英飞凌荣获“2026年度AI影响力奖”：AI赋能半导体制造，实现可衡量商业价值
全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司，凭借其“面向测试工程的生成式AI”（GenAI for Test Engineering）项目荣获“2026年人工智能影响力奖”。该奖项由德国《经理人杂志》（manager magazin）和保时捷管理咨询公司（Porsche Consulting）联合颁发，旨在表彰通过有针对性地应用AI而实现显著且可衡量商业影响力的企业。 英飞凌荣获20
标签专题 · 共 20 篇文章
# 英飞凌
关于「英飞凌」的技术文章、设计资料与工程师讨论，持续更新。
20
篇文章
61
人关注
979
次浏览
白皮书下载｜英飞凌最新版SiC可靠性白皮书解读
SiC MOSFET凭借优异的性能优势，已成为电力电子领域的核心器件，备受行业关注。但由于特殊的材料属性与器件结构，SiC功率器件的长期可靠性，始终是研发工程师重点关注的核心问题。 问题包括但不限于： 栅氧缺陷多，早期失效风险高 长期工作中的阈值电压漂移问题（BTI/GSI） 宇宙射线引发单粒子烧毁 短路/雪崩耐受弱 体二极管存在双极退化 为此，英飞凌重磅发布全新升级版Si
科技赋能生态 守护太湖共生｜英飞凌 “听见・共生” 鸟类声纹监测项目在无锡启动
近日，英飞凌在无锡正式启动 “听见・共生”—— 大溪港湿地鸟类声纹监测与生态科普项目，活动将生态公益与员工健康深度融合，彰显了英飞凌 “科技赋能自然、人文温暖生态” 的可持续发展理念，为本地生物多样性保护与企业社会责任实践树立新标杆。 无锡太湖大溪港湿地公园是东亚 - 澳大利西亚候鸟迁飞路线上的重要驿站，截止2025年已记录鸟类232种，其中国家一级保护动物7种、国家二级保护动物35种。然而，这些
英飞凌再次入选全球可持续发展领军企业
全球领先的功率系统半导体供应商英飞凌科技股份公司已入选道琼斯全球及欧洲最佳表现(Best-in-Class)指数。标普道琼斯指数（S&P Dow Jones Indices）已于5月1日在纽约公布了这一结果。 Elke Reichart 英飞凌科技管理委员会成员 兼首席数字化转型与可持续发展官 我们很荣幸看到英飞凌被认可为全球领先的可持续发展企业之一。英飞凌已经连续16年入选该榜单，这充分
英飞凌：我赢了！英诺赛科：我也赢了！
2026年5月8日，英飞凌发布声明称，美国国际贸易委员会（ITC）全体委员会近日的最终裁决维持了其于2025年12月作出的初步裁定，确认英诺赛科（Innoscience）侵犯了英飞凌的一项氮化镓（GaN）技术专利，并下令对英诺赛科实施进口和销售禁令。ITC委员会的最终裁决及其颁布的相关禁令仍需经过为期60天的美国总统审查期后生效。 英飞凌表示，该裁决是又一项积极的结果，进一步彰显了英飞凌在氮化镓技
美国国际贸易委员会（ITC）裁定英飞凌胜诉，并对英诺赛科实施进口及销售禁令
美国国际贸易委员会（ITC）全体委员会维持了其于2025年12月作出的初步裁定，确认英诺赛科（Innoscience）侵犯了英飞凌的一项氮化镓（GaN）技术专利，并下令对英诺赛科实施进口和销售禁令。ITC委员会的最终裁决及其颁布的相关禁令仍需经过为期60天的美国总统审查期后生效。 英飞凌300mm GaN技术 Johannes Schoiswohl 英飞凌科技高级副总裁、 氮化镓系统业务线负责人
英飞凌最新版SiC可靠性白皮书解读（含白皮书下载）
SiC MOSFET 凭借优异的性能优势，已成为电力电子领域的核心器件，备受行业关注。但由于特殊的材料属性与器件结构，SiC 功率器件的长期可靠性，始终是研发工程师重点关注的核心问题。 问题包括但不限于： 栅氧缺陷密度高 长期工作中的阈值电压漂移问题（BTI/GSI） 宇宙射线引发单粒子烧毁 短路 / 雪崩耐受弱 体二极管存在双极退化 为此，英飞凌重磅发布全新升级版 SiC
