AI推动数据中心对功率MOSFET的需求
长期以来，能源消耗一直是数据中心运营商关注的重要问题，随着AI的兴起，这一挑战变得更加严峻。为了支撑AI工作负荷的爆发式增长，数据中心对电力的需求逐年攀升，因此实现尽可能高的能效至关重要。 英飞凌提出了一项战略，旨在提升从电网到核心的整个能源系**统性能**。本文将重点探讨AI如何推动数据中心架构升级，以及这些变化对服务器和机柜技术带来的影响。具体而言，我们将介绍数据中心通过向48V架构转型以提升
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聚行业权威，探技术新程｜IPAC 2026双技术峰会报名火热进行中
2026 IPAC双技术峰会重磅邀约英飞凌及业内权威技术专家莅临分享，专家们以扎实的专业底蕴与丰富的落地实践，深度剖析碳化硅（SiC）技术的未来演进方向与产业规划，同步全景解析SiC热门应用赛道的行业动态与技术新风向。 英飞凌碳化硅零碳应用技术大会 时间：2026年5月22日 地点：深圳 特邀嘉宾 Dr. Peter Friedrichs 碳化硅技术创新专家 英飞凌科技 未来社会将面临电力网络的重
深度解析：为何 SiC MOSFET 必须构建专属可靠性验证方法？
在电力电子领域，SiC MOSFET 正凭借高频、高效、高温的显著优势在新能源汽车、光伏储能、工业电源等核心场景加速渗透。SiC MOSFET能复用硅基器件(如垂直型MOSFET或IGBT)的许多基本的器件设计概念，另外用于验证Si MOSFET/IGBT长期稳定性的许多方法可以直接用到SiC MOSFET上。但更深入的分析表明，基于SiC的MOSFET还需要进行一些不同于Si器件的额外可靠性试验
全球功率半导体涨价潮仍将持续
全球功率半导体市场正经历新一轮供需震荡。 今年年初以来，英飞凌、德州仪器、安森美、意法半导体等龙头企业密集宣布涨价。市场分析认为，由于各地成熟制程产能纷纷满载，产能紧张状况在下半年恐只增不减。 5月7日，研究机构TrendForce集邦咨询发布的报告显示，由于台积电、三星持续削减八英寸成熟制程产能，全球八英寸产能至2027年上半年将维持负增长；而在需求端，AI服务器对电源管理、功率芯片需求正持续走
边缘 AI 和人形机器人，正在改变芯片厂商的角色
最近，瑞萨和英飞凌分别发布了两条和边缘 AI、人形机器人有关的消息。5月7日，瑞萨宣布完成对 Irida Labs 的收购。Irida Labs 是一家做 AI 视觉感知系统嵌入式软件的公司，业务涉及视觉 AI、模型部署和摄像头系统开发。5月11日，英飞凌启动 Startup Challenge 2026，今年关注的是人形机器人，方向包括触觉感知、环境感知、传感器融合、电机控制和交互反馈。 边缘
「3000元奖金+开发板免费玩」RT-Thread AIoT大赛邀请你来参加
AI发展天天刷屏，嵌入式领域也紧跟时代。RT-Thread已经陆续推出Titan Board 和 Edgi Talk两款硬核开发板，备受瞩目。为了挖掘优秀AIoT项目，我们以这两款硬件为平台，正式推出AIoT大赛——让你零成本跑通一个AIoT项目，硬核开发板免费玩、专家带得动，顺便还能赢个奖金。立即报名→报名RT-Thread AIoT大赛 AIoT 01 硬核平台任选，完赛免费赠送 | 硬件平台
新品 | 栅极驱动器搭配1200 V碳化硅SiC功率开关的半桥配置评估板
