PI六自由度磁浮平台瞄准混合键合设备
磁浮平台正从极紫外光刻扩展到先进封装混合键合。PI展示六自由度磁浮平台，用于裸片到晶圆混合键合，可控制位置、倾斜并感知键合力，计划约两年内导入客户设备。
制造工艺、国际动态、人工智能、产业分析技术专题 · 共 51 篇内容
# 先进封装
「先进封装」是电子工程与制造工艺、国际动态、人工智能、产业分析领域的重要技术专题。纳米网为您深度聚合了 51 篇关于 先进封装 的硬件电路设计方案、芯片选型参数对比、产业动态研判与原厂参考资料（最近更新于 2026年11月）。核心收录议题涵盖《PI六自由度磁浮平台瞄准混合键合设备》《SEMICON Europa 2026聚焦先进封装与AI》《AI芯片如何从材料端重塑半导体制造》等实战工程解析。工程师可结合站内芯片选型库与 Datasheet 资料库进行一站式方案验证。
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SEMICON Europa 2026聚焦先进封装与AI
SEMICON Europa 2026将于11月10日至13日在德国慕尼黑举行，聚焦先进封装、AI驱动制造和跨境合作。会议将讨论异构集成、芯粒、晶圆厂自动化、供应链韧性及欧洲半导体生态等议题。
AI芯片如何从材料端重塑半导体制造
AI芯片需求推动半导体制造与封装升级。文章指出，先进芯片对设备部件和材料提出更高要求，先进陶瓷等材料工程可在耐热、等离子体、磨损和复杂结构方面提供支撑，封装也从保护转向性能优化，成为系统设计的重要环节。
imec：垂直DRAM堆叠拓展HBM-on-GPU外热设计空间
imec研究人员提出3D立体DRAM-on-GPU集成方案，将DRAM芯片垂直置于GPU上方并设冷却腔，替代传统2.5D HBM和直接堆叠HBM-on-GPU。
应用材料与英特尔合作加速AI驱动计算的芯片制造创新
应用材料公司与英特尔合作，在硅谷EPIC中心和俄勒冈研发园区推进下一代晶体管、互连与先进封装技术，缩短AI芯片和系统上市时间。合作覆盖前后道互连微缩以及Foveros 3D堆叠，以提高互连密度、供电和散热性能，加速从实验室到大规模制造。
10张图拆解国产算力产业链
AI 产业当下很最重要的共识是：算力即新的基础设施。 但对中国科技产业来说，算力从来不只是“买几张 GPU”这么简单。2022 年之后，A100、H100、H800、B200 乃至特供版芯片的限制层层加码，一个现实问题摆在所有中国科技公司面前：如果最先进的外部芯片买不到，中国的大模型、云计算、自动驾驶、机器人和科研训练，还能不能继续往前走？ 这就是“国产算力链”必须被重视的原因。 国产算力，不是一
为什么玻璃基板（TGV）突然被重视？
一、为什么玻璃基板突然被重视？ 过去很多高端封装依赖有机基板、硅中介层、ABF载板等材料体系。 但随着AI芯片越来越大、I/O数量越来越多、功耗越来越高、封装尺寸越来越大，传统基板材料逐渐遇到瓶颈。 尤其是AI训练芯片和高性能计算芯片，不再是一颗小芯片单独工作，而是多个逻辑芯片、HBM、高速互连结构一起封装在一个系统里。 这时候，封装基板要承担更多任务： 它要支撑更大的封装面积； 要承载更高密
AI芯片的封装基板越做越大趋势
本文介绍了AI芯片的封装基板越做越大趋势。 从图片可以清楚看到，先进封装的基板尺寸正在快速膨胀。这背后是AI芯片对算力和带宽的无尽渴求。 图(a)是比较“传统”的配置：一颗逻辑芯片加上四颗HBM（高带宽内存），通过中介层连接，再整体贴在积层基板上。这是两年前高端GPU的典型方案，基板尺寸还算适中。 图(b)开始明显变大：逻辑芯片不变，但HBM增加到六颗。更多内存意味着更大的数据带宽，但也意味着
先进封装如何支撑AI芯片的性能跃升
本文将介绍先进封装如何支撑AI芯片的性能跃升。 传统的“大芯片"的局限 在AI芯片的设计中，算力和带宽的竞赛正在把封装技术推向极限。传统的“一颗大芯片搞定一切”的做法已经难以为继，取而代之的是把大芯片拆成多个小芯片（芯粒），再用先进封装拼在一起。这个转变，正在重塑芯片的设计和制造方式。 过去，芯片设计的主流是单片式方案——逻辑、内存控制器、IO接口全部集成在同一颗芯片上，用同一种工艺制造。优点是
玻璃基板、玻璃载板、玻璃中介层、玻璃核心基板有什么区别？
先进封装领域玻璃相关名词极易混淆：玻璃基板、玻璃载板、玻璃中介层、玻璃核心基板。四者属于包含、功能分层关系，并非等同替代关系。本文以城市交通类比清晰划分定义、功能定位与工艺侧重点，厘清行业常见混用误区。 最近讲先进封装，经常会看到几个词：玻璃基板、玻璃载板、玻璃中介层、玻璃核心基板。 它们听起来很像，好像都是“把玻璃用到封装里”。但如果不区分清楚，很容易把材料、结构和封装功能混在一起，最后得出一
玻璃基封装载板，到底是不是“玻璃做的 PCB”？
本文介绍了玻璃基封装载板。 最近，半导体圈里“玻璃基封装载板”很火。很多人第一反应是：这不就是把 PCB 的材料从树脂换成玻璃吗？是不是可以理解成“玻璃做的 PCB”？ 这个说法有一点像，但也很容易误导。 更准确地说：玻璃基封装载板不是普通 PCB 的玻璃版，而是先进封装里的“高精度芯片地基”。它和 PCB 都负责连接电信号，但服务对象、加工精度、结构层级和产业门槛完全不同。 一、为什么大家会
