TaC涂层是什么？在半导体制造中有什么作用？
碳化钽（TaC）涂层凭借超高温稳定性与优异化学惰性，成为半导体高温工艺的关键防护材料。本文解析其 CVD 制备工艺，聚焦 SiC 长晶、GaN/SiC 外延等核心应用场景，梳理行业需求逻辑与国产替代趋势。 碳化钽（TaC）属于超高温陶瓷材料，熔点高达约3880℃，密度约13.9g/cm³，热导率约22W/(m·K)，热膨胀系数约6.3×10⁻⁶/K，对硅蒸汽、氢气、氨气等具有突出的化学惰性。碳化
制造工艺
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制造工艺技术
玻璃基板、玻璃载板、玻璃中介层、玻璃核心基板有什么区别？
先进封装领域玻璃相关名词极易混淆：玻璃基板、玻璃载板、玻璃中介层、玻璃核心基板。四者属于包含、功能分层关系，并非等同替代关系。本文以城市交通类比清晰划分定义、功能定位与工艺侧重点，厘清行业常见混用误区。 最近讲先进封装，经常会看到几个词：玻璃基板、玻璃载板、玻璃中介层、玻璃核心基板。 它们听起来很像，好像都是“把玻璃用到封装里”。但如果不区分清楚，很容易把材料、结构和封装功能混在一起，最后得出一
RDL电镀厚度不均，先查光刻开口、电流密度还是搅拌条件？
先进封装 RDL 铜电镀厚度不均诱因复杂，包含光刻图形、种子层、电场、传质、药液多维度因素，不可盲目调整电流与电镀时长。文中给出标准化排查逻辑：先通过厚度 Map 判定不均类型，再按光刻开口→种子层→电流参数→搅拌槽液的顺序定位根因。 RDL电镀厚度不均时，不建议第一步就把电流调大，也不建议直接延长电镀时间。 厚度不均通常不是单一参数造成的。它可能来自图形开口、电流分布、种子层状态、槽液传质、添
从硅片到芯片：集成电路制造全流程解析
集成电路制造是数百道精密工艺协同的复杂工程，核心是在硅晶圆上通过重复循环构建晶体管与互连网络。本文从晶圆制备、光刻、沉积刻蚀、掺杂改性到互连封装，拆解芯片制造全流程，解析各环节核心原理与技术难点。 从一片硅到一枚芯片：集成电路制造究竟经历了什么？ 一枚集成电路看似只是面积有限的硅芯片，其内部却可能集成数以亿计乃至数百亿计的晶体管，以及规模庞大的金属互连网络。如此复杂的结构并不是一次加工完成的，而
钨塞W-plug是干什么用的？
钨塞是什么？ 钨塞（Tungsten Plug，业内常简称为 W-plug）是半导体集成电路制造中，用于实现晶体管器件层与上方金属互连层之间垂直电气连接的圆柱形微观金属导体。 在芯片的物理架构中，它主要位于中道工序（MOL, Middle-of-Line）的接触孔（Contact）层。通俗来说，晶体管的源极、漏极和栅极深埋在底层的硅基底上，而负责传输信号的铜布线（M1, M2...）悬浮在上方介质
钨塞（W-plug）是怎么做的？
本文介绍了钨塞（W-plug）的制造流程。 钨塞制造的标准流程是： 刻蚀接触孔/通孔 → 沉积阻挡/粘附层（Ti/TiN）→ 沉积钨成核层 → CVD 主体填钨 → CMP 平坦化 第一步：刻蚀接触孔 / 通孔（Contact / Via Etch） 在介质层（通常是二氧化硅或低介电材料）上，通过光刻定义位置，再用等离子体刻蚀打出又深又细的孔，露出下面要连接的部位——如果是接触孔，露出的是晶体
玻璃基封装载板，到底是不是“玻璃做的 PCB”？