新品 栅极驱动器搭配1200 V碳化硅SiC 功率开关的半桥配置评估板 英飞凌EVAL-1ED3321MC12N-SIC评估板是模块化评估平台的一部分，可简化EiceDRIVER™ 1ED3321MC12N栅极驱动器与功率开关在半桥配置下的测试验证。该评估板可独立工作，也可插入EVAL-DCLINK-DPT主板，帮助设计工程师测量参数或进行双脉冲测试（DPT），并且兼容EiceDRIVER™ 1
英飞凌：我赢了！英诺赛科：我也赢了！
2026年5月8日，英飞凌发布声明称，美国国际贸易委员会（ITC）全体委员会近日的最终裁决维持了其于2025年12月作出的初步裁定，确认英诺赛科（Innoscience）侵犯了英飞凌的一项氮化镓（GaN）技术专利，并下令对英诺赛科实施进口和销售禁令。ITC委员会的最终裁决及其颁布的相关禁令仍需经过为期60天的美国总统审查期后生效。 英飞凌表示，该裁决是又一项积极的结果，进一步彰显了英飞凌在氮化镓技
#WeAreIn | Are you in? 我们投身其中，你愿意加入吗？
在英飞凌，员工是我们的核心。作为全球半导体领域的领导者，我们汇聚来自世界各地的人才，推动创新、可持续发展与数字化转型。在这里，我们重视学习与成长，提供清晰的职业发展路径、领域广泛的培训，以及跨地区协作的机会，全方位帮助你扩展技能。 我们的故事 我们投身其中，推动低碳化与数字化转型。携手同行，我们每天都在打造微小芯片，成就美好生活，开发造福人们日常生活的技术。我们的半导体解决方案在数百万的产品中，推
美国国际贸易委员会（ITC）裁定英飞凌胜诉，并对英诺赛科实施进口及销售禁令
美国国际贸易委员会（ITC）全体委员会维持了其于2025年12月作出的初步裁定，确认英诺赛科（Innoscience）侵犯了英飞凌的一项氮化镓（GaN）技术专利，并下令对英诺赛科实施进口和销售禁令。ITC委员会的最终裁决及其颁布的相关禁令仍需经过为期60天的美国总统审查期后生效。 英飞凌300mm GaN技术 Johannes Schoiswohl 英飞凌科技高级副总裁、 氮化镓系统业务线负责人
英飞凌最新版SiC可靠性白皮书解读（含白皮书下载）
SiC MOSFET 凭借优异的性能优势，已成为电力电子领域的核心器件，备受行业关注。但由于特殊的材料属性与器件结构，SiC 功率器件的长期可靠性，始终是研发工程师重点关注的核心问题。 问题包括但不限于： 栅氧缺陷密度高 长期工作中的阈值电压漂移问题（BTI/GSI） 宇宙射线引发单粒子烧毁 短路 / 雪崩耐受弱 体二极管存在双极退化 为此，英飞凌重磅发布全新升级版 SiC
新品 | 1200V 62mm IGBT 7半桥模块产品线扩充
1200V 62mm IGBT 7半桥模块 英飞凌推出1200V 62mm半桥模块产品扩充，额定电流涵盖450A到800A，采用预涂导热界面材料和共发射极配置。 产品描述： ■FF800R12KE7P ■ FF800R12KE7P_E ■ FF600R12KE7P ■ FF600R12KE7P_E ■ FF450R12KE7P ■ FF450R12KE7P_E 产品特性 最高功率密度 业界领先的
全栈车灯方案展 | 邀您共绘汽车光影新篇章
活动名称：2026英飞凌全栈汽车车灯方案展 活动主题： 驱动光影未来，共话智能车灯“芯”生态 活动时间及地点： 2026年5月18日（星期一） | 江苏·常州 主办方： 英飞凌科技 大联大诠鼎集团旗下品佳公司 活动简介 在汽车智能化、个性化浪潮中，车灯已从基础照明演变为集安全、交互、美学于一体的关键部件。英飞凌联手合作伙伴大联大诠鼎集团旗下品佳公司诚邀各位汽车行业同仁，莅临我
报名开启｜英飞凌AI服务器电源优化线上研讨会：Si/GaN/SiC组合方案，解锁下一代数据中心能效新高度