晶圆变“晶方”？AI封装火了，MEMS也能用吗？
本文介绍了方形晶圆的适用场景和优势短板。 近期半导体行业方形硅片批量交付的消息刷屏，不少人疑惑，几十年通用的圆形晶圆为何突然出现方形款，它会不会全面替代圆片，在MEMS 领域又有落地空间？ 晶圆和“晶方” 传统晶圆天生是圆形，硅棒经旋转提拉长成圆柱，切片自然呈圆形，全球整条光刻、清洗、机械手产线也都是围绕圆片设计，一直是芯片前道制造的主流。但随着AI大尺寸GPU、HBM、Chiplet普及，封装
芯片先进封装的四种：CoWoS、CoPoS、Glass Core与CoWoP
本文将介绍四种芯片先进封装。 在先进封装领域，如何把多颗芯片（比如计算芯片和存储芯片）高效地拼在一起，不同厂商给出了不同的答案。图片展示了四种主流方案，它们在材料、结构和成本上各有取舍。 CoWoS CoWoS是目前最成熟的方案，台积电的拳头技术。它把HBM高带宽内存和逻辑芯片（Logic Die）并排放在一块硅中介层上，硅中介层内部有TSV（硅通孔）实现上下导通，然后再整体贴在有机基板上。硅中介
为什么AI芯片封装开始关注玻璃基板？
这几年，AI芯片越来越火，先进封装也越来越热。以前大家聊芯片，最关心的是几纳米制程、晶体管数量、算力有多强。但现在，一个新的问题开始变得重要： 芯片做出来之后，怎么把它们高效地连在一起？ 这就是封装的问题。 在AI芯片时代，封装不再只是“给芯片套个外壳”，而更像是给一座超级城市修地基、道路、桥梁和供电网络。城市越大，车流越密，道路系统就越关键。AI芯片也是一样，算力越强，芯片之间的数据流动越频繁
晶圆变“晶方”？AI封装火了，MEMS也能用吗？
本文将介绍半导体行业方形硅片。 近期半导体行业方形硅片批量交付的消息刷屏，不少人疑惑，几十年通用的圆形晶圆为何突然出现方形款，它会不会全面替代圆片，在MEMS 领域又有落地空间？ 晶圆和“晶方” 传统晶圆天生是圆形，硅棒经旋转提拉长成圆柱，切片自然呈圆形，全球整条光刻、清洗、机械手产线也都是围绕圆片设计，一直是芯片前道制造的主流。但随着AI大尺寸GPU、HBM、Chiplet普及，封装单元、中介
玻璃基封装载板：AI 芯片的下一代“地基”，到底难在哪里？
AI 大芯片与 Chiplet 集成规模持续扩张，传统有机封装载板在翘曲、布线、热稳定性上遇瓶颈，玻璃基载板凭借高平整、可调热膨胀、TGV 垂直互连成为新型封装地基。文章对比硅中介层、有机基板，拆解 TGV 量产核心难点，解读面板企业跨界逻辑与产业落地节奏。 过去聊 AI 芯片，大家最关心 GPU、HBM、先进制程。但随着芯片越做越大、Chiplet 越堆越多，另一个看似不起眼的环节开始变得重要
摩尔定律真的失效了吗？为什么先进封装成了新的性能杠杆？
摩尔定律未死，但已从“晶体管缩小”的线性红利转为“系统集成”的复合竞争。AI时代，芯片性能瓶颈从算力转向数据搬运与互联效率，先进封装成为连接GPU、HBM与Chiplet的关键杠杆，推动产业从“堆晶体管”进入“搭系统”的新阶段。 过去几十年，半导体行业有一个近乎信仰级的规律：摩尔定律。 简单说，就是芯片上的晶体管数量会周期性增加，芯片性能不断提升，单位计算成本不断下降。这个规律支撑了 PC、智能手
键合技术如何让半导体越叠越高
本文介绍了键合及其应用。 在半导体行业追求更高性能、更低功耗的道路上，单纯缩小晶体管尺寸已经越来越难。于是，工程师们换了一个思路：既然横向不能无限缩小，那就纵向堆叠——把不同的芯片像盖楼一样一层层叠起来。这项让芯片“长高”的核心技术，就是键合技术。 键合是什么？芯片界的“强力胶”键合，简单来说就是把两片或多片晶圆（或芯片）永久性地粘合在一起，同时实现它们之间的电气互连。这可不是普通胶水能办到的。
ASML、马斯克，会谈！
马斯克「非常认真」、英特尔提供14A技术 ASML 执行长克里斯托福·富凯（Christophe Fouquet）20 日出席比利时安特卫普科技活动时表示： 富凯已直接与马斯克就 TeraFab 半导体计划会谈，并形容马斯克「非常认真」看待这项计划。 富凯表示，TeraFab和星链（Starlink）等大型计划将在数年内增加设备供应商的产能压力，并警告全球半导体产业都可能面临供不应求局面。 一、A
美光送样256GB DDR5服务器内存模块，重新定义AI性能——采用1-gamma DRAM与先进封装技术，为业界提供更快性能
2026 年 5 月 14 日，爱达荷州博伊西市——美光科技公司（纳斯达克股票代码：MU）近日宣布，已向核心服务器生态系统合作伙伴送样 256GB DDR5 RDIMM 内存模块。该模块基于美光领先的1-gamma 制程打造，传输速率最高可达 9,200 MT/s，比当前量产的内存模块快 40% 以上。1 此款模块采用先进封装工艺，结合 3D 堆叠（3DS）与硅通孔（TSV）工艺，将多颗内存晶粒