSFET雪崩耐量
在新能源、工控、储能等高压大功率场景中，沟槽栅 SiC MOSFET凭借优异的开关性能被广泛应用。但在电机驱动、电源转换等感性负载场景中，MOSFET关断时因电流突变会在漏源极间产生高压尖峰。若无钳位电路吸收能量，器件可能进入雪崩击穿状态，轻则参数劣化，重则直接烧毁。雪崩稳健性是衡量 SiC MOSFET 可靠性的核心指标，今天结合实测案例与图表，拆解动态雪崩测试原理、单脉冲 / 重复雪崩耐量区
AMD技术干货 | Versal Gen2电源方案与PDM使用
基于AMD Versal器件对PCIe Gen5的支持，越来越多的用户开始使用Versal器件，同时Versal新器件也在以惊人的速度迭代，AMD很快将推出支持PCIe Gen6*8以及支持CXL3.1的Versal Premium Series Gen2，本文中的例子基于已经量产的Versal AI Edge Series Gen 2来说明。 Versal AI Edge Series Gen
