DeepSeek V4正式发布，昇腾超节点系列产品全面支持
2026年4月24日，DeepSeek V4-Pro和DeepSeek V4-Flash正式发布并开源，模型上下文处理长度由原有的128K显著扩展至1M，实现近10倍的容量提升，首次增加了KV Cache滑窗和压缩算法，大幅减少Attention计算和访存开销，并通过模型架构创新更好地支持了Agent和Coding场景。昇腾一直同步支持DeepSeek系列模型，本次通过双方芯模技术紧密协同，实现昇
半导体
1人已关注纳米网半导体频道 — 提供半导体领域最新资讯、技术文章和行业动态。
半导体技术
马斯克正面严肃回应Terafab的多个敏感问题
马斯克之前对Terafab的所有信息透露都是在社交媒体平台，甚至英特尔与Terafab的合作也是在社交媒体平台发布的，我们也知道马斯克在社交媒体平台的发言有时候不能称之为严肃，因此特斯拉的财报电话会议成为了马斯克正面严肃回应Terafab的各种细节问题的第一个公开场合。 在当地时间22日晚的特斯拉2026年第一季度财报电话会议上，公司披露了若干与半导体产业相关的重要信息： 特斯拉今年将为Ter
思特威推出首颗搭载LOFIC技术的2亿像素超高动态范围手机应用CMOS图像传感器
近日，技术先进的CMOS图像传感器供应商思特威（SmartSens，股票代码688213），全新推出2亿像素0.61μm像素尺寸超高动态范围手机应用图像传感器新品——SCC90XS。SCC90XS基于思特威SmartClarity®-SL Pro技术打造，采用了22nm Stack先进工艺制程，创新搭载思特威全新升级Lofic HDR® 3.0技术，同时搭载SFCPixel®- 2及AllPix
兆易创新GD32F5HC系列MCU全新发布，面向HMI与物联网实现高性能创新升级
中国北京(2026年4月22日)—— 业界领先的半导体器件供应商兆易创新GigaDevice(股票代码： 603986.SH;3986.HK)宣布正式推出GD32F5HC系列32位通用微控制器。该产品基于Arm® Cortex®-M33内核打造，以小尺寸、高主频、大存储、强安全为核心优势，同时兼具超低功耗与丰富外设配置，完美契合消费电子、智能家居、工业控制等领域的小型化、高性能、高安全设计需求
发布会倒计时1天｜赋能具身，跨维增长新引擎
关于芯驰 芯驰科技是全场景智能车芯引领者，专注于提供高性能、高可靠的车规芯片，覆盖智能座舱和智能车控领域，涵盖了未来汽车电子电气架构最核心的芯片类别。 芯驰全系列芯片均已量产，出货量超*11**00*万片。芯驰目前拥有超200个定点项目，服务超过260家客户，覆盖国内90%以上主机厂及部分国际主流车企，包括上汽、奇瑞、长安、东风、一汽、日产、本田、大众、理想等。 五大认证 放芯驰骋 ·德国莱茵TÜ
150 倍算力！安克发布存算一体 AI 音频芯片 Thus™
4 月 22 日，据外媒 The Verge 报道，安克创新正式推出自研全球首款神经网络存内计算 AI 音频芯片 Thus™，这款芯片将把本地 AI 能力全面落地至安克旗下音频设备、移动配件及物联网设备等全品类产品中。 安克创新 CEO 阳萌介绍，传统 AI 芯片采用存储与计算分离架构，设备推理时需频繁搬运模型参数，不仅损耗算力还增加功耗；而 Thus™芯片创新将计算单元直接部署在模型存储位置，省
重磅官宣！1.2nm 制程正式落地
台积电在昨日举办的2026 北美技术论坛上，公布了其直至 2029 年的通用制程技术路线图。本次发布的核心亮点包括：名为 A12 与 A13 的 1.2nm、1.3nm 级制造工艺、对 N2 家族出人意料的延伸版本 N2U，以及截至 2029 年暂无计划在任何工艺节点使用高数值孔径极紫外光刻（**High-NA EUV**）。而本次技术公告中最值得关注的一点，或许是台积电正式确立了面向新一代工艺节
谁来为端侧大模型“功耗墙”破局？
| 端侧AI元年：千亿赛道的机遇与挑战 2025年被业界公认为“端侧AI元年”，随着AI手机、人形机器人、可穿戴设备等终端产品的爆发式增长，端侧大模型正从技术概念走向规模化应用，催生了对低功耗、高性能端侧AI芯片的海量需求。据测算，全球端侧AI市场将从2025年的3219亿元增长至2029年的1.2万亿元，复合年增长率高达39.6%，千亿赛道已然浮出水面。但繁荣背后，端侧大模型的落地始终被三大核心
刚刚，谷歌发布两款芯片，剑指英伟达!
