前三星高管预警:存储芯片“超级周期”或于2027年下半年终结
当前,全球存储芯片市场正处在由人工智能(AI)需求引爆的“超级周期”之中。自2025年以来,DRAM与NAND Flash内存价格持续飙升,供给严重短缺已成为行业共识。然而,在这场全行业狂欢的背后,来自韩国半导体界资深人士的预警声正在响起。 5月19日,在韩国国家工程院第285届NAEK论坛上,三星电子设备解决方案部门常任顾问、三星半导体(DS)部门前总裁庆桂显(Kye-hyun Kyung)抛出
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当前,全球存储芯片市场正处在由人工智能(AI)需求引爆的“超级周期”之中。自2025年以来,DRAM与NAND Flash内存价格持续飙升,供给严重短缺已成为行业共识。然而,在这场全行业狂欢的背后,来自韩国半导体界资深人士的预警声正在响起。 5月19日,在韩国国家工程院第285届NAEK论坛上,三星电子设备解决方案部门常任顾问、三星半导体(DS)部门前总裁庆桂显(Kye-hyun Kyung)抛出
重磅行情! 英伟达疯抢占内存,需求规模碾压两大消费电子巨头(苹果、三星) 芯榜消息,韩亚证券联合西特里尼机构 18 日披露,英伟达 AI 服务器 LPDDR 内存用量今年达 31.44 亿 GB,明年将暴增至 60.41 亿 GB。 其明年需求总量,直接远超苹果 29.66 亿 GB 与三星 27.24 亿 GB 的用量总和,AI 算力内存需求强势领跑全球。 一、苹果内存领域主导地位旁落,与英伟达
2026 年 5 月 17 日,长鑫科技集团更新科创板招股说明书,拟募资 295 亿元冲刺上市,这是科创板史上第二大 IPO,仅次于中芯国际。作为国内唯一、全球第四的 DRAM 原厂,长鑫科技从连年亏损到业绩爆发,从技术追赶向高端突破,其 IPO 之路不仅是企业成长的里程碑,更是中国半导体存储产业打破海外垄断、实现自主可控的关键一步。 长鑫科技成立于 2016 年,深耕 DRAM 研发、设计与
距离5月21日三星大规模罢工仅剩3天,一场波及全球芯片供应链的风暴或已提前来袭! 据最新消息,为了应对即将到来的“史上最大规模罢工”,三星已提前“断腕”,正式进入紧急管理模式,启动半导体生产线减产程序——限制新晶圆投入,直接冲击24小时不间断运行的芯片制造流程。 据悉,此次罢工声势空前,涉及43286名工人,占三星半导体事业部(DS部门)员工总数的一半以上。一旦全面启动,影响不可估量。 更关键的是
2026年5月17日,上交所官网披露,长鑫科技集团股份有限公司(以下简称“长鑫科技”)科创板IPO审核状态由“中止”恢复为“已问询”。此前该项目因财务资料过有效期于2026年3月31日中止,此次公司补充2025年年报及2026年一季度经营数据后,正式恢复上市审核进程。 据报道,长鑫科技本次科创板IPO拟募集资金295亿元,为科创板开板以来募资规模第二大项目。资金将投向存储器晶圆制造量产线技术升级
北京时间2026年5月13日晚,特朗普的专机降落在北京。随行的16位美国商界领袖里,有四位半导体相关领域企业高层:英伟达CEO黄仁勋、美光科技CEO桑贾伊·梅赫罗特拉(Sanjay Mehrotra)、高通CEO克里斯蒂亚诺·阿蒙(Cristiano Amon),以及高意CEO吉姆·安德森(Jim Anderson)。 5月14日,特朗普率领其“一把手”代表团参与中美元首会谈,表示“他们也期待着能
AI服务器的存储并非单一设备,而是分为“三圈粮仓”:HBM紧贴GPU,负责实时喂算力;DRAM内存条位于主板,承担系统调度缓冲;SSD/HDD在机柜中,存放PB级训练数据。三者的带宽、容量、价格差异巨大——HBM带宽可达TB/s级,但容量仅百GB;SSD容量大但速度慢。GPU算力十年涨500倍,HBM是唯一能跟上的存储,成为AI算力的“咽喉”。 从寄存器到硬盘,存储呈现“速度越快、容量越小、价
韩国权威媒体《朝鲜日报》报道,三星电子管理层与工会就绩效薪酬问题的谈判破裂。尽管有政府居中调解,三星电子劳资双方从 11 日起的连续两天磋商最终未能弥合分歧。 劳资双方核心分歧集中在与 AI 业务激增利润挂钩的奖金规模: 工会诉求:取消现行奖金上限、将15% 营业利润用于员工奖金、并将该条款正式写入劳动合同。 资方提议:拿出10% 营业利润发放奖金,另提供行业标准之上的一次性特殊补偿;管理
在韩国二手交易平台"Karrot"上,一件标价4万韩元的SK海力士工会马甲被卖家称为"终极相亲战袍",帖子瞬间登上热搜 。婚介公司Gayeon的高级团队负责人姜恩善(Kang Eun-sun)对媒体表示:"自半导体超级周期开启以来,市场明显更偏好那些实际收入远远更高的工程师,相比一些收入已不如从前的律师。" 还有一则走红的段子写道:“现在海力士员工出去相亲时,都会谦称自己在三星电子上班。只有遇到