AI算力爆发，数据中心机架功率持续攀升，高功率密度、高能效、高可靠性已成为AI服务器电源设计的核心挑战。如何通过先进半导体技术与拓扑方案，让电源系统适配下一代AI算力需求？ 英飞凌特邀行业专家，带来中文专场线上研讨会，聚焦AI服务器电源全链路技术，分享硅、氮化镓、碳化硅融合方案与实战参考设计，助力工程师优化电源架构、提升系统性能。 会议亮点抢先看 1. 直击AI服务器电源核心痛点 深度解析下一代A
为什么PSOC™ 4的触摸感应这么强？一场直播带你彻底搞懂！
英飞凌PSOC™ 4系列MCU的一大“杀手锏”，就是其片内集成的先进触摸感应模块——CapSense / MultiSense。从车内的中控面板、按键、旋钮，到方向盘的离手检测、座椅占位识别、液位监测……它正在越来越多的智能化场景中发挥关键作用。 然而，在实际开发中，你是否也遇到过这些难题？ 温度、湿度、电磁噪声……环境一变，触摸就不灵了？ 调试工具怎么用才高效？ 客户要求越来越高，开
英飞凌发布2026财年第二季度财报
英飞凌发布2026财年第二季度运营成果：增长前景乐观，上调全年业绩指引；AI热潮持续增强；汽车业务订单回暖；自第四季度起启用调整后的事业部架构。 英飞凌科技股份公司今日公布2026财年第二季度（截至2026年3月31日）业绩。 ● 2026财年第二季度：营收38.12亿欧元，利润6.53亿欧元，利润率17.1%。 ● 2026财年第三季度展望：基于欧元/美元汇率1.17的假设，预计营收约41亿欧
全球第一！69岁海归博士，一手打造 2100 亿芯片巨头
澜起科技创始人 杨崇和 澜起科技的办公室墙上，挂着一句诗：“止为潭渊深，动作涛澜起。”这是创始人杨崇和从苏辙诗作中摘下的句子，也是公司名字的由来。 2026年春天，这家公司迎来了它的高光时刻。4月30日收盘，澜起科技A股市值锁定在2118亿元。三个月前，公司刚登陆港交所，实现“A+H”上市，首日市值就冲到2121亿港元。 鲜为人知的是，站在2100亿市值背后的掌舵者，是一位69岁的“芯片老兵”。从
智能感知芯片黑马二闯港交所
近日，武汉聚芯微电子股份有限公司正式向港交所递交上市申请书，二度闯关港股资本市场。 作为深耕智能感知、机器视觉与影像传感赛道的本土芯片设计企业，聚芯微不靠代工、专注芯片研发设计，常年扎根消费电子核心供应链，在欧美日巨头长期把持高端传感芯片市场的背景下，聚芯微的上市征程与发展成色，俨然成为观察国内智能感知芯片国产替代进程的核心风向标。 深耕行业多年，聚芯微早已形成贴合市场需求、梯度布局合理的完整产品
IPAC 2026双技术峰会报名火热，重磅嘉宾邀你共赴技术盛宴
IPAC 双技术峰会特别邀请到英飞凌与业内权威技术专家，他们将凭借深厚的专业知识和丰富的实践经验，为你深入剖析碳化硅（SiC）技术的未来发展方向与详细规划，同时全面解读 SiC 在热门应用领域的行业动态与技术前沿趋势。 英飞凌碳化硅零碳应用技术大会 📅 时间：2026年5月22日 📍 地点：深圳 特邀嘉宾： Dr. Peter Friedrichs 碳化硅技术创新专家 英飞凌科技 未来社会将面临电
SiC MOSFET 体二极管特性及死区时间选择
01 SiC MOSFET的体二极管及其关键特性 无论是平面栅还是沟槽栅，SiC MOSFET都采用垂直导电结构，其纵向（从漏极到源极）的层状结构是通用的，如下图所示： 图1. 沟槽型--英飞凌非对称沟栅CoolSiC™ MOSFET 图2. 平面栅型MOSFET N+衬底(Substrate)：高掺杂，作为漏极。 N-外延层(Drift Layer)：低掺杂，用于承受高阻断电压。 P-bod