多年来，谷歌一直在生产既能训练人工智能模型又能处理推理工作的芯片，现在，谷歌正将这些任务分离到不同的处理器中，这是其在人工智能硬件领域挑战英伟达的最新举措。 谷歌周三表示，将对其第八代张量处理单元（TPU）进行这项更改。这两款芯片都将于今年晚些时候上市。 谷歌高级副总裁兼人工智能和基础设施首席技术官阿明·瓦赫达特在一篇博客文章中表示：“随着人工智能代理的兴起，我们认为，如果芯片能够根据训练和服务
当存储设备加入冷却回路：专为冷板设计的SSD
我们现在使用的 GPU 服务器可能很快就会告别风冷散热。举个例子，目前的风冷系统可能占据 8U 机架空间，如果在前方部署 8 块 SSD，充足的气流可确保所有设备均在规格要求范围内运行。而在新推出的服务器中，由于标配液冷系统，同样的 8 路 GPU 配置所占空间已缩减至 2U。¹突然之间，机箱之内已经没有足够宽敞的空间来从容部署 8 块 SSD 了。这 8 块 SSD 只能挤在一个狭小的空间内，热
至强x锐炫新品发布：为AI工作站平台做加法，让专业创作从容表达
今日，英特尔公司在北京举办新一代AI工作站平台发布会，推出英特尔®至强® 600工作站处理器与英特尔锐炫™ Pro B70、B65 GPU。双芯的强强联合，将为AI开发者与企业打造覆盖从日常应用和专业重负载AI应用、且颇具成本效益的高效工作平台。 英特尔市场营销集团副总裁、中国区总经理郭威，阐释英特尔顺应智能体应用需求，利用至强和锐炫的双芯协同，让AI工作站真正做到了能攻、能守、能合 英特尔至强
湿法刻蚀的侧蚀能够完全消除吗？
湿法腐蚀的侧蚀能“根治”吗？结论是：常规湿法侧蚀本质难除，但特定工艺下可控。若追求零侧蚀，则必须转向干法刻蚀。 一个干脆的结论：在绝大多数常规工艺中，湿法腐蚀的侧蚀（Undercut）无法完全消除，只能尽可能去控制和补偿。如果工艺要求绝对的“零侧蚀”（即完美的90度垂直侧壁），通常只能放弃湿法，改用干法刻蚀。 这主要是由湿法腐蚀的化学本质决定的。 为什么常规湿法生来带有侧蚀 常规的湿法腐蚀属于各
载带芯片的制造工艺及装连
从传统到阵列，从ILB到OLB，载带焊如何在高密度互连的浪潮中突破性能与成本的“双刃”挑战，引领芯片封装技术的未来？本文为您深度解析。 载带芯片制造工艺及装连技术作为半导体封装领域的关键分支，其核心在于通过载带焊实现芯片与基板的高密度电气互连。 传统式载带焊通过芯片背面固定于基板，利用载带导线实现芯片I/O焊区与基板的电气连接，其优势在于工艺成熟、热传导性能优异，适用于大尺寸芯片及高功率应用场景
FS112KPF 智能识别芯片，5V 专用，识别更广、出标更全！
速芯微**FS112KP 全新升级款 ——🔥FS112KPF 智能识别芯片，5V 专用，识别更广、出标更全。** 本文给大家介绍下这款转为专为5V应用场景打造的高性能识别芯片FS112KPF。 四大核心亮点 ✅1. 协议兼容性广泛 兼容主流USB Type-A口快充协议，包括：BC1.2/Apple 2.4A/QC2.0 / QC3.0/FCP/ SCP ✅2. 高耐压设计 - VIN 耐压
三星、SK海力士，为何无法“离开”中国？