2026年的AI圈,有一个消息让全行业震动:英伟达豪掷200亿美金收购Groq,坚定押注HBM+LPU的协同路线,试图垄断从云端到边缘的全场景推理算力。而与此同时,AI行业正面临一个普遍困境——AI快用不起了!智谱、Anthropic等大模型机构密集涨价、调整计费模式,背后的核心症结,正是端侧AI推理的底层架构瓶颈。 如今,全球端侧AI推理赛道已经悄然分成了三条截然不同的路线,分别由英伟达、高通和
韩国有个段子正在流传:2026年最抢手的相亲对象,不是医生、不是律师,而是SK海力士的员工。 社交媒体上,印着“SK Hynix”字样的工装夹克被捧为“终极相亲战袍”,韩国搞笑节目《SNL Korea》直接拍了个讽刺短片——奢侈品店员冷落衣着普通的顾客,一看对方衣服里露出海力士标志,脸色瞬间从“你是谁”切换成俯首帖耳的“海力士大人(Lord Hynix)”。 海力士员工内部还流传着另一条“社交密码
4月28日,在首尔举行的先进封装技术会议上,仁荷大学制造创新研究生院教授朱承焕(Joo Seung-hwan)透露,光刻机霸主ASML似乎正在将其核心Twinscan光刻平台的技术积累,应用于研发晶圆对晶圆(W2W)混合键合设备。这一动向若属实,标志着ASML正试图将其在前道光刻领域的统治力,强势延伸至后道先进封装市场。 根据朱承焕的分析,ASML的专利显示其正在利用Twinscan平台独特的双工
全球半导体行业正经历重大变革,分析师称之为“存储器大转型”。2026年伊始,市场呈现两极分化:AI驱动的基础设施领域蓬勃发展,而消费电子市场则面临供应短缺和价格上涨的困境。 这种分化源于硅晶圆产能分配的巨大转变。高利润的AI组件,尤其是高带宽内存(HBM),挤占了原本用于笔记本电脑、智能手机和游戏机芯片的产能空间。 超级周期的经济效益 对于全球领先的存储器制造商——SK海力士、三星电子和美光科技而
4月29日,存储芯片巨头三星电子(Samsung Electronics)交出了一份令华尔街惊叹的“炸裂”成绩单。受人工智能(AI)基础设施建设带来的存储芯片需求井喷影响,三星2026年第一季度营业利润同比飙升超过750%,创下公司历史新高,且远超分析师预期。 根据三星发布的初步业绩指引,该公司在截至3月31日的第一季度实现了133.9万亿韩元(约合899.6亿美元)的营收,同比增长约70%;营业
本文介绍了Chiplet技术对芯片体积减少的作用,及其关键互连技术。 传统芯片设计依靠不断缩小晶体管尺寸来提升性能,但这一路径正面临越来越高的成本和良率压力。Chiplet技术提供了一种新的思路:将原本集成在一颗芯片上的不同功能模块拆分为多个独立的小芯片,再通过先进封装技术将它们重新集成为一个完整的系统。从外部看,它仍然是一颗芯片;但从内部看,它已经是一个由多个芯粒组成的系统。 为什么需要Chip
尽管人工智能(AI)在2025年吸引了科技界的大部分目光,但与AI发展密切相关的存储器行业在新的一年伊始也开始崭露头角。为AI数据中心提供高带宽内存(HBM)器件的DRAM制造商正争相抢夺晶圆厂产能,而地缘政治紧张局势更令这一局面雪上加霜。 美光科技首席执行官Sanjay Mehrotra预计,2026年以后内存市场仍将保持紧张状态;更值得注意的是,他预计美光今年只能满足几家主要客户约一半到三分
[ ](https://mp.weixin.qq.com/s?__biz=MzA5MDk2NTEwNQ==&mid=2656510277&idx=1&sn=8b196489488c2621d143b38b6eaa1b09&scene=21#wechat_redirect) 当英伟达CEO黄仁勋在2026年GTC大会上抛出"The Inference Inflecti
NEWS MarketsandMarkets最新分析报告预计,全球数据中心半导体市场规模将从2024年的868亿美元增长至2029年的2658亿美元,2024-2029年复合年增长率(CAGR)达25.1%。 市场增长的核心驱动因素包括:AI及生成式AI工作负载的快速扩张、超大规模云服务商的投入加码、高性能计算与加速处理器需求攀升、高带宽内存(HBM)等先进存储技术的普及,以及现代云数据中心基础
随着人工智能(AI)驱动的数据呈指数级增长,高带宽内存(HBM)的应用也随之激增。 然而,HBM仍属高端内存,技术实现难度颇高。由于英伟达(NVIDIA)在GPU开发上步伐迅猛,相关标准难以跟上——这意味着,若HBM想继续搭乘GPU和加速器普及的快车,定制化至关重要。 Dell’Oro集团2025年6月发布的一份报告显示,持续的AI发展推动服务器和存储组件市场在2025年第一季度同比增长62%,
据韩媒thelec最新报道,在4月28日于首尔举行的一场半导体会议上,SK海力士技术负责人金钟勋(Kim Jong-hoon)透露,公司应用于HBM的混合键合(Hybrid Bonding)技术良率较两年前已显著提升,12层堆叠产品的验证工作已经完成,目前正致力于提升大规模生产的产量。 随着HBM技术的演进,堆叠层数不断增加,工艺复杂性也急剧上升,从而推动了封装技术的持续创新。HBM封装技术已从采