英飞凌发布2026财年第二季度财报
英飞凌发布2026财年第二季度运营成果：增长前景乐观，上调全年业绩指引；AI热潮持续增强；汽车业务订单回暖；自第四季度起启用调整后的事业部架构。 英飞凌科技股份公司今日公布2026财年第二季度（截至2026年3月31日）业绩。 ● 2026财年第二季度：营收38.12亿欧元，利润6.53亿欧元，利润率17.1%。 ● 2026财年第三季度展望：基于欧元/美元汇率1.17的假设，预计营收约41亿欧
智能感知芯片黑马二闯港交所
近日，武汉聚芯微电子股份有限公司正式向港交所递交上市申请书，二度闯关港股资本市场。 作为深耕智能感知、机器视觉与影像传感赛道的本土芯片设计企业，聚芯微不靠代工、专注芯片研发设计，常年扎根消费电子核心供应链，在欧美日巨头长期把持高端传感芯片市场的背景下，聚芯微的上市征程与发展成色，俨然成为观察国内智能感知芯片国产替代进程的核心风向标。 深耕行业多年，聚芯微早已形成贴合市场需求、梯度布局合理的完整产品
欧盟启动SPINS半导体量子中试线 打造量子芯片产业化新标杆
世界的未来不止是AI的，还将是量子技术的。随着中美在量子技术方面频繁取得突破，欧洲除了在半导体方面推动芯片法案2.0之外，还将半导体技术和量子工艺进行融合，在量子芯片产业化过程中寻求全新的探索，未来可能成为中美量子竞争之外新的搅局者。 2026 年 4 月 18 日，比利时微电子研究中心（Imec）正式宣布，欧洲SPINS 半导体量子纳米系统产业级中试线全面启动。该项目作为欧盟《芯片法案》重点布局
总支出1.38万亿，2026年半导体烧钱大战升级（附图）
SC-IQ (Semiconductor Intelligence) 报告显示：2025 年全球半导体资本支出 1660 亿美元，同比增 7%； SC-IQ 预计 2026 年达 2000 亿美元，同比增 20%（约1.38万亿元人民币），其中： 台积电 2026 年资本支出 520-560 亿美元，增 27%-37%，主攻 5G、AI 与 HPC。 三星 2026 年半导体投资约 40
英飞凌与为光能源深度携手， 共筑固态变压器（SST）高可靠新未来
近日，英飞凌科技（以下简称“英飞凌”）与西安为光能源科技有限公司（以下简称“为光能源”）正式达成深度合作，携手开启能源技术革新新篇章。双方将依托英飞凌领先的1200V TRENCHSTOP™ IGBT7及CoolSiC™ MOSFET G2碳化硅分立器件技术，赋能为光能源研发更紧凑、高效的通用固态变压器（SST）产品，大幅提升其在储能系统与充电桩领域的应用效能。双方还计划携手将英飞凌全新碳化硅模块
新品 | CoolMOS™ CFD7 SJ高压超结MOSFET 650V系列
新品 CoolMOS™ CFD7 SJ 高压超结 MOSFET 650V系列 650V CoolMOS™ CFD7是英飞凌最新高压超结MOSFET技术，集成快速体二极管，完善了CoolMOS™ 7系列产品，CoolMOS™ CFD7具备更低的栅极电荷(QG)、优化的关断特性，其反向恢复电荷(QRR)较竞品最多可降低69%，并拥有业界最低的反向恢复时间(trr)，底部散热封装最大程度降低导通损耗，
功率升级，尺寸瘦身：英飞凌CoolGaN™ 低压氮化镓晶体管与PSOC™ Control C3微控制器重塑低压电机控制