当全球半导体进入地缘博弈最激烈、技术迭代最迅猛、格局重构最深刻的时代，韩国两大存储芯片巨头三星与SK海力士，几乎在同一时间做出了一个耐人寻味的选择： 重仓中国。 2025年，两家巨头联手向中国砸下1.5万亿韩元，折合人民币近70亿。2026年，押注仍在继续。一个牵动全球半导体产业的疑问随之而来： 为什么是现在？为什么依然是中国？ 故事要从1997年说起。 那一年，亚洲金融风暴席卷汉城（现首尔）。企
Microchip重新定义可编程逻辑，实现更简便且更智能的全集成设计
Microchip基于CLB的PIC®单片机在单一器件中结合了可编程逻辑与嵌入式控制，有助于降低延迟、成本和设计复杂度 对于为电机控制、工业自动化及汽车安全应用开发时序关键型系统的工程师，常常面临信号延迟与软件执行不可预测的难题。为应对这些挑战而又不能因采用多芯片设计而增加成本与复杂度，Microchip Technology Inc.（微芯科技公司）扩展了基于可配置逻辑单元（CLB）的单片机（
iCAR首发搭载地平线舱驾融合整车智能解决方案，星空芯片获十余家品牌合作意向
2026年4月22日，地平线正式发布中国首款舱驾融合整车智能体芯片地平线星空® (Horizon Starry®) 。作为业界首款为整车智能Agentic OS原生设计的舱驾融合芯片，地平线星空® (Horizon Starry®) 用一颗芯片支持传统智驾与座舱两套系统，不仅重新定义了整车智能计算底座新范式，也实现了高效的一体化部署。发布当天，地平线官宣星空芯片获得十余家车企品牌及数家Tier 1
High-NA EUV介绍
作为当前极紫外光刻技术的下一代演进，高数值孔径极紫外光刻（High-NA EUV）正从研发走向量产准备。它并非现有0.33 NA EUV的简单升级，而是通过将数值孔径提升至0.55，为2纳米以下逻辑节点和先进DRAM的关键层图形开辟新的工艺窗口。 技术原理与核心优势 High-NA EUV仍使用13.5nm波长的EUV光源，但将投影光学系统的数值孔径从0.33提高到0.55。根据瑞利准则，分辨率与
集成电路制造中的缺陷检测
在追求极致性能与极小特征尺寸的集成电路制造领域，任何微小的异常均可能导致芯片失效。这些异常，即制造缺陷，是影响最终产品良率、性能与可靠性的直接因素。缺陷并非呈现单一形态，而是在晶圆经历上百道工艺步骤的过程中，不断演化、累积并显现，构成一幅复杂的图景。 一、缺陷分类 前端制程（Front End of Line, FEOL）是集成电路制造中形成晶体管等核心有源器件的阶段。在这一纳米尺度的精密制造过
横向扩散金属氧化物半导体：射频功率的架构
在这个万物互联的时代，你的手机信号能够稳定覆盖数公里，背后的功臣是一个你可能从未听过的核心器件——横向扩散金属氧化物半导体，简称LDMOS。 一、横向的秘密：LDMOS的工作原理 要理解LDMOS，不妨先回忆一下普通MOSFET的结构。在普通MOSFET中，电流从源极流向漏极的方向与硅片表面平行，但控制电流的沟道长度受限于光刻精度。而LDMOS的创新在于“横向扩散”四个字。 想象一下，你需要在一
