瑞芯微SoC平台DDR适配提速!(第十七期:RV1106B、RV1106、RK3506B/J、RK3308B/J/K/M)

来源:瑞芯微电子 嵌入式开发 4 次阅读
摘要:全球存储市场结构性调整持续演进,DDR颗粒短缺的局面依然严峻。此前,瑞芯微已发布多期公众号文章介绍了RK3588、RK3576、RK3566、RV1126B等多款SoC平台的DDR支持能力,释放多套差异化设计模板、适配参考及验证指南。 入门级AIoT市场对成本极度敏感、同时对场景适配的灵活性要求极高。因此弹性的内存配置方案尤为关键。在此背景下,瑞芯微紧扣客户在成本、性能与供应链韧性的差异化诉求,延

全球存储市场结构性调整持续演进,DDR颗粒短缺的局面依然严峻。此前,瑞芯微已发布多期公众号文章介绍了RK3588、RK3576、RK3566、RV1126B等多款SoC平台的DDR支持能力,释放多套差异化设计模板、适配参考及验证指南。

入门级AIoT市场对成本极度敏感、同时对场景适配的灵活性要求极高。因此弹性的内存配置方案尤为关键。在此背景下,瑞芯微紧扣客户在成本、性能与供应链韧性的差异化诉求,延续“调、混、换”三大核心应对思路,在RV1106B、RV1106等平台中进一步扩展外挂DDR设计方案,以外挂与内置的双轨策略,助力客户于市场波动中稳健推进产品落地。

值得一提的是,依托瑞芯微成熟的DDR适配体系,相关外挂DDR版本芯片已实现量产,能快速匹配主流DDR颗粒,客户项目可直接导入使用:

为满足各类产品的设计需求,本期将开放RV1106B、RV1106、RK3506、RK3308平台的10份差异化设计资料,为项目设计提供更多选择:

为了进一步加快适配的进度,我们持续拓展适配途径、开放差异化异形封装设计、完善相关技术文档与验证工具支持。欢迎广大瑞芯微开发者及合作伙伴关注官方公众号,获取最新动态。

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