在电机控制设计中，工程师们始终面临一个经典难题：如何在有限的空间内，实现更高的效率、更低的温升和更优的动态响应？ 传统硅基MOSFET方案受限于开关速度与损耗，往往不得不在性能与体积之间妥协。如今，英飞凌CoolGaN™低压氮化镓晶体管与全新PSOC™ Control C3微控制器的组合，为低压电机控制带来了系统级的突破——更小、更冷、更静、更快。 从器件到系统：CoolGaN™的价值飞轮 与硅基
英飞凌与为光能源深度携手，共筑固态变压器（SST）高可靠新未来
近日，英飞凌科技(以下简称“英飞凌”)与西安为光能源科技有限公司（以下简称“为光能源”）正式达成深度合作，携手开启能源技术革新新篇章。双方将依托英飞凌领先的1200V TRENCHSTOP™ IGBT7及CoolSiC™ MOSFET G2碳化硅分立器件技术，赋能为光能源研发更紧凑、高效的通用固态变压器（SST）产品，大幅提升其在储能系统与充电桩领域的应用效能。双方还计划携手将英飞凌全新碳化硅模块
新品 | CoolSiC™ MOSFET 1200V G2 7mΩ分立器件采用TO-247 4pin高爬电距离封装
新品 CoolSiC™ MOSFET 1200V G2 7mΩ分立器件采用TO-247 4pin 高爬电距离封装 英飞凌采用高爬电距离封装的TO-247 4pin CoolSiC™ MOSFET 1200V G2 7mΩ分立器件，在第一代技术优势基础上实现显著提升，为更高性价比、高效率、紧凑型、易设计且可靠的系统提供先进解决方案。该器件在硬开关与软开关拓扑中均展现出优异性能，广泛适用于各类AC
英飞凌科技大中华区首席财务官齐米乐 (Thomas Zimmerle) 当选中国德国商会・华东区董事会主席
近日，英飞凌科技高级副总裁、大中华区首席财务官齐米乐（Thomas Zimmerle）当选为中国德国商会・华东区新任董事会主席。他将与董事会成员Michael Kern, Anna An, Gregor Koch, Ralph Koppitz, Heiko Laessig, Frank Schulze, Yang Gang博士和Tony Zhang一起，在未来三年内代表中德商业界与相关机构和企业开
英飞凌汽车业务本土化战略一周年：从蓝图到实景，筑牢“产-需-生态”全链条优势
4月12日，由车百会研究院主办的2026智能电动汽车发展高层论坛在北京举行。英飞凌科技高级副总裁，汽车业务大中华区负责人曹彦飞应邀出席国际论坛发表演讲，并在会上宣布，自2025年3月公布“与中国汽车产业同频共振”本土化战略以来，英飞凌依托“本土产品定义、本土生产、本土生态圈”三大支柱稳步落地，已在多个关键领域取得实质性进展与重要里程碑，正加速将规划转化为行动，赋能中国汽车产业电动化与智能化转型升级
北交所功率半导体部件第一股诞生！客户含中车、英飞凌
2026年4月10日，北交所功率半导体部件“第一股”赛英电子正式挂牌，上市首日股价大涨120%，截止笔者发稿，股价涨至70元，总市值攀升至30亿元，资本市场的热度印证了其在细分领域的稀缺价值。 成立于2002年的赛英电子，深耕功率半导体器件关键部件领域二十余年，以陶瓷管壳和封装散热基板为核心主业，产品广泛应用于特高压、新能源汽车等高端领域，凭借稳定的产品实力与头部客户资源，在国产功率半导体产业链
英飞凌亮相SEMICON China & CS Asia 2026：以GaN赋能高密度AI电源平台，共铸万亿半导体新时代
SEMICON China 2026开幕仪式 3月25日，SEMICON China 2026国际半导体展在上海盛大启幕，展览面积逾10万平米，吸引1500家全球展商参与，预计逾18万人次专业观众共襄盛举。 本届展会聚焦三大产业趋势：AI算力持续爆发，2026年全球AI基础设施支出将达4500亿美元；作为AI基础设施核心资源，全球存储产值成为半导体第一增长极；技术驱动产业升级，先进封装战略地位凸显