本文介绍了玻璃基封装载板。 最近，半导体圈里“玻璃基封装载板”很火。很多人第一反应是：这不就是把 PCB 的材料从树脂换成玻璃吗？是不是可以理解成“玻璃做的 PCB”？ 这个说法有一点像，但也很容易误导。 更准确地说：玻璃基封装载板不是普通 PCB 的玻璃版，而是先进封装里的“高精度芯片地基”。它和 PCB 都负责连接电信号，但服务对象、加工精度、结构层级和产业门槛完全不同。 一、为什么大家会
芯片设计与制造中提到的Corner以及SS/TT/FF是什么？
本文介绍了芯片设计与制造中提到的Corner以及SS/TT/FF。 在芯片制造领域，Corner（工艺角）这一概念用于定量刻画因制造工艺导致的个体间性能差异。芯片制造时，如掺杂 (doping) 浓度、扩散 (diffusion) 深度、刻蚀 (etch) 程度，退火 (anneal) 这些工艺偏差，会使不同批次芯片或同一批次的不同晶圆，甚至同一晶圆上的不同die，都会在性能上产生variati
界面结合材料
本文介绍了界面结合材料。 概述 界面结合材料是一类可实现芯片与载板、芯片与芯片、芯片与热沉之间连接与黏结的功能性材料。为满足工业芯片封装的高标准、高可靠性要求，界面结合材料需具备多项核心技术特性：具备高机械强度，可抵御封装与服役过程中的各类机械应力；拥有优异的化学稳定性，能够耐受复杂环境侵蚀、避免材料失效；同时可根据应用需求具备导电或导热性能，优化电子器件整体工作性能。 除此之外，界面结合材料的
钴在半导体制造中的应用
文章来源：Tom聊芯片智造 原文作者：Tom 本文介绍了钴在半导体制造中的应用。 钴（Co）在半导体制造里的应用比很多人想象的要广，而且是随着制程推进逐步扩大的。它不只是"下一代互连金属"，在硅化物、接触、互连、衬垫层、甚至磁性存储等多个环节都有关键作用。 局部互连（Local Interconnect / MOL） ——先进节点应用 背景：在器件层和上层铜互连之间，有一层中段制程（MOL, Mi
应力的“记忆术”：SMT如何帮NMOS跑得更快
本文介绍了SMT如何帮NMOS跑得更快。 在芯片制造中，提升NMOS晶体管速度的一个有效方法，是在沟道中引入张应力。应力能改变硅的晶格结构，让电子迁移得更快。但问题在于，传统的应力引入方式——比如在器件上方沉积一层应力氮化硅薄膜——会带来布局依赖效应，不同密度的图形区域应力效果差异很大。 于是工程师发明了应力记忆技术，简称SMT。它的巧妙之处在于，应力源只是“临时工”，用完之后就撤走，但应力效
晶圆变“晶方”？AI封装火了，MEMS也能用吗？
本文介绍了方形晶圆的适用场景和优势短板。 近期半导体行业方形硅片批量交付的消息刷屏，不少人疑惑，几十年通用的圆形晶圆为何突然出现方形款，它会不会全面替代圆片，在MEMS 领域又有落地空间？ 晶圆和“晶方” 传统晶圆天生是圆形，硅棒经旋转提拉长成圆柱，切片自然呈圆形，全球整条光刻、清洗、机械手产线也都是围绕圆片设计，一直是芯片前道制造的主流。但随着AI大尺寸GPU、HBM、Chiplet普及，封装
平行缝焊抗盐雾性能
本文主要讲述平行缝焊抗盐雾性能。 腐蚀现象 盐雾试验是一种模拟沿海大气环境对电子器件侵蚀效果的加速腐蚀测试手段。金属或防护涂层会在化学作用与电化学作用的共同影响下，出现持续性损伤破坏，常见腐蚀表现包含表面析出腐蚀沉积物、产生色斑、针孔、蚀坑以及涂层起皮剥落等缺陷。 相关试验研究表明，平行缝焊密封成型的器件，在24小时盐雾环境放置后，焊缝周边区域会出现大面积锈蚀问题（见图1）。且随着盐雾环境暴露时长
光刻工艺的坐标地图：FEM
本文主要讲述光刻工艺的坐标地图FEM。 在芯片光刻中，工程师经常提到“做个FEM”。这其实是光刻工艺调试中最基础也最关键的一步。今天我们就来拆解一下，FEM是什么，以及焦距和能量这两个参数如何决定光刻的成败。 什么是FEM？ FEM是Focus Exposure Matrix的缩写，中文叫焦距能量矩阵。简单说，就是在同一片晶圆上，系统性地改变光刻机的焦距和曝光能量，然后显影，看看哪一组参数刻出来
未来光刻替代技术—NIL技术介绍
本文主要讲述NIL技术。 目光投向EUV光刻之外的技术路线。纳米压印光刻（Nanoimprint Lithography，简称NIL）作为一种有力的补充方案，近期因佳能推出相关设备而备受关注，业界看好其打破传统光刻机垄断的潜力。 原理与工艺差异 传统光刻技术（包括DUV和EUV）的本质是利用光源通过掩模版对光刻胶进行图案化，其分辨率由光源波长决定。工艺流程包括涂布光刻胶、掩模对位、曝
AuSn焊料环平行缝焊
本文主要讲述AuSn焊料环平行缝焊。 原理及方法 AuSn焊料环平行缝焊的核心工艺原理为：设备左右电极轮在电机驱动下，对器件盖板施加恒定压力，使电极轮与盖板接触位置形成稳定接触电阻。与此同时，主电源释放高频脉冲电流，电流通过接触电阻产生大量焦耳热，使局部温度快速升至AuSn焊料环熔点以上，实现焊料熔融。待电极轮移开后，熔融状态的焊料随温度降低逐步凝固，将盖板、AuSn焊料环与器件管壳紧密密封为一体
ADI是什么？有什么作用？
本文主要讲述ADI。 在半导体芯片制造的光刻工艺中，显影后检测（After Development Inspection，简称ADI）是一个关键的质量控制环节。它位于光刻工艺的显影步骤完成之后、刻蚀工艺开始之前，主要目的是确认光刻胶上形成的图形是否符合设计要求。 ADI在光刻工艺中的位置 光刻工艺的基本流程包括涂胶、曝光和显影三个主要步骤。首先在晶圆表面涂上光刻胶，然后通过光刻机将设计图形曝光到光
如何在线检测H2O2浓度？
本文主要介绍了如何在线检测H2O2浓度。 在半导体晶圆厂的湿法清洗中，实现在线（In-line/On-line）检测 H2O2浓度，为了保证制程的稳定性，机台不能停机抽样测试。 一般有两种方法：近红外光谱法 (NIR)和在线自动滴定。 什么是近红外光谱法？ 这是目前所有先进晶圆厂湿法机台的标配。 近红外光（波长通常在780nm - 2500nm 之间）照射到液体时，液体分子内部的化学键（特别是
芯片设计：DTCO如何让工艺和电路一起进化
本文主要介绍了DTCO如何让工艺和电路一起进化。 在先进制程中，单纯靠工艺微缩已经越来越难。工程师发现，很多问题其实是设计和制造“各干各的”造成的：工艺不懂电路的需求，电路也不了解工艺的局限。于是，一种新方法诞生了——DTCO（设计-工艺协同优化）。图片展示的就是DTCO的典型工具流程。它不是单向的“工艺做好→电路设计”，而是从原子级材料一直跑到芯片级布局布线，中间不断反馈、迭代。最底层（Su
平行缝焊焊接质量影响因素（二）
本文介绍了平行缝焊焊接质量影响因素。 焊接速度与焊接热量 现阶段电子设备逐步向轻量化、微型化、多功能化方向迭代，市场对微小型一体化封装管壳，尤其是表面安装型（SM）封装管壳的需求持续攀升。实际生产加工中发现，微小型管壳经平行缝焊加工后，瓷体易出现裂纹缺陷，直接破坏管壳的气密性，造成产品封装失效。 通过有限元仿真技术，可模拟平行缝焊加工过程中不同工艺参数下的管壳热量分布特征，据此优化工艺方案